Samsung намагається розв’язати головне вузьке місце сучасних AI-систем — нестачу швидкої пам’яті — не лише прискоренням окремих чипів. Компанія хоче змінити саму геометрію пам’яті: замість набору компонентів, розкладених у площині, створювати щільні тривимірні структури.

Про стратегію під назвою CUBE Samsung оголосила 1 вересня на Memory Executive Summit у межах SEMICON Taiwan 2026. Назва утворена від чотирьох англійських слів: Capacity, Utilization, Bandwidth і Efficiency — місткість, використання, пропускна здатність та ефективність. 24

Важливо, що йдеться про дорожню карту з цілями та концепціями, а не про повний набір характеристик готових продуктів, які вже можна замовити.

Що означають чотири принципи CUBE

Capacity: збільшувати пам’ять угору, а не назовні

Samsung планує нарощувати місткість вертикально, не збільшуючи площу друкованої плати. Для AI-систем це принципово: прискорювачам потрібні дедалі більші пули пам’яті, але площа плати, габарити корпусу, система живлення та охолодження мають фізичні обмеження. 249

Utilization: змусити кожен шар працювати ефективніше

У CUBE тривимірне компонування — це не просто збільшення кількості шарів пам’яті. Samsung говорить про оптимізацію взаємного розташування логіки та пам’яті, щоб дані не долали зайву відстань і не простоювали через неефективні маршрути. 449

Bandwidth: замінити довгі горизонтальні шляхи вертикальними з’єднаннями

Що коротший шлях між обчислювальною логікою та пам’яттю, то вищою може бути пропускна здатність і нижчим — енергоспоживання передавання даних. У концепції zHBM Samsung хоче використати щільні вертикальні з’єднання замість традиційної схеми, у якій HBM розташована поруч із прискорювачем. 812

Efficiency: зменшити ціну переміщення кожного біта

Ефективність у CUBE охоплює і споживання енергії, і тепло. Передавання даних потребує живлення, а щільне компонування потужних AI-чипів ускладнює відведення тепла. Тому Samsung розглядає пропускну здатність, енергоспоживання та тепловий опір як взаємопов’язані інженерні завдання. 551

HBM5: амбітні цілі, але без ключових абсолютних цифр

HBM5 стане наступним поколінням після HBM4E. Samsung заявила такі орієнтири:

• удвічі вища продуктивність, ніж у HBM4E;
• на 20% вища продуктивність на ват;
• на 20% нижчий тепловий опір. 126

У повідомленнях також згадуються DRAM-процес класу 1c, власний базовий кристал за 2-нм техпроцесом і Heat Path Block — елемент стека, покликаний покращити відведення тепла. 37

Однак ці показники слід сприймати саме як цілі розробки, а не як результати незалежно підтверджених випробувань. Samsung не назвала абсолютну пропускну здатність HBM5, фінальну місткість, кількість шарів у стеку або точне визначення слова «продуктивність». 7

Теоретично «2×» може стосуватися швидкості інтерфейсу, пропускної здатності одного стека або ширшого системного показника. Доступні матеріали не дають змоги однозначно визначити, про який саме параметр ідеться. Тому перетворювати заяву про подвоєння на конкретне число в терабайтах за секунду було б некоректно.

Порівняння з демонстраціями HBM4E також потребувало б однакових визначень продуктивності, конфігурацій стеків і умов тестування. Наприклад, сама згадка про певну швидкість HBM4E не є автоматичним доказом того, якою буде фактична пропускна здатність майбутньої HBM5.

zHBM: пам’ять безпосередньо над прискорювачем

Найрадикальніша частина roadmap — zHBM. У звичайній конфігурації HBM розміщують поруч із AI-прискорювачем і під’єднують через передовий корпус або інтерпозер. zHBM має іншу архітектуру: пам’ять вертикально встановлюється безпосередньо над CPU, GPU чи іншим прискорювачем. 81217

