TSMC прискорює виробництво 3 нм та 2 нм: нові цілі, заводи та графік 1,4 нм

У 2026 році TSMC здійснює найбільше розширення виробничих потужностей за всю свою історію. Попит на чипи для штучного інтелекту з боку NVIDIA, AMD, Broadcom і Apple практично невичерпний – техпроцеси 3 нм та 2 нм повністю заброньовані до кінця 2026 року, а цільові показники запуску пластин значно перевищують початкові плани . Далі – детальний огляд ключових етапів, цілей та часових меж.

Виробництво 3 нм: 180 000 пластин на місяць – з випередженням графіка

• Нова ціль: 180 000 запусків пластин на місяць (WPM) – на 20% більше від початкового плану в 150 000 WPM .
• Прискорені терміни: Очікується, що TSMC досягне позначки 180 000 WPM вже на початку четвертого кварталу 2026 року, приблизно на 2–3 місяці раніше за попередні прогнози .
• Зростання до попереднього року: Це означає збільшення потужностей більш ніж на 40% порівняно з 2025 роком .
• Ключові клієнти: NVIDIA, AMD та Broadcom агресивно закріплюють замовлення разом з Apple . Аналітики Omdia підтверджують, що 2 нм і 3 нм техпроцеси TSMC „значною мірою заброньовані“ цими лідерами ШІ .
• Ціна пластини: Станом на початок 2026 року пластини 3 нм (N3/N3E) коштують приблизно $19 500, а термін виконання замовлень перевищує 50 тижнів .

Виробництво 2 нм: п'ять заводів та 70% CAGR

• Початок масового виробництва: Техпроцес 2 нм (N2) перейшов у масове виробництво в четвертому кварталі 2025 року, ознаменувавши перехід від транзисторів FinFET до нанолистів (GAA) .
• Ціль на кінець 2026 року: TSMC прагне досягти 100 000 WPM для 2 нм до кінця 2026 року .
• Прогнозоване зростання: Компанія очікує, що потужності 2 нм зростатимуть із сукупним річним темпом у 70% з 2026 по 2028 рік .
• Склад клієнтів: AMD планує виробництво процесорів на основі 2 нм починаючи з 2026 року; Google та AWS також прагнуть до раннього впровадження 2 нм . Очікується, що NVIDIA переведе замовлення на свої ШІ-прискорювачі на 2 нм у великих обсягах .
• Вихід придатних: Крива навчання виходу придатних для 2 нм є кращою, ніж у попередника (3 нм) на тому ж етапі .

Плани розширення заводів: Тайвань, Аризона, Японія

Тайвань (основна база):

• За даними джерел, у 2026 році на Тайвані на різних стадіях будівництва або запуску перебувають до 10 заводів у північних, центральних та південних наукових парках .
• Цього року одночасно запускаються п'ять заводів 2 нм: два в Сіньчжу (Fab 20) і три в Гаосюні (Fab 22) – це найагресивніше розгортання одного техпроцесу в історії TSMC .
• TSMC подвоїла свої історичні темпи будівництва: у 2025–2026 роках вона будує або переобладнає дев'ять фаз заводів на рік, тоді як середній історичний показник становив чотири фази .

Аризона, США:

• У липні 2026 року TSMC оголосила про додаткові $100 млрд інвестицій в Аризону, довівши загальний запланований обсяг до $265 млрд .
• Fab 1 (4 нм): Вже нарощує виробництво та приносить прибуток .
• Fab 2: Завезення обладнання заплановане на четвертий квартал 2026 року, а масове виробництво прискорено до другої половини 2027 року (раніше планувалося на 2028 рік) .
• Fab 3: Завезення обладнання заплановане на вересень 2027 року .
• TSMC придбала другу ділянку землі в Аризоні для створення незалежного „кластеру гігафабрик“ .

Японія (Кумамото):

• У лютому 2026 року TSMC оголосила про плани виробляти чипи за техпроцесом 3 нм у Кумамото з інвестиціями, за оцінками, приблизно $17 млрд .

Перспективи наступного покоління 1,4 нм (A14)

• Розташування заводу: Науковий парк Тайчжун (Центральний Тайвань).
• Статус будівництва: Випереджає графік. Очікується, що перший корпус (Фаза 1) буде завершено до квітня 2027 року .
• Пробне виробництво: Може розпочатися вже в третьому кварталі 2027 року .
• Ціль масового виробництва: Середина 2028 року (друга половина 2028) .
• Інвестиції: Оцінюються в $48,5–$49 млрд для об'єкта 1,4 нм .
• Технологія: Використовуватиме GAAFET другого покоління (NanoFlex Pro) з поточною EUV-літографією – TSMC повідомила ASML, що не буде впроваджувати High-NA EUV до 2029 року .
• Інтерес клієнтів: Високий інтерес з боку Apple, Qualcomm, NVIDIA, AMD та клієнтів у сфері ШІ/HPC; внутрішнє валідування A14 вже наближається до 90% від цільового показника .
• Довгострокова дорожня карта: Після A14 (1,4 нм) TSMC очікує, що A13 та A12 досягнуть масового виробництва у 2029 році .