Samsung робить ставку на вихід придатних чипів, а не на кількість пластин у гонці HBM4

Samsung не відповідає на дефіцит пам’яті для систем штучного інтелекту простим нарощуванням кількості запусків пластин. Замість цього компанія, за повідомленнями, робить ставку на перехід до DRAM шостого покоління 1c, підвищення виходу придатної продукції та продуктивності виробництва.

На папері такий план виглядає стримано. Однак економічна логіка полягає в тому, щоб спочатку перетворити вже наявні фабрики на ефективніше виробництво щільнішої та дорожчої пам’яті, а вже потім ухвалювати рішення про масштабне розширення.

Після 2026 року зростання потужностей Samsung майже зупиняється

За прогнозами на основі даних дослідницької компанії Omdia, які наводить ChosunBiz, річні DRAM-потужності Samsung становитимуть приблизно 7,695 млн пластин у 2025 році, 8,175 млн у 2026-му та 8,28 млн у 2027-му. Це означає зростання приблизно на 6% у 2026 році, але лише на 1,3% у 2027-му. 2

Йдеться саме про потужність у перерахунку на пластини, а не про кількість готових HBM-модулів чи обсяг пам’яті в бітах, який Samsung зможе продати. Тому просте порівняння запусків пластин не показує всього ефекту переходу на новий техпроцес. Мета полягає в тому, щоб отримувати більше придатних бітів і більше сертифікованої преміальної продукції з кожної якісної пластини.

Samsung водночас не відмовляється від розширення повністю. Галузеві повідомлення описували переобладнання виробничих ліній та встановлення обладнання для збільшення випуску DRAM 1c. Окремо повідомлялося, що компанія планує суттєво наростити виробництво HBM у 2026 році. 35

Чому вихід придатної продукції важливіший за кількість пластин

У виробництві HBM4 послідовно проходять кілька етапів, кожен із власним рівнем браку. Спочатку потрібно успішно виготовити DRAM-кристали, потім обробити їх із використанням наскрізних кремнієвих переходів (TSV), зібрати у багатошарову структуру, з’єднати та протестувати вже готовий стек. Збій на будь-якому етапі зменшує кількість товарної продукції, отриманої з початкової пластини. 22

Тому запуск великої кількості пластин у нестабільний процес може виявитися дорогим. Він збільшує обсяг незавершеного виробництва та кількість браку, але не обов’язково дає пропорційно більше готової HBM.

Перехід на 1c DRAM додає ще один рівень складності. Samsung переводить виробництво на новий техпроцес, призначений, зокрема, для HBM4. Водночас галузеві оцінки розділяють вихід придатних кристалів самої 1c DRAM і ефективний вихід повністю зібраного HBM4. Високий показник на етапі виготовлення DRAM не означає автоматично, що багатошаровий HBM-продукт уже готовий до прибуткового масового виробництва. 28

Прогрес Samsung із виходом HBM4 добре показує, чому стабільність процесу є центральною для цієї стратегії. За даними галузевих публікацій, на початку масового виробництва в лютому 2026 року вихід був нижчим за 60%, а до серпня наблизився до 80%. 1721 Це оцінки, поширені в індустрії, а не повна звітність про виробництво, оприлюднена самою компанією. Проте вони пояснюють, чому підвищення виходу може бути ціннішим за негайне збільшення номінальної потужності.

Samsung усе ще має більші потужності, але SK hynix скорочує відставання

За тими самими прогнозами Omdia, річна DRAM-потужність SK hynix становитиме 6,06 млн пластин у 2025 році, 6,66 млн у 2026-му та 7,29 млн у 2027-му. 2

Отже, перевага Samsung у цьому показнику буде приблизно такою:

• 1,635 млн пластин у 2025 році;
• 1,515 млн пластин у 2026 році;
• 990 тис. пластин у 2027 році.

Таким чином, розрив поступово скорочується протягом усього періоду. Він не зменшується одразу з 1,64 млн до 990 тис. пластин уже у 2026 році. Samsung залишається більшою компанією за номінальною DRAM-потужністю, тоді як SK hynix, за прогнозами, розширюється швидше.

Конкурентна боротьба, однак, визначається не лише кількістю пластин. Для постачання HBM важливі також проходження кваліфікації, надійність пакування та здатність стабільно виконувати замовлення клієнтів. У галузевих повідомленнях SK hynix називали провідним постачальником HBM для великих клієнтів у сфері ШІ, тоді як Samsung намагається посилити позиції на ринку HBM4. 1324

Це дає SK hynix перевагу, якщо замовники передусім шукають доступні та вже сертифіковані обсяги. Відповідь Samsung полягає в тому, що кращі показники 1c і HBM4 можуть дозволити компанії виробляти більше придатної до продажу пам’яті на порівняно стабільній виробничій базі.

Що Samsung може виграти завдяки такому підходу

Більший випуск із наявних фабрик

Якщо Samsung підвищить кількість придатних кристалів 1c на одну пластину та одночасно покращить вихід готового стека HBM4, фактичний випуск може зростати швидше, ніж кількість запусків пластин. Це зменшить собівартість одного біта й дасть змогу ефективніше використовувати вже встановлені виробничі потужності.