Запропонована Samsung реалізація передбачає інтеграцію на рівні пластин і гібридне мідне з’єднання. Прямі з’єднання мідь-до-міді можуть створити коротші та щільніші сигнальні шляхи, ніж у традиційній схемі. Це має підвищити пропускну здатність і водночас зменшити енергію, необхідну для переміщення даних. 17

Samsung оприлюднила для zHBM орієнтир до 8× вищої продуктивності, до 3× вищої продуктивності на ват і значного зниження теплового опору. 1618

Чому в повідомленнях фігурують і 4×, і 8×

Цифри, що стосуються zHBM, не завжди можна безпосередньо зіставляти. Найчіткіше публічне формулювання Samsung говорить про те, що інтерфейсна система нового покоління із застосуванням zHBM може забезпечити приблизно 8× вищу продуктивність, ніж HBM5. 1822

Водночас частина публікацій порівнює концепцію з HBM4E або наводить діапазон 4–8×. 11352 Розбіжність може пояснюватися різними поколіннями, обраними за основу, різними визначеннями продуктивності або відмінністю між показником інтерфейсу та характеристиками повного стека пам’яті.

Samsung поки не оприлюднила достатньо абсолютних метрик, щоб узгодити ці порівняння. Обережний висновок такий: zHBM — це пропозиція значно щільнішого та коротшого інтерфейсу пам’яті, а не підтверджене зростання у 4 чи 8 разів у готовій AI-системі.

Коли zHBM з’явиться у продуктах — невідомо

Samsung представила zHBM як концептуальну архітектуру й не назвала в доступних матеріалах чітких термінів серійного виробництва. Тому заяви про комерціалізацію в конкретному році варто сприймати як очікування індустрії, а не як офіційний прогноз Samsung. 1323

Це важливе застереження: вертикальна інтеграція створює складні виробничі та пакувальні проблеми, які не відображаються в одному рекламному множнику продуктивності.

zNAND-O призначена для іншого сценарію

zNAND-O — окремий від серверної HBM напрям. Це вертикально інтегроване рішення на базі NAND для локального AI, смартфонів та інших пристроїв, яким потрібна висока щільність зберігання й швидший доступ, ніж у звичайної NAND-пам’яті. У повідомленнях ідеться про значно вищу бітову щільність порівняно з DRAM, а також покращені швидкість читання та енергоефективність відносно звичайної NAND. 4613

Деякі публікації називають 2028 рік можливим початком передавання зразків клієнтам, але доступні матеріали не однаково описують статус цього плану. Тож дату варто вважати заявленим або повідомленим орієнтиром, а не гарантованим терміном запуску. 131416

Лідерство Samsung у DRAM не означає перемогу в HBM

Samsung увійшла в цю презентацію з сильною позицією на ширшому ринку DRAM. За даними Counterpoint Research, у другому кварталі 2026 року компанія контролювала 39% світової виручки від DRAM, випереджаючи SK hynix із 26% і Micron із 25%. 33

Але цей показник не слід ототожнювати з лідерством у кожному поколінні HBM або в 3D-пакуванні пам’яті. Загальна виручка DRAM охоплює значно більше сегментів, ніж передові AI-прискорювачі. Вона не доводить, що Samsung уже випереджає конкурентів у HBM5, zHBM чи гібридно з’єднаній пам’яті.

Тому справжнє конкурентне питання звучить інакше: хто зможе перетворити перспективну архітектуру на надійні серійні корпуси, які замовники зможуть інтегрувати у свої AI-системи.

Чотири інженерні випробування для CUBE

Тепловідведення

Розміщення пам’яті безпосередньо над потужним прискорювачем скорочує електричний шлях, але може створити складніше теплове середовище. Вирішальними стануть не лише заяви про нижчий тепловий опір, а й стабільна температура під навантаженням, контроль гарячих зон, температурні градієнти, сумісність із системами охолодження та довгострокова надійність.

