Samsung показала пам’ять майбутнього: zHBM, V-NAND на понад 400 шарів і довгі контракти для AI

Це десяте покоління V-NAND від Samsung. Символічно, що першу технологію V-NAND компанія представила на цій самій конференції 13 років тому — у 2013 році .

zHBM: пам’ять безпосередньо над AI-прискорювачем

Найбільш радикальною розробкою Samsung стала zHBM — концепція, у якій пам’ять із високою пропускною здатністю розміщується вертикально безпосередньо над кристалом AI-прискорювача, а не поруч із ним на кремнієвому інтерпозері .

Таке компонування має скоротити шлях передавання даних між обчислювальним блоком і пам’яттю. За оцінкою Samsung, майбутні системи на базі zHBM потенційно зможуть забезпечити:

• приблизно 8-кратну продуктивність порівняно з HBM5;
• більш ніж 10-кратну щільність пам’яті;
• до 3 разів вищу енергоефективність;
• зменшення теплового опору більш ніж удвічі .

Однак важливо не сприймати ці показники як характеристики готового продукту. На FMS 2026 Samsung показала саме фізичний концепт-макет, а не серійний чип. Компанія також не назвала терміни комерціалізації . Якщо архітектуру вдасться реалізувати, вона може відмовитися від кремнієвого інтерпозера, який досі використовувався в усіх поколіннях HBM .

zNAND-O для периферійного штучного інтелекту

Ще одна концептуальна розробка — zNAND-O. Вона поєднує V-NAND із технологією TSV, тобто наскрізними кремнієвими переходами, щоб вертикально об’єднувати в одному корпусі чотири або вісім NAND-чипів .

Архітектура орієнтована на edge AI — оброблення даних безпосередньо на пристроях, ближче до користувача та джерела даних. Samsung робить акцент на ефективнішому використанні простору, вищій продуктивності введення-виведення та меншій затримці . Як і zHBM, zNAND-O наразі залишається концептом без оголошеної дати виходу на ринок .

HBM4E, HBM5 і пам’ять із вбудованими обчисленнями

На стенді Samsung також демонструвалися зразки HBM4E та концептуальні моделі HBM5 . Компанія заявила, що в лютому 2026 року розпочала масове виробництво HBM4, використовуючи 1c DRAM і 4-нм чипову технологію, а в травні стала першою, хто передав глобальним клієнтам зразки HBM4E . Масове виробництво HBM4E планується на 2027 рік із використанням гібридного з’єднання четвертого покоління .

Samsung також представила LPDDR5X-PIM — мобільну пам’ять із функцією processing-in-memory, або оброблення даних безпосередньо всередині пам’яті . Такий підхід дає змогу виконувати частину операцій поруч із даними, зменшуючи їхнє переміщення між пам’яттю та CPU або GPU. Для окремих навантажень, зокрема AI-інференсу, це може підвищити ефективність і знизити енергоспоживання .

Для інфраструктури дата-центрів компанія також показала нові корпоративні SSD-платформи PM1763 і BM1773, орієнтовані на AI-навантаження .

Samsung повернула собі перше місце на ринку DRAM

Технологічні анонси пролунали на тлі посилення позицій Samsung у звичайній пам’яті DRAM. За даними Counterpoint Research, у другому кварталі 2026 року компанія контролювала 39% світового ринку DRAM у грошовому вимірі. SK hynix посіла друге місце з 26%, а Micron — 25% .

Зміна лідера була пов’язана зі зростанням попиту на стандартну DRAM і розширенням виробництва HBM Samsung, тоді як ціни на HBM у SK hynix залишалися під тиском . При цьому виручка SK hynix зросла на 214% у річному вимірі, але її частка скоротилася з 39% у другому кварталі 2025 року до 26% у другому кварталі 2026-го . Так Samsung повернула перше місце після періоду, коли SK hynix випереджала її .

До 70% потужностей — за довгостроковими контрактами

Під час телефонної конференції щодо результатів другого кварталу 30 липня Samsung оголосила про нову стратегію постачань. Компанія планує передавати за довгостроковими угодами (LTA) 60–70% усіх виробничих потужностей пам’яті .

Основні особливості цієї моделі:

• базовий термін контракту становить п’ять років, після чого угода щороку може продовжуватися — так звана структура «5-year rolling» ;
• договори передбачають авансові платежі, причому Samsung уже отримала приблизно чверть їхнього загального обсягу ;
• зниження ціни обмежене максимумом у 5% за квартал, тоді як можливість підвищення ціни фактично не має аналогічного обмеження ;
• Samsung уже уклала LTA з п’ятьма великими глобальними клієнтами дата-центрів і веде фінальні переговори ще з п’ятьма .

За повідомленнями галузевих видань, до першої групи можуть входити AWS, Microsoft, Google, Meta та Oracle, хоча конкретні умови угод не розкриваються через угоди про конфіденційність . Для порівняння, Micron орієнтується приблизно на 50% продажів за власними Strategic Customer Agreements .

Опитування Bank of America Merrill Lynch свідчить, що структура таких контрактів загалом вигідна постачальнику: квартальне зниження ціни обмежене 5%, тоді як потенціал підвищення ціни залишається значно ширшим .

Що показали конкуренти на FMS 2026

Samsung була не єдиною компанією, яка запропонувала нові рішення для AI-інфраструктури.

• SK hynix і Sandisk спільно представили перші специфікації стандарту High Bandwidth Flash (HBF) — проміжного рівня між HBM і SSD. Він має закрити розрив між надшвидкою пам’яттю та накопичувачами великої місткості. Специфікації передбачають до 512 ГБ у конфігураціях із 8- та 16-рівневим складанням NAND, пропускну здатність приблизно від 0,4 до 3,0 ТБ/с і використання інтерфейсу UCIe . До консорціуму HBF також долучилися Google і Tenstorrent .
• Kioxia показала SSD серії GP1 PCIe 6.0 NVMe, оптимізовані для прямого доступу GPU, а також серії CM10 і NX1 із підтримкою прямого рідинного охолодження. Компанія окремо презентувала рішення для AI-інфраструктури разом із Nvidia .
• Micron ще в лютому 2026 року запустила масове виробництво корпоративного SSD 9650 PCIe 6.0, який називають першим комерційним накопичувачем цього стандарту .
• SK hynix також демонструвала 375-шарову 4D NAND V10, заявляючи про 2,5-кратне підвищення енергоефективності .

Висновок

Послання Samsung на FMS 2026 вийшло ширшим за звичайну презентацію нових чипів. Компанія одночасно показала кілька напрямів розвитку: надщільну NAND-пам’ять із понад 400 шарами, вертикальну HBM над AI-прискорювачем, пам’ять із вбудованими обчисленнями та нові корпоративні SSD.

Паралельно Samsung перебудовує відносини з найбільшими клієнтами: довгострокові угоди можуть закріпити за AI-компаніями 60–70% її виробничих потужностей. Уся галузь тим часом рухається до багаторівневої архітектури пам’яті — від HBM через HBF до SSD — і дедалі активніше переходить на PCIe 6.0. Це створює нове поле конкуренції за ключовий ресурс AI-інфраструктури: швидку, містку та енергоефективну пам’ять.