Intel готує 1,4-нм 14A2: живлення чипа з двох боків і новий раунд гонки з TSMC

Гонка за технологічні вузли класу 1,4 нм переходить у нову фазу. Intel, за повідомленнями галузевих джерел, розглядає для майбутнього варіанта 14A2 незвичну архітектуру: живлення кристала надходитиме не лише з тильного, а й із фронтального боку одночасно ^M.

Це може стати відповіддю на тиск із боку TSMC A14 та розробок Samsung класу 1,4 нм. Головна мета Intel — отримати вищу щільність транзисторів, ніж здатен забезпечити базовий 14A ^M. Водночас ідеться саме про повідомлення щодо технології, яку компанія розглядає, а не про остаточно підтверджену специфікацію 14A2.

Що змінює 14A2

Базовий процес Intel 14A використовує фірмову технологію PowerDirect — мережу живлення із заднього боку пластини (BSPDN). Такий підхід відокремлює силові з'єднання від фронтальних металевих шарів, де прокладаються сигнальні лінії ^ME.

Для 14A2 Intel, за наявними даними, може перейти до Dual-Side Power Delivery — схеми, у якій живлення розподіляється і через задню, і через передню поверхні чипа ^M. Передбачається, що це дасть змогу використовувати щільніші металеві з'єднання та розмістити більше транзисторів на тій самій площі.

Ключова зміна стосується найнижчого металевого шару M0:

• у базового 14A його крок становить 28 нм;
• для 14A2 цільовим показником називають приблизно 21 нм ^M.

Зменшення кроку пов'язують, зокрема, з удосконаленнями подвійного формування рисунка (double patterning), які може зробити можливою двостороння схема живлення ^M. Intel заявляє, що базовий 14A здатен забезпечити до 30% вищу щільність чипа порівняно з Intel 18A ^E. Однак окремого офіційного показника приросту щільності саме для 14A2 у наданих джерелах немає, тому точний результат поки залишається невідомим ^ME.

Чому Intel потрібна така архітектура

Причина — загострення конкуренції у найпередовіших виробничих процесах. Intel намагається відрізнити 14A від TSMC A14 та Samsung SF1.4, зробивши ставку не лише на нові транзистори й літографію, а й на щільність компонування ^M.

Втім, двостороннє живлення не є безплатним технологічним покращенням. Надзвичайно малий крок у 21 нм може збільшити електричний опір, а наявні нанокремнієві наскрізні переходи (nTSV) можуть виявитися недостатніми для роботи з таким щільним навантаженням ^M.

За повідомленнями, Intel розглядає композитну структуру: задня мережа живлення залишатиметься основною, але частина струму розподілятиметься через фронтальні металеві шари. Це має допомогти стабілізувати роботу схеми, хоча остаточні технічні параметри не оприлюднені ^M.

Графік Intel 14A

Оновлений план генерального директора Intel Ліп-Бу Тана передбачає такі етапи:

Етап	Термін	Що це означає
PDK 0.5	Початок 2026 року	Ранні інструменти та дані для проєктування вже передані клієнтам EWD
PDK 0.9	Жовтень 2026 року	Заплановане зовнішнє поширення більш зрілого комплекту для розробників EWD
Зобов'язання клієнтів	Друга половина 2026 — перша половина 2027 року	Період, у який Intel очікує конкретних рішень замовників B
Пробне виробництво (risk production)	2028 рік	Перевірка технології на виробничому рівні EGBWS
Масове виробництво (HVM)	2029 рік	Запуск великосерійного випуску EGBWS

Тан назвав PDK 0.9 «Святим Граалем» процесу 14A, підкресливши його значення для залучення клієнтів ^W. Оновлений графік приблизно на рік пізніший за попередні орієнтири, які передбачали початок пробного виробництва у 2027 році ^S.

Для контексту: PDK (Process Design Kit) — це набір моделей, правил проєктування та програмних інструментів, потрібних виробникам мікросхем для створення чипів під конкретний технологічний процес.

Intel проти TSMC і Samsung

Компанія	Технологічний вузол класу 1,4 нм	Пробне виробництво	Масове виробництво
Intel	14A / повідомлений варіант 14A2	2028	2029
TSMC	A14	Не вказано в наданих джерелах	2028 BBT
Samsung	SF1.4	Не підтверджено в наданих джерелах	Не підтверджено в наданих джерелах

TSMC планує розпочати виробництво A14 у 2028 році, що підтверджують Bloomberg та інші повідомлення ^BBT. Важлива деталь: перша версія A14 не матиме тильної мережі живлення. Варіант із задніми силовими рейками, який називають A14P, очікується у 2029 році ^T.

Отже, за оприлюдненими орієнтирами, масове виробництво Intel 14A у 2029 році відстає від TSMC A14 приблизно на один рік. Водночас Тан заявляв, що за позиціонуванням у класі 1,4 нм і загальним часовим вікном 14A має бути близьким до A14 ^W. Для Samsung SF1.4 поточний підтверджений календар у наданих матеріалах відсутній ^M.

Що буде після 14A

Intel уже дивиться далі за межі 14A. Ліп-Бу Тан підтвердив початок ранньої розробки двох наступних технологічних вузлів ^G:

• 10A — процес класу 1 нм;
• 7A — процес субнанометрового класу.

Про це Тан розповів під час 54-ї щорічної конференції J.P. Morgan Global Technology, Media and Communications у Бостоні ^G. Таким чином, Intel формує багатопоколіннєву дорожню карту епохи ангстремних технологій — від 14A до 10A і далі до 7A.

Висновок

Базовий Intel 14A поєднує транзистори RibbonFET 2 із живленням PowerDirect із заднього боку та, за заявами компанії, має забезпечити до 30% приросту щільності чипа проти 18A ^E. Варіант 14A2 може піти ще далі, використавши живлення з двох боків і металевий крок M0 близько 21 нм ^M.

Найближчий важливий рубіж — зовнішній реліз PDK 0.9 у жовтні 2026 року. Далі Intel орієнтується на пробне виробництво у 2028-му та масовий випуск у 2029-му ^EGBWS. Це пізніше за заявлений TSMC запуск A14 у 2028 році, але Intel паралельно готує наступні вузли 10A і 7A ^G.