Вихід придатних виробів після гібридного з’єднання

zHBM потребує надзвичайно точного вирівнювання пластин і чистих, пласких поверхонь для з’єднання. Що більшою є площа контакту та щільність з’єднань, то відчутнішими стають наслідки дефектів. Виробникам доведеться вдосконалювати перевірку придатних кристалів, контроль процесу та методи роботи з дефектними або частково дефектними збірками.

Тестування та довгострокова надійність

Вертикальний корпус потрібно перевіряти після з’єднання. Компаніям також необхідно виявляти приховані дефекти міжз’єднань, контролювати викривлення та механічні напруження, а також оцінювати електроміграцію й наслідки багаторазових циклів нагрівання та охолодження. Усе це безпосередньо впливатиме на вихід придатних виробів і собівартість.

Висота стека та інтеграція корпусу

Додавання шарів збільшує місткість, але водночас ускладнює охолодження, подачу живлення та механічну надійність. Оптимальна конфігурація залежатиме від потужності прискорювача, вимог до місткості, системи охолодження, конструкції корпусу замовника та можливостей усього виробничого ланцюжка.

Висновок

CUBE — це спроба Samsung конкурувати на ринку AI-пам’яті не лише за рахунок швидшої DRAM, а й завдяки вертикальній інтеграції. Ближчим до комерційного продукту напрямом є HBM5 із цілями подвоїти продуктивність HBM4E, на 20% підвищити продуктивність на ват і на 20% знизити тепловий опір.

zHBM — довгострокова архітектурна ставка: розмістити пам’ять безпосередньо над прискорювачем і скоротити шлях передавання даних за допомогою гібридного мідного з’єднання.

Дорожня карта має технічне значення, але її найбільші цифри поки залишаються цілями з неповними визначеннями. Зрештою позицію Samsung визначить не те, чи можна заявити про 2× або 8×, а здатність забезпечити потрібне охолодження, вихід придатних виробів, повне тестування, надійність і інтеграцію з реальними пакетами AI-прискорювачів.

Samsung намагається розв’язати головне вузьке місце сучасних AI-систем — нестачу швидкої пам’яті — не лише прискоренням окремих чипів. Компанія хоче змінити саму геометрію пам’яті: замість набору компонентів, розкладених у площині, створювати щільні тривимірні структури.

Про стратегію під назвою CUBE Samsung оголосила 1 вересня на Memory Executive Summit у межах SEMICON Taiwan 2026. Назва утворена від чотирьох англійських слів: Capacity, Utilization, Bandwidth і Efficiency — місткість, використання, пропускна здатність та ефективність. 24

Важливо, що йдеться про дорожню карту з цілями та концепціями, а не про повний набір характеристик готових продуктів, які вже можна замовити.

Що означають чотири принципи CUBE

Capacity: збільшувати пам’ять угору, а не назовні

Samsung планує нарощувати місткість вертикально, не збільшуючи площу друкованої плати. Для AI-систем це принципово: прискорювачам потрібні дедалі більші пули пам’яті, але площа плати, габарити корпусу, система живлення та охолодження мають фізичні обмеження. 249

Utilization: змусити кожен шар працювати ефективніше

У CUBE тривимірне компонування — це не просто збільшення кількості шарів пам’яті. Samsung говорить про оптимізацію взаємного розташування логіки та пам’яті, щоб дані не долали зайву відстань і не простоювали через неефективні маршрути. 449

Bandwidth: замінити довгі горизонтальні шляхи вертикальними з’єднаннями

Що коротший шлях між обчислювальною логікою та пам’яттю, то вищою може бути пропускна здатність і нижчим — енергоспоживання передавання даних. У концепції zHBM Samsung хоче використати щільні вертикальні з’єднання замість традиційної схеми, у якій HBM розташована поруч із прискорювачем. 812

