AnswersPublished24 sources
Гонка AI-пам’яті переходить у сферу пакування: різні стратегії Samsung і SK hynix
Samsung уже постачає великим клієнтам зразки 12 шарової HBM4E зі стабільною швидкістю 14 Гбіт/с на контакт: це 3,6 ТБ/с і 48 ГБ на стек. Samsung рухається від стандартної HBM до кастомної cHBM, а згодом — до zHBM із вертикальним поєднанням логіки процесора та DRAM.
ОпублікувавВідредаговано за допомогою GPT-5.6 LunaЗображення створено за допомогою GPT Image 1.5
Research answer
Key takeaways
- Samsung уже постачає великим клієнтам зразки 12 шарової HBM4E зі стабільною швидкістю 14 Гбіт/с на контакт: це 3,6 ТБ/с і 48 ГБ на стек.
- Samsung рухається від стандартної HBM до кастомної cHBM, а згодом — до zHBM із вертикальним поєднанням логіки процесора та DRAM.
- SK hynix досліджує hybrid bonding для стеків понад 16 шарів, але не очікує готовності цієї технології для HBM4E.
AI Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
На Hot Chips 2026 Samsung і SK hynix представили два різні підходи до однієї проблеми AI-пам’яті: як забезпечити ще більшу пропускну здатність, не дозволивши теплу, розмірам корпусу та складності виробництва вийти з-під контролю. Samsung зробила акцент на швидкості, спеціалізованих базових кристалах і перспективі розміщення пам’яті безпосередньо на процесорі. SK hynix більше говорила про сам пакет — охолодження, деформацію, з’єднання та фізичні межі високих стеків. 2
3
Амбітні показники нижче слід сприймати як специфікації виробника, цілі дорожньої карти або конструкторські заяви, а не як результати незалежного тестування.
HBM4E від Samsung: 3,6 ТБ/с уже зараз і близько 4 ТБ/с у перспективі
Samsung повідомила, що наприкінці травня почала постачати великим глобальним клієнтам зразки 12-шарової HBM4E. Стабільна швидкість передавання становить 14 Гбіт/с на контакт, а продуктивність може масштабуватися до 16 Гбіт/с. Для 12-шарової версії Samsung заявляє пропускну здатність 3,6 ТБ/с і місткість 48 ГБ на стек. 17
18
Запланована конфігурація на 16 Гбіт/с на контакт має збільшити пропускну здатність одного стека приблизно до 4 ТБ/с. Samsung також окреслила 8- та 16-шарові варіанти, тож HBM4E розрахована не на один тип прискорювача чи одну конфігурацію місткості. 18
20
Важливо розрізняти вже відправлені зразки та цільову швидкість. Показник 14 Гбіт/с описує поточну стабільну специфікацію зразків, тоді як 16 Гбіт/с — це верхній рівень, до якого Samsung планує масштабувати продуктивність. Тому наведені значення пропускної здатності не обов’язково можна прирівнювати до підтверджених виробничих результатів.
Samsung перетворює HBM зі стандартного компонента на кастомний
Дорожня карта Samsung не обмежується прискоренням DRAM або додаванням нових шарів. Компанія описує перехід до cHBM, тобто custom HBM — кастомної HBM, у якій базовий кристал можна налаштовувати під конкретний AI-прискорювач. У такій схемі пам’ять стає активнішою частиною всієї системи, а не просто стандартизованим компонентом. 1
14
Довгострокова мета — zHBM, тривимірна конструкція з вертикальною інтеграцією логіки процесора та DRAM. Samsung пояснює, що такий підхід дасть змогу прибрати частину традиційного шляху 2.5D-з’єднання, зокрема інтерпозер і лінії SerDes, що потенційно підвищить енергоефективність і пропускну здатність. 1
14
Samsung заявляє, що zHBM може забезпечити приблизно на 70% вищу енергоефективність і більш ніж удвічі більшу пропускну здатність DRAM порівняно з відповідною традиційною конструкцією. Це прогноз або корпоративна оцінка майбутньої архітектури, а не вимірювання комерційно доступного продукту zHBM. 1
3
Тепло стає ключовим обмеженням HBM
Вища швидкість введення-виведення та щільніші стеки збільшують обсяг тепла, який потрібно відводити з корпусу. Відповіддю Samsung стала технологія Heat Path Block, або HPB. Вона створює додаткові шляхи відведення тепла навколо ділянок фізичного рівня — PHY, які споживають значну потужність. Samsung заявила, що за покриття понад 50% площі PHY технологія HPB може знизити пікову температуру більш ніж на 35%. 10
14
Компанія також повідомляла, що HPB уже реалізували й перевірили в HBM4E, а ширше впровадження планують для HBM5. 4
7 Стратегічне значення цього кроку очевидне: охолодження більше не є другорядною характеристикою пакета пам’яті. Воно стає частиною архітектури, яка визначає, наскільки швидко може працювати інтерфейс.
