Основні характеристики:
Пристрій офіційно показали під час демонстрації на FMS 2026 . Ще в липні 2026 року Kioxia і Sandisk почали передавати партнерам зразки BiCS10 1Tb TLC NAND — варіанта з трьома бітами на комірку та щільністю понад 29 Гбіт/мм² . Представлена на FMS QLC-версія зберігає 332-шарову основу, але використовує чотири біти на комірку, що дає змогу досягти ще більшої щільності.
Sandisk і SK hynix опублікували першу стандартну технічну специфікацію High Bandwidth Flash (HBF) через Open Compute Project (OCP) — проєкт, що розробляє відкриті стандарти для серверів і дата-центрів .
HBF задумана як проміжний рівень між HBM — дуже швидкою, але дорогою та обмеженою за місткістю пам’яттю біля процесора — і традиційними SSD, які пропонують значно більший обсяг, але працюють повільніше. Новий клас пам’яті орієнтований насамперед на задачі ШІ-інференсу, де великі моделі потребують більше пам’яті, ніж економічно доцільно встановлювати у вигляді HBM .
Заявлені параметри HBF:
HBF має заповнити розрив між швидкістю та місткістю пам’яті. За оцінкою Sandisk, така пам’ять може забезпечувати у 8–16 разів більшу місткість, ніж HBM, за близької вартості. У симуляції з моделлю Llama 3.1 на 405 млрд параметрів продуктивність під час читання попередньо навчених ваг була на відстані до 2,2% від умовної конфігурації HBM необмеженої місткості .
Це не означає, що HBF замінить HBM у всіх сценаріях. Її призначення — додати швидкий і місткий рівень пам’яті поруч із прискорювачем, коли повне масштабування HBM стає занадто дорогим або фізично складним.
Відкриту специфікацію вже опубліковано. Зразки пам’яті очікуються наприкінці 2026 року, а комерційні пристрої — на початку 2027-го .
На 5 серпня була запланована ключова доповідь «NAND: The Versatile & Scalable Foundation of the AI Era» — «NAND: універсальна та масштабована основа ери ШІ». Вона проходила в Mission City Ballroom у конференц-центрі Санта-Клари о 11:40 за тихоокеанським часом. Доповідь представляли директор із доходів Sandisk Джим Елліотт, директор із продуктів Хурам Ісмаїл і технічний директор Альпер Ілкбахар. У центрі уваги були оптимізація систем на рівні всієї інфраструктури та роль NAND у масштабуванні ШІ-інференсу .
У день відкриття, 4 серпня, керівники SK hynix Кім Чун-Сон і Кан Ук-Сон виступили з доповіддю «Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI». Вона стосувалася ієрархічних рішень для пам’яті та ефективнішої побудови інфраструктури ШІ .
6 серпня була запланована спільна панель «Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash» — «Подолання стіни пам’яті за допомогою High Bandwidth Flash». У ній мали взяти участь віцепрезидент Sandisk Раджив Нагбхірава, віцепрезидент SK hynix Лім Ий-Чхоль і старший інженер Google DeepMind Сяоюй Ма. Учасники обговорювали, як HBF може зменшити розрив між обчислювальною потужністю та доступною пам’яттю в задачах інференсу .
Примітка: назву панелі підтверджують матеріали Sandisk, SK hynix та інші офіційні повідомлення. Її повний опис найточніше звіряти з актуальною програмою FMS 2026, однак окрема сесія про «подолання стіни пам’яті» стабільно згадувалася в офіційному висвітленні .
BiCS10 QLC відповідає на питання, як зберігати більше даних у меншому фізичному просторі та з нижчим енергоспоживанням. Для дата-центрів це може означати щільніші SSD-системи для сховищ даних, навчальних наборів і містких рівнів хмарної інфраструктури.
HBF вирішує іншу проблему — так звану «стіну пам’яті», коли процесори та прискорювачі ШІ вже можуть виконувати більше операцій, ніж пам’ять встигає забезпечити даними. Рівень із великою місткістю та високою пропускною здатністю потенційно дасть змогу зменшити затримки інференсу й витрати без пропорційного збільшення обсягу дорогої HBM.
Важливе значення має і відкритий формат специфікації через OCP. За підтримки Google та Tenstorrent індустрія сигналізує про намір створити сумісну екосистему HBF, а не набір несумісних власних рішень . Водночас реальний вплив технології стане зрозумілим після появи зразків, готових прискорювачів і перших комерційних систем у 2026–2027 роках.