Китай наздоганяє Південну Корею у виробництві пам’яті. Чому головний іспит для CXMT — не LPDDR6, а HBM

CXMT дедалі швидше виводить на ринок нові типи оперативної пам’яті. Але для високошвидкісної багатошарової пам’яті HBM питання не лише в тому, чи можна виготовити зразок. Важливо, скільки повністю зібраних чипів проходять перевірку і чи можна стабільно виробляти їх у комерційних обсягах. 51

Що означає відставання на один, два чи три роки

Корейська асоціація напівпровідникової промисловості оцінює технологічне відставання Китаю від Південної Кореї приблизно у три роки для HBM, два — для DRAM і один — для флешпам’яті NAND. У випадку NAND йдеться передусім про YMTC, а для DRAM і HBM — про CXMT. Це приблизна оцінка рівня технологій, а не твердження, що виробники вже мають однакові обсяги випуску, вихід придатних чипів або собівартість. 52

Чого досягла CXMT у звичайній DRAM

Після DDR5 CXMT перейшла до серійного випуску LPDDR5X і заявляє, що LPDDR6 також надійшла в масове виробництво. Компанія оголосила й про масове виробництво DRAM на платформі G5, зокрема 24-гігабітних продуктів LPDDR5X. Це свідчить про скорочення розриву за доступністю продуктів. Проте CXMT не розкрила ні виходу придатних чипів G5, ні місячних обсягів випуску. Тому самі анонси не доводять виробничої рівності із Samsung Electronics або SK hynix. 20342726

Чому HBM складніше виготовляти стабільно

HBM складається з кількох кристалів DRAM, що мають працювати разом в одному стосі. Вертикальні з’єднання крізь кремній — TSV — забезпечують зв’язок між шарами. Їх потрібно сформувати, а кристали точно скласти, вирівняти й з’єднати. Кожен із цих етапів створює додаткові можливості для дефектів порівняно з виробництвом окремого кристала DRAM. 119

За повідомленнями, вихід придатних HBM на ранньому дослідному етапі CXMT становить близько 25%. Південнокорейське видання наводить приблизно 80% як орієнтир для масового виробництва. Але 25% — не оприлюднений CXMT виробничий показник, а 80% — не універсальна межа для всіх продуктів HBM. Окремо аналітики SemiAnalysis змоделювали загальний вихід на рівні близько 25% на основі власних припущень щодо різних етапів виробництва. Джерела також по-різному називають дослідний продукт: HBM3 або HBM3E. 1337

Чи допоможе технологія YMTC

Згідно з повідомленням, CXMT планує застосувати напрацювання YMTC у технології XStacking — гібридному з’єднанні міді з міддю — до кристалів DRAM, виготовлених за техпроцесом G4. Це може стосуватися важливої частини роботи зі стосом. Утім, повідомлення про план не означає, що технологію вже перенесли у виробництво, перевірили й довели її вплив на вихід готових HBM. Вона також сама собою не розв’язує проблему формування TSV та інших можливих втрат під час складання стосу. 101

Наступна перевірка для CXMT — стабільний вихід придатних, повністю зібраних і протестованих HBM у комерційних обсягах. Успіхи з LPDDR показують поступ у DRAM, але повідомлення про дослідне виробництво HBM нагадують: випустити пам’ять певного покоління і навчитися виготовляти її конкурентно — не одне й те саме. 27133