4 серпня 2026 року на конференції Future of Memory and Storage (FMS 2026) у Санта-Кларі SK hynix і Sandisk представили першу офіційну технічну специфікацію HBF . Документ оприлюднено через Open Compute Project (OCP) — спільноту, що розробляє відкриті стандарти та апаратні рішення для дата-центрів.
Специфікація має відкритий і безроялтійний характер, тобто її можуть використовувати інші компанії без сплати ліцензійних відрахувань . Це має спростити створення сумісних прискорювачів, модулів пам’яті та серверних платформ.
Робота над стандартом почалася у лютому 2026 року в межах окремого напряму OCP. Їй передав меморандум про взаєморозуміння між SK hynix і Sandisk, підписаний у серпні 2025-го .
Перша специфікація передбачає два варіанти вертикального компонування NAND:
Перші модулі Sandisk базуватимуться на 16-рівневому стеку . Це ілюструє головну перевагу HBF над HBM: NAND дає змогу розмістити значно більший обсяг даних у близькому за форматом модулі.
Стандарт визначає три класи продуктивності :
| Рівень | Пропускна здатність читання |
|---|---|
| Початковий | близько 0,4 ТБ/с |
| Середній | близько 1,6 ТБ/с |
| Високий | близько 3,0 ТБ/с |
Для першого покоління Sandisk заявляє швидкість читання до 1,6 ТБ/с. За оцінкою компанії, це приблизно відповідає одному стеку HBM4 за пропускною здатністю, але HBF може запропонувати близько вдесятеро більшу місткість .
На відміну від звичайного SSD, HBF має використовувати паралельну високошвидкісну шину пам’яті, безпосередньо під’єднану до GPU або іншого ШІ-прискорювача. За підходом це ближче до інтерфейсу HBM, ніж до протоколів PCIe/NVMe .
Фізичні та електричні параметри інтерфейсу опубліковані в межах відкритої апаратної екосистеми OCP .
Ініціативу очолюють SK hynix і Sandisk. Під час процесу стандартизації до екосистеми також приєдналися:
Повний список учасників офіційно не розкривався. Водночас Samsung, за повідомленнями галузевих джерел, розробляє власний варіант високошвидкісної NAND-пам’яті, не входячи до консорціуму SK hynix і Sandisk.
Поточний графік, оголошений раніше, передбачає кілька етапів:
Sandisk також планує запустити пілотну виробничу лінію у другій половині 2026 року, а потім перейти до випуску більшими обсягами у 2027-му . На FMS 2026 компанії не оголосили про перегляд цього графіка, тому він залишається попереднім прогнозом, а не підтвердженою датою широкого запуску.
На ринку формується кілька різних підходів до прискорення доступу ШІ-систем до NAND-пам’яті.
| Компанія або підхід | Технологія | Місткість і швидкість | Орієнтовні строки | Особливості |
|---|---|---|---|---|
| SK hynix + Sandisk | Відкритий стандарт OCP, стеки NAND із TSV | До 512 ГБ і до 3,0 ТБ/с; перше покоління — до 1,6 ТБ/с | Зразки у другій половині 2026-го, пристрої — на початку 2027-го | До консорціуму приєдналися Google і Tenstorrent |
| Samsung | Власна високошвидкісна NAND-технологія | Орієнтир — подібні до HBF місткість і пропускна здатність | Кінець 2027 — початок 2028 року для продуктів Nvidia, AMD і Google | Розробляється паралельно, поза консорціумом SK hynix і Sandisk |
| Kioxia | Серія GP на базі XL-Flash, модулі SSD із підключенням через PCIe 5.0 | До 5 ТБ на модуль і близько 64 ГБ/с; дорожня карта — до 100 млн IOPS | Серія GP — із третього кварталу 2026-го, 100 млн IOPS — до 2027-го | Це все ще PCIe-підключений SSD, а не пристрій на шині пам’яті; розробка ведеться на запит Nvidia |
| Nvidia | Власний HBF не розробляє | — | Працює з Kioxia над надшвидкими SSD і оцінює HBF Samsung для майбутніх GPU | Виступає ключовим замовником і фактичним етапом кваліфікації для рішень, що претендують на роботу в GPU-екосистемі |
HBF від SK hynix і Sandisk, а також потенційний аналог Samsung, передбачає пряме підключення NAND до шини пам’яті GPU та використання TSV-стеків. Це дає змогу розраховувати на швидкість від 1,6 ТБ/с і вище — рівень, близький до HBM.
Kioxia обрала інший шлях: її модулі залишаються PCIe-пристроями. Пропускна здатність на рівні близько 64 ГБ/с суттєво нижча за показники HBF, зате модуль може мати місткість до 5 ТБ, а інтеграція з інфраструктурою SSD є простішою .
Отже, ці рішення не є повністю взаємозамінними. HBF претендує на новий рівень ієрархії пам’яті між HBM та накопичувачами, тоді як Kioxia розвиває надшвидкий SSD-шар для розширення доступного ШІ-системам сховища.
Ще одна відмінність — підхід до стандартизації. SK hynix і Sandisk просувають відкриту специфікацію через OCP. Samsung і Kioxia розвивають власні, закриті рішення. За оприлюдненими строками консорціум SK hynix і Sandisk випереджає Samsung приблизно на 12–18 місяців, тоді як продукти Kioxia можуть з’явитися раніше, але працюватимуть у нижчому за пропускною здатністю класі.
Сучасні прискорювачі мають дуже високу обчислювальну потужність, але їхню ефективність часто обмежує доступ до даних. HBM забезпечує потрібну швидкість, проте її місткість залишається обмеженою та дорогою. SSD значно місткіші й зберігають дані без живлення, однак традиційно програють за затримками та пропускною здатністю.
HBF намагається поєднати ці властивості в одному рівні: надати ШІ-прискорювачу швидший доступ до великих наборів даних, не покладаючись лише на дорогі стеки HBM. Поки що йдеться про специфікацію та тестові зразки, а не про готовий масовий продукт. Проте відкритий стандарт і участь Google та Tenstorrent можуть прискорити створення сумісної екосистеми.