Efficiency: зменшити ціну переміщення кожного біта

Ефективність у CUBE охоплює і споживання енергії, і тепло. Передавання даних потребує живлення, а щільне компонування потужних AI-чипів ускладнює відведення тепла. Тому Samsung розглядає пропускну здатність, енергоспоживання та тепловий опір як взаємопов’язані інженерні завдання. 551

HBM5: амбітні цілі, але без ключових абсолютних цифр

HBM5 стане наступним поколінням після HBM4E. Samsung заявила такі орієнтири:

• удвічі вища продуктивність, ніж у HBM4E;
• на 20% вища продуктивність на ват;
• на 20% нижчий тепловий опір. 126

У повідомленнях також згадуються DRAM-процес класу 1c, власний базовий кристал за 2-нм техпроцесом і Heat Path Block — елемент стека, покликаний покращити відведення тепла. 37

Однак ці показники слід сприймати саме як цілі розробки, а не як результати незалежно підтверджених випробувань. Samsung не назвала абсолютну пропускну здатність HBM5, фінальну місткість, кількість шарів у стеку або точне визначення слова «продуктивність». 7

Теоретично «2×» може стосуватися швидкості інтерфейсу, пропускної здатності одного стека або ширшого системного показника. Доступні матеріали не дають змоги однозначно визначити, про який саме параметр ідеться. Тому перетворювати заяву про подвоєння на конкретне число в терабайтах за секунду було б некоректно.

Порівняння з демонстраціями HBM4E також потребувало б однакових визначень продуктивності, конфігурацій стеків і умов тестування. Наприклад, сама згадка про певну швидкість HBM4E не є автоматичним доказом того, якою буде фактична пропускна здатність майбутньої HBM5.

zHBM: пам’ять безпосередньо над прискорювачем

Найрадикальніша частина roadmap — zHBM. У звичайній конфігурації HBM розміщують поруч із AI-прискорювачем і під’єднують через передовий корпус або інтерпозер. zHBM має іншу архітектуру: пам’ять вертикально встановлюється безпосередньо над CPU, GPU чи іншим прискорювачем. 81217

Запропонована Samsung реалізація передбачає інтеграцію на рівні пластин і гібридне мідне з’єднання. Прямі з’єднання мідь-до-міді можуть створити коротші та щільніші сигнальні шляхи, ніж у традиційній схемі. Це має підвищити пропускну здатність і водночас зменшити енергію, необхідну для переміщення даних. 17

Samsung оприлюднила для zHBM орієнтир до 8× вищої продуктивності, до 3× вищої продуктивності на ват і значного зниження теплового опору. 1618

Чому в повідомленнях фігурують і 4×, і 8×

Цифри, що стосуються zHBM, не завжди можна безпосередньо зіставляти. Найчіткіше публічне формулювання Samsung говорить про те, що інтерфейсна система нового покоління із застосуванням zHBM може забезпечити приблизно 8× вищу продуктивність, ніж HBM5. 1822

Водночас частина публікацій порівнює концепцію з HBM4E або наводить діапазон 4–8×. 11352 Розбіжність може пояснюватися різними поколіннями, обраними за основу, різними визначеннями продуктивності або відмінністю між показником інтерфейсу та характеристиками повного стека пам’яті.

Samsung поки не оприлюднила достатньо абсолютних метрик, щоб узгодити ці порівняння. Обережний висновок такий: zHBM — це пропозиція значно щільнішого та коротшого інтерфейсу пам’яті, а не підтверджене зростання у 4 чи 8 разів у готовій AI-системі.

