Як Micron планує подвоїти випуск HBM у 2026 році

Micron має намір суттєво збільшити випуск пам’яті з високою пропускною здатністю — HBM (High Bandwidth Memory) — не чекаючи на запуск абсолютно нового заводу. Найближча ставка — переналаштування наявних виробничих і пакувальних ресурсів та інвестиції в обладнання, передусім для 12-шарової HBM4. Паралельно проєкти на Тайвані, у Сінгапурі та Японії формують ширшу базу для виробництва пластин і передового пакування в наступні роки.

За повідомленнями галузевих джерел, до кінця 2026 року Micron орієнтується приблизно на 100 000 вхідних HBM-пластин на місяць. Це більш ніж удвічі перевищує оцінюваний рівень 2025 року — близько 40–50 тис. пластин на місяць. Важливе уточнення: йдеться саме про потужність за вхідними пластинами, а не про кількість готових HBM-стеків. Фактичний обсяг поставок залежатиме від виходу придатної продукції, вертикального складання кристалів і пропускної здатності пакування. 7

Головний важіль: 12-шарова HBM4

Ключовим продуктом для Micron є 36-гігабайтна HBM4 із 12 кристалами в стеці. Компанія повідомила, що почала її масові поставки в першому кварталі 2026 календарного року; продукт розроблено для платформи Nvidia Vera Rubin. Заявлена пропускна здатність перевищує 2,8 ТБ/с, а енергоефективність більш ніж на 20% краща, ніж у HBM3E від Micron. 9

HBM — це не звичайна DRAM, яку достатньо випускати у більшому обсязі. Вона потребує передових DRAM-кристалів, міжз’єднань через кремнієвий кристал (TSV), вертикального складання та складного пакування. Крім того, пам’ять має пройти кваліфікацію для конкретної платформи ШІ-прискорювача. Тому більше стартів пластин дає результат лише тоді, коли пакування й тестування також масштабуються без критичних втрат виходу придатної продукції.

Micron також відправила замовникам зразки 48-гігабайтної 16-шарової HBM4. Це показує шлях до більшої місткості одного HBM-стека. Однак зразки — не те саме, що широкий серійний випуск: у повідомленні Micron масовим продуктом названо саме 36-гігабайтний 12-шаровий пристрій. 9

Що означають 100 тисяч пластин — і чого цей показник не гарантує

Заявлена ціль є агресивним нарощуванням інвестицій у обладнання та перерозподілом наявних ресурсів. Вона не означає, що весь додатковий обсяг відразу стане доступним покупцям. Вирішальними будуть три чинники:

• Вихід придатної HBM4. Більша кількість стартів пластин не перетворюється автоматично на таку саму кількість кваліфікованих стеків.
• Пропускна здатність передового пакування. Кристали потрібно вертикально зібрати та протестувати у великих масштабах.
• Кваліфікація і розподіл між клієнтами. Пам’ять постачальника має бути схвалена для певної платформи прискорювачів, аби виробнича потужність перетворилася на комерційні поставки.

Повідомлялося, що весь HBM-випуск Micron на 2026 рік уже розпроданий, а частину потужностей 2027 року законтрактовано. Водночас публічна інформація щодо тверджень про повне бронювання 2027 року або підтверджені замовлення на 2028-й менш однозначна. Тож такі далекострокові оцінки варто вважати менш певними, ніж повідомлений розпродаж потужностей на 2026 рік. 611

Тайвань, Сінгапур і Японія: фундамент для наступного етапу

Нарощування HBM у 2026 році — це короткострокова частина плану. Нові фізичні виробничі майданчики мають іншу роль: створити більшу та стійкішу базу постачання після нинішнього вузького місця.

Тайвань: швидший шлях до додаткового виробництва DRAM

У березні 2026 року Micron завершила придбання майданчика Tongluo P5 компанії PSMC у повіті Мяолі на Тайвані. Це додає компанії виробничу локацію; старт виробництва пластин очікується у 2027 році. 5419

Для HBM додаткова DRAM-потужність важлива стратегічно, адже стеки HBM споживають значні обсяги передових DRAM-кристалів. Тому Tongluo слід радше розглядати як майбутній чинник пропозиції, а не як головне пояснення цілі на кінець 2026 року.

Сінгапур: пакування не менш важливе, ніж пластини

Новий сінгапурський завод Micron із передового пакування HBM передбачає інвестиції приблизно на 7 млрд доларів США. Початок роботи планували на 2026 рік, а відчутне розширення сукупних потужностей Micron із передового пакування очікується у 2027 календарному році. 57

Це критично для HBM: пакування є одним із головних обмежень, тож сінгапурський проєкт має допомогти перетворювати DRAM-кристали на зібрані й кваліфіковані продукти HBM.

Окремо Micron будує в Сінгапурі сучасну фабрику пластин із плановими інвестиціями 24 млрд доларів США протягом 10 років і чистими приміщеннями площею до 700 тис. квадратних футів. Вона розташована на чинному NAND-комплексі Micron, а випуск пластин запланований на другу половину 2028 року. Цей об’єкт зміцнює довгострокову виробничу присутність компанії, але не належить зараховувати до найближчих HBM-потужностей. 51

Японія: потужності для горизонту після 2026 року

У Хіросімі Micron розпочала розширення вартістю ¥1,5 трлн, або приблизно 9,3 млрд доларів США. Підприємство має випускати передову пам’ять, зокрема продукти, релевантні для HBM; постачання та встановлення виробничого обладнання заплановано на другу половину 2028 року. 25

Як і нова сінгапурська фабрика пластин, хіросімський проєкт є довгостроковою інвестицією, а не джерелом обсягу для розгону HBM4 у 2026 році.

Позиції Micron щодо SK hynix і Samsung

Micron переходить від ролі меншого учасника HBM-ринку до більш значущого третього постачальника, особливо для ШІ-прискорювачів нового покоління. Проте самі лише плани з потужностей не роблять її лідером ринку.

За оцінкою TrendForce, на початку 2026 року лідерство утримувала SK hynix; Samsung відновлювалася завдяки HBM3E та HBM4, а Micron активно розширювалася. 40 Новіші оприлюднені дані щодо частки виручки за другий квартал показують 50% у SK hynix і 33% у Samsung, що вказує на різке посилення Samsung. 35

Точні частки можуть відрізнятися залежно від джерела, кварталу та методу підрахунку: виручка, біти й вхідні пластини — не взаємозамінні показники. Але загальна картина зрозуміла: SK hynix зберігає перевагу в масштабі та досвіді, Samsung швидко відновлює темп у HBM4, а Micron намагається закріпити більшу роль завдяки кваліфікованому продукту та різкому нарощуванню потужностей.

Висновок

Повідомлена ціль Micron — 100 тис. HBM-пластин на місяць — спирається насамперед на прискорення чинного виробництва й пакування для 12-шарової HBM4, а не на введення в дію нових фабрик у 2026 році. Масові поставки HBM4 для Nvidia Vera Rubin створюють продуктову й платформну основу, тоді як активи на Тайвані, у Сінгапурі та Японії мають зробити це зростання стійкішим із 2027 року. 7951

Якщо Micron зможе підтримати вихід придатної продукції та темп передового пакування, вона скоротить відставання за масштабом і стане важливішим альтернативним постачальником пам’яті для ШІ. Водночас це саме по собі не зніме дефіцит HBM і не позбавить SK hynix лідерства — тим більше, що Samsung також активно нарощує свою присутність у HBM4.