SK hynix розглядає масштабування HBM передусім як проблему пакета
На відміну від Samsung, SK hynix на Hot Chips докладніше зосередилася на виробництві та інтеграції. Компанія порівняла кілька способів з’єднання стеків HBM із прискорювачами: CoWoS-S із великим кремнієвим інтерпозером, CoWoS-L з інтерпозером на основі RDL і EMIB від Intel — підхід із мостовим з’єднанням. Кожен варіант передбачає компроміси щодо маршрутизації, розміщення кристалів, розміру інтерпозера або підкладки та деформації корпусу, коли поруч із прискорювачем розміщують дедалі більше стеків пам’яті. 11
12
Наскільки жорсткі ці обмеження, ілюструють поточні характеристики пакування SK hynix. Для HBM4 компанія вказує висоту по осі Z на рівні 775 мікрометрів, тисячі TSV-з’єднань і мікровиступів базового кристала. Коли стек стає вищим, інженерам доводиться працювати з тоншими кристалами, меншими проміжками, механічною напругою та відведенням тепла в межах фіксованого об’єму пакета. 11
12
У дорожній карті SK hynix EMIB фігурує як один із можливих варіантів 2.5D-інтеграції. Це свідчить про технічний інтерес до такого підходу або його сумісність із майбутніми рішеннями, але саме по собі не підтверджує укладення комерційного партнерства між SK hynix та Intel. 12
iHBM має відводити тепло від локальних гарячих зон
SK hynix також розробляє iHBM — підхід до охолодження, за якого матеріал із високою теплопровідністю розміщується поблизу локальних гарячих зон усередині структури HBM. Компанія заявила, що така конструкція може знизити термічний опір більш ніж на 30%. 2
9
Порівняння з HPB від Samsung показує різницю у фокусі. Обидві компанії намагаються вирішити теплову проблему на рівні кристал-кристал і всього пакета, але описують різні фізичні шляхи. Samsung говорить про спеціальні структури теплопередавання навколо PHY, тоді як SK hynix — про відведення тепла від конкретних внутрішніх гарячих зон. Доступні матеріали містять заяви виробників і описи технологій у розробці, тому два відсоткові показники не можна вважати безпосередньо порівнюваними результатами одного тесту.
Hybrid bonding — шлях за межі 16-шарових стеків, але не для HBM4E
Збільшення кількості звичайних шарів зрештою впирається в обмеження товщини. SK hynix повідомила, що досліджує hybrid bonding — гібридне з’єднання, яке може дозволити перейти до стеків понад 16 шарів, використовуючи товстіші кристали та менший крок між з’єднаннями. 1
3
Однак компанія не очікує готовності hybrid bonding для HBM4E. Найранішим потенційним орієнтиром називають HBM5, але й цей термін залишається очікуванням щодо розробки, а не підтвердженим графіком випуску продукту. 2
5
Це робить HBM5 можливим переломним етапом. HBM4E ще може нарощувати швидкість і місткість за допомогою наявних методів стекування та пакування, але майбутнім поколінням, імовірно, знадобляться нові технології з’єднання, охолодження й механічної стабілізації.
Головний висновок: наступне покоління HBM визначатиме не сама пропускна здатність
Презентація Samsung свідчить, що наступна конкурентна перевага може виникнути завдяки кастомізації та тіснішій інтеграції процесора з пам’яттю. Зразки HBM4E дають короткостроковий приріст швидкості, а cHBM і zHBM вказують на майбутнє, у якому пам’ять проєктуватимуть під конкретні прискорювачі, а згодом інтегруватимуть безпосередньо з обчислювальною логікою. 1
18
Послання SK hynix полягає в тому, що ці прирости продуктивності спочатку потребують розв’язання менш помітних фізичних проблем: деформації корпусу, термічного опору, щільності маршрутизації, висоти стеків і виробничого виходу придатних виробів. iHBM та дослідження hybrid bonding мають продовжити масштабування стекової пам’яті, не ігноруючи цих обмежень. 2
11
Для розробників AI-прискорювачів практичний висновок простий: дорожні карти HBM дедалі більше стосуються всього пакета, а не лише кристала DRAM. Samsung робить ставку на кастомізацію та 3D-інтеграцію, SK hynix — на інженерію пакування та виробничу дисципліну. Жоден із підходів поки не скасовує базовий компроміс між більшою пропускною здатністю, вищим тепловиділенням і складнішою інтеграцією.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
People also ask
What is the short answer to "Гонка AI-пам’яті переходить у сферу пакування: різні стратегії Samsung і SK hynix"?
Samsung уже постачає великим клієнтам зразки 12 шарової HBM4E зі стабільною швидкістю 14 Гбіт/с на контакт: це 3,6 ТБ/с і 48 ГБ на стек.
What are the key points to validate first?
Samsung уже постачає великим клієнтам зразки 12 шарової HBM4E зі стабільною швидкістю 14 Гбіт/с на контакт: це 3,6 ТБ/с і 48 ГБ на стек. Samsung рухається від стандартної HBM до кастомної cHBM, а згодом — до zHBM із вертикальним поєднанням логіки процесора та DRAM.
What should I do next in practice?
SK hynix досліджує hybrid bonding для стеків понад 16 шарів, але не очікує готовності цієї технології для HBM4E.