Коли zHBM з’явиться у продуктах — невідомо

Samsung представила zHBM як концептуальну архітектуру й не назвала в доступних матеріалах чітких термінів серійного виробництва. Тому заяви про комерціалізацію в конкретному році варто сприймати як очікування індустрії, а не як офіційний прогноз Samsung. 1323

Це важливе застереження: вертикальна інтеграція створює складні виробничі та пакувальні проблеми, які не відображаються в одному рекламному множнику продуктивності.

zNAND-O призначена для іншого сценарію

zNAND-O — окремий від серверної HBM напрям. Це вертикально інтегроване рішення на базі NAND для локального AI, смартфонів та інших пристроїв, яким потрібна висока щільність зберігання й швидший доступ, ніж у звичайної NAND-пам’яті. У повідомленнях ідеться про значно вищу бітову щільність порівняно з DRAM, а також покращені швидкість читання та енергоефективність відносно звичайної NAND. 4613

Деякі публікації називають 2028 рік можливим початком передавання зразків клієнтам, але доступні матеріали не однаково описують статус цього плану. Тож дату варто вважати заявленим або повідомленим орієнтиром, а не гарантованим терміном запуску. 131416

Лідерство Samsung у DRAM не означає перемогу в HBM

Samsung увійшла в цю презентацію з сильною позицією на ширшому ринку DRAM. За даними Counterpoint Research, у другому кварталі 2026 року компанія контролювала 39% світової виручки від DRAM, випереджаючи SK hynix із 26% і Micron із 25%. 33

Але цей показник не слід ототожнювати з лідерством у кожному поколінні HBM або в 3D-пакуванні пам’яті. Загальна виручка DRAM охоплює значно більше сегментів, ніж передові AI-прискорювачі. Вона не доводить, що Samsung уже випереджає конкурентів у HBM5, zHBM чи гібридно з’єднаній пам’яті.

Тому справжнє конкурентне питання звучить інакше: хто зможе перетворити перспективну архітектуру на надійні серійні корпуси, які замовники зможуть інтегрувати у свої AI-системи.

Чотири інженерні випробування для CUBE

Тепловідведення

Розміщення пам’яті безпосередньо над потужним прискорювачем скорочує електричний шлях, але може створити складніше теплове середовище. Вирішальними стануть не лише заяви про нижчий тепловий опір, а й стабільна температура під навантаженням, контроль гарячих зон, температурні градієнти, сумісність із системами охолодження та довгострокова надійність.

Вихід придатних виробів після гібридного з’єднання

zHBM потребує надзвичайно точного вирівнювання пластин і чистих, пласких поверхонь для з’єднання. Що більшою є площа контакту та щільність з’єднань, то відчутнішими стають наслідки дефектів. Виробникам доведеться вдосконалювати перевірку придатних кристалів, контроль процесу та методи роботи з дефектними або частково дефектними збірками.

Тестування та довгострокова надійність

Вертикальний корпус потрібно перевіряти після з’єднання. Компаніям також необхідно виявляти приховані дефекти міжз’єднань, контролювати викривлення та механічні напруження, а також оцінювати електроміграцію й наслідки багаторазових циклів нагрівання та охолодження. Усе це безпосередньо впливатиме на вихід придатних виробів і собівартість.

Висота стека та інтеграція корпусу

Додавання шарів збільшує місткість, але водночас ускладнює охолодження, подачу живлення та механічну надійність. Оптимальна конфігурація залежатиме від потужності прискорювача, вимог до місткості, системи охолодження, конструкції корпусу замовника та можливостей усього виробничого ланцюжка.

Висновок

CUBE — це спроба Samsung конкурувати на ринку AI-пам’яті не лише за рахунок швидшої DRAM, а й завдяки вертикальній інтеграції. Ближчим до комерційного продукту напрямом є HBM5 із цілями подвоїти продуктивність HBM4E, на 20% підвищити продуктивність на ват і на 20% знизити тепловий опір.

zHBM — довгострокова архітектурна ставка: розмістити пам’ять безпосередньо над прискорювачем і скоротити шлях передавання даних за допомогою гібридного мідного з’єднання.

Дорожня карта має технічне значення, але її найбільші цифри поки залишаються цілями з неповними визначеннями. Зрештою позицію Samsung визначить не те, чи можна заявити про 2× або 8×, а здатність забезпечити потрібне охолодження, вихід придатних виробів, повне тестування, надійність і інтеграцію з реальними пакетами AI-прискорювачів.