Такий підхід дає змогу швидше використати вже наявну інфраструктуру, ніж будувати повністю нові лінії з нуля. Водночас значна частина робіт полягає в переобладнанні приміщень і встановленні нового обладнання, тому додатковий випуск не з’явиться миттєво.
Ще один напрям — прискорене впровадження 6-го покоління DRAM класу 10 нм, відомого як 1c. Samsung планує довести його виробничі потужності до 200 000 пластин на місяць до кінця 2026 року. Це приблизно третина всього випуску DRAM компанії .
Для порівняння: до кінця 2025 року ціль становила 60 000 пластин на місяць, після чого Samsung планувала додати ще 80 000 у другому кварталі 2026-го та 60 000 — у четвертому .
Коефіцієнт виходу придатних чипів для 1c DRAM уже зріс приблизно до 70%. Компанія розраховує підняти його до 80–90%, що дозволить збільшити реальний випуск без пропорційного розширення площ .
Samsung також оновлює чисту кімнату, якій близько 20 років. Мета — отримати додаткову продуктивність від уже існуючої інфраструктури, не очікуючи завершення будівництва нових фабрик .
Дефіцит пов’язаний із перерозподілом виробничих ресурсів на користь пам’яті для систем штучного інтелекту. Дата-центри потребують великих обсягів HBM і високопродуктивної DRAM, а виробничі потужності для цих компонентів конкурують із випуском стандартних чипів для смартфонів, ноутбуків і серверів.
У першому кварталі 2026 року ціни на DRAM фактично подвоїлися. За прогнозом TrendForce, у другому кварталі вони могли зрости ще більш ніж на 50% . У травні еталонний чип DDR4 8 Гб подорожчав до рекордних 20 доларів за одиницю — на 25% більше, ніж місяцем раніше .
Для виробників електроніки це означає дорожчі компоненти та тиск на маржу. Samsung раніше попереджала, що дефіцит пам’яті може спричинити підвищення цін у всій індустрії .
Apple також відчула наслідки кризи. За повідомленнями ЗМІ, компанія платить Samsung приблизно вдвічі більше за чипи LPDDR5X, необхідні для виробництва iPhone 17 . Для поставок пам’яті на перший квартал 2026 року Samsung і SK Hynix погоджували підвищення цін на LPDDR приблизно на 80–100% .
Генеральний директор Apple Тім Кук визнавав, що подорожчання пам’яті матиме вплив на продуктовий портфель компанії та може призвести до неминучого підвищення цін .
На цьому тлі Apple, за повідомленнями Bloomberg і Reuters, звернулася до адміністрації Дональда Трампа по дозвіл купувати DRAM у китайської ChangXin Memory Technologies (CXMT) — компанії, що перебуває в американському переліку китайських структур, пов’язаних із військовими, — а також у Yangtze Memory Technologies .
Переговори ще не означають укладення остаточних контрактів. Водночас Apple, як повідомляється, уже тестує чипи CXMT для пристроїв, призначених для продажу в Китаї . Аналітик Мін-Чі Куо вважає, що цей крок пов’язаний передусім не з бажанням знизити закупівельні ціни, а зі спробою гарантувати доступ до пам’яті в умовах погіршення дефіциту. За його оцінкою, розрив між попитом і пропозицією пам’яті продовжить зростати до 2027 року .
Samsung паралельно прискорює будівництво комплексу P5 у Pyeongtaek. Початок робіт зі зведення P5 Fab 2 перенесли з початку 2027 року на липень 2026-го, тобто приблизно на шість місяців раніше .
P5 складатиметься з двох фабрик. Кожна матиме потенційну потужність близько 300 000 12-дюймових пластин на місяць, а разом вони зможуть обробляти приблизно 600 000 пластин щомісяця. Це співмірно з усією нинішньою потужністю Samsung у сегменті DRAM .
Загальний обсяг інвестицій у P5 оцінюють приблизно в 120 трлн корейських вон, або близько 82,7 млрд доларів . Встановлення обладнання в P5 Fab 1 заплановане на середину 2027 року, а Fab 2 має вийти на виробничий етап у 2029-му .
У липні 2026 року Samsung також оголосила про плани побудувати новий завод DRAM на майданчику Giheung. Проєкт має допомогти задовольнити попит, який формують ШІ-системи та дата-центри .
Розширення Samsung у США, зокрема передові виробничі лінії S5/S6 у Taylor, Texas, належить переважно до напряму foundry — контрактного виробництва логічних чипів. Ці потужності не є прямим способом збільшити випуск стандартної DRAM, хоча входять до ширшої стратегії Samsung із розбудови напівпровідникової інфраструктури .
Іншими словами, компанія одночасно інвестує в пам’ять і логічні чипи, але ці проєкти відповідають на різні частини глобального дефіциту напівпровідників.
Швидке розширення Samsung не гарантує швидкого здешевлення пам’яті. IDC називає ситуацію безпрецедентним дефіцитом чипів пам’яті та очікує, що його наслідки для виробників пристроїв можуть зберігатися далеко за межами 2027 року .
Окремий аналіз Kearney PERLab допускає, що дефіцит триватиме щонайменше до 2030 року, оскільки попит дата-центрів на HBM і DRAM продовжує відтягувати виробничі ресурси від стандартної пам’яті .
Головна проблема — часовий лаг. У найближчій перспективі Samsung витрачає значну частину коштів на конвертацію наявних ліній, підвищення виходу придатних чипів і розширення чистих приміщень, а не на миттєве збільшення кількості готових пластин . Тому додаткові 15% потужності можуть послабити тиск, але навряд чи швидко розв’яжуть глобальну проблему пропозиції.