Менший ризик надлишку звичайної DRAM

Контрольоване розширення також знижує ризик, що компанія додасть забагато стандартної DRAM на піку циклу. Вибіркове переобладнання ліній під щільніші та дорожчі продукти зберігає гнучкість на випадок зміни попиту або цін.

Шанс повернутися до преміального сегмента пам’яті для ШІ

HBM4 має стратегічне значення, оскільки є одним із ключових компонентів ланцюгів постачання прискорювачів штучного інтелекту. Повідомлення про зростання виходу HBM4 із рівня нижче 60% на старті виробництва до приблизно 80% пізніше у 2026 році свідчать, що накопичення технологічного досвіду може посилити позиції Samsung у преміальному сегменті. 17

У такому разі йтиметься не просто про збільшення потужностей, а про перехід від лідерства за номінальною кількістю пластин до стабільного випуску сертифікованої HBM.

Ризики: очікування на покращення процесу може коштувати Samsung часу

У цієї стратегії дуже вузький запас помилки. Якщо вихід 1c, складання HBM або сертифікація клієнтами покращуватимуться повільніше, ніж очікується, Samsung втратить час, поки SK hynix продовжуватиме нарощувати потужності. Компанії також доведеться балансувати між постачанням звичайної DRAM та виділенням ресурсів на HBM і серверну пам’ять.

Переобладнання ліній створює короткострокову ціну: обладнання та виробничі зони потрібно адаптувати до нового процесу. Через це доступний випуск може тимчасово скоротитися, навіть якщо довгострокова мета полягає у збільшенні щільності бітів і продуктивності.

Є й ризик невдалого ринкового моменту. Попит на системи ШІ може залишатися високим у період, коли Samsung ще стабілізує виробництво. Тоді SK hynix зможе використати швидше розширення та вже налагоджене виробництво HBM, щоб отримати контракти, повернути які буде непросто.

Чому дефіцит поширюється за межі HBM

Бум штучного інтелекту впливає і на звичайну DRAM, оскільки виробники перенаправляють виробничі потужності пластин, обладнання, ресурси пакування та інженерні команди на HBM і серверні продукти. Галузеві публікації пов’язували такий перерозподіл із різким зростанням цін на звичайну DRAM. 37

TrendForce прогнозувала, що контрактні ціни на звичайну DRAM у II кварталі 2026 року зростуть на 58–63% у квартальному вимірі після очікуваного підвищення на 90–95% у I кварталі. 46 Це ринкові прогнози, а не гарантований результат, але вони показують, як дефіцит, зосереджений навколо інфраструктури ШІ, поширюється на ПК, сервери та інші системи, які безпосередньо не використовують HBM.

Отже, проблему не можна вирішити одним оголошенням про нові потужності. Нові лінії потрібно оснастити, переобладнати, сертифікувати та вивести на прийнятний рівень виходу придатної продукції. Поки цього не сталося, перенесення виробництва на пам’ять для ШІ може означати меншу пропозицію звичайних продуктів.

Що це означає для покупців обладнання для ШІ

Пам’ять стала системним фактором вартості та доступності інфраструктури ШІ. Tom’s Hardware із посиланням на Bloomberg і оцінки аналітиків повідомляв, що Nvidia попередила деяких великих клієнтів: системи Grace Blackwell і Vera Rubin, які постачатимуться на початку 2027 року, можуть подорожчати більш ніж на 15%. Однією з головних причин називали зростання вартості пам’яті. 32

Вищі ціни на пам’ять збільшують капітальні витрати хмарних провайдерів і можуть зробити розгортання систем ШІ дорожчим для менших замовників. Точний вплив на кінцеву ціну залежатиме від конфігурації системи та контрактів із постачальниками, але загальний напрям очевидний: доступність пам’яті дедалі сильніше визначає економіку обчислень для ШІ, а не є лише проблемою окремого компонента.

Висновок: Samsung обмінює кількість на якість

Стримане зростання DRAM-потужностей Samsung найкраще розглядати як стратегію підвищення виходу придатної продукції та зміни продуктового асортименту, а не як ознаку ослаблення попиту. Компанія розраховує, що щільніша DRAM 1c і кращий вихід HBM4 дадуть змогу отримувати більше цінної продукції з кожної пластини.

Це економічно виправдана ставка, особливо якщо вихід HBM4 продовжить зростати. Але водночас вона пов’язана з високим ризиком виконання. Samsung потрібно перетворити технологічні покращення на стабільні сертифіковані поставки, тоді як SK hynix розширюється швидше, а ринок загалом відчуває дефіцит пам’яті.

Тому стежити варто не лише за кількістю пластин Samsung. Ключовими показниками є кількість придатних кристалів на пластину, вихід готового стека HBM4, обсяг продукції, сертифікований клієнтами, і фактично поставлені біти. Якщо вони зростатимуть швидше за номінальні потужності, нинішня стриманість Samsung може перетворитися на конкурентну перевагу. Якщо ні, перевага за кількістю пластин матиме менше значення, ніж швидший виробничий розгін SK hynix.