Вручення цієї нагороди — більше, ніж дипломатична церемонія. Райхманіс — піонерка напівпровідникового виробництва, яка пройшла школу Bell Labs. Її роботи заклали частину фундаменту для створення фоторезистивних матеріалів, які використовують для формування візерунків на кожному сучасному мікрочіпі. В ексклюзивному інтерв'ю South China Morning Post, опублікованому 30 липня 2026 року, вона рішуче виступила на захист міжнародної наукової співпраці — у час, коли технологічне суперництво між США та Китаєм, особливо в напівпровідниках, досягло безпрецедентного рівня .
Народилася 9 грудня 1953 року в Мельбурні, Австралія, Елза Райхманіс у дитинстві емігрувала до США і виросла в Сіракузах, штат Нью-Йорк . Вона здобула ступінь бакалавра хімії у 1972 році та доктора органічної хімії у 1975 році в Сіракузькому університеті .
Її кар'єра простежує історію сучасних напівпровідникових досліджень:
Райхманіс має рідкісне визнання членства у трьох провідних академіях США: Національній інженерній академії, Національній академії винахідників та Американській академії мистецтв і наук . Вона також була президенткою Американського хімічного товариства у 2003 році та є членкинею AIChE .
Райхманіс є міжнародно визнаною за відкриття, розробку та інженерне лідерство у створенні нових сімейств літографічних матеріалів — світлочутливих полімерів, відомих як фоторезисти, які використовуються для нанесення схем на кремнієві пластини . Її робота в Bell Labs призвела до ключових проривів у матеріалах для глибокого ультрафіолетового (DUV) фоторезисту, які дали змогу мініатюризувати напівпровідникові пристрої .
За даними китайських джерел, які висвітлювали вручення нагороди, вона «започаткувала дизайн перших промислових глибокоультрафіолетових фоторезистів, заклавши основу для технології літографії надвеликих інтегральних схем, і розробила перший гнучкий напівпровідниковий транзистор» . Її доробок налічує приблизно 40 патентів і безпосередньо вплинув на масове виробництво мікрочіпів .
Сьогодні її дослідження в Лехаї зосереджені на еластичних полімерних напівпровідниках для електроніки наступного покоління .
Райхманіс очолює Міжнародний консультативний комітет Державної ключової лабораторії передових волокнистих матеріалів при Дунхуаському університеті в Шанхаї, а також є редакційною радницею журналу Advanced Fiber Materials . Її багаторічна співпраця з китайськими дослідницькими командами стала ключовим фактором для отримання нагороди, яку оголосили разом із Премією першого ступеня за прогрес у науці та техніці, яку Дунхуаський університет отримав за проєкт з поліефірних волокон . У 2024 році вона вже отримала Шанхайську премію за міжнародне науково-технологічне співробітництво .
Нагорода Райхманіс припала на час глибокої напруги між США та Китаєм щодо напівпровідникових технологій, експортного контролю та наукового обміну. В інтерв'ю South China Morning Post вона не применшувала значення проблеми:
Її позиція є особливо значущою, оскільки її сфера — напівпровідникові матеріали — перебуває в епіцентрі технологічної конкуренції США та Китаю. Ті самі літографічні матеріали, які вона створила, є важливими для виробництва мікросхем — галузі, де США та Китай дедалі гостріше стикаються через ланцюги постачання, експортний контроль та передачу технологій.
Премія КНР за міжнародне науково-технологічне співробітництво є однією з найвищих китайських нагород для іноземних експертів. До когорти лауреатів 2025 року увійшли дев'ятеро вчених із Росії, Бельгії, Португалії, Франції та інших країн, які працюють у галузях від штучного інтелекту до морської інженерії . Райхманіс стала єдиною американською лауреаткою .
Для Райхманіс ця нагорода — це не лише визнання минулих досягнень, а й заява про майбутнє науки. Як вона сказала SCMP, фундаментальні питання, які ставлять дослідники — і відповіді, які вони знаходять, — не визнають державних кордонів . В епоху технологічного роз'єднання та експортних обмежень це послання має вагу, яка виходить далеко за межі хімічної лабораторії.