Samsung, yapay zekâ belleğinde dikey mimariye ve uzun vadeli sözleşmelere yöneliyor

Geleneksel NAND yaklaşımından farklı olarak V10 BV-NAND’de bellek hücreleri ile çevresel devreler ayrı üretiliyor ve daha sonra wafer bonding adı verilen wafer birleştirme yöntemiyle dikey olarak bir araya getiriliyor . Samsung ayrıca üçlü istifleme yaklaşımından yararlanıyor .

Şirkete göre bu mimari, önceki V9 nesline kıyasla bellek yoğunluğunu yaklaşık yüzde 58 artırıyor . Tasarımın okuma, yazma ve giriş-çıkış performansını iyileştirmesi, aynı zamanda güç tüketimini azaltması bekleniyor . Bu duyuru, Samsung’un V-NAND teknolojisini ilk kez tanıttığı 2013’ten 13 yıl sonra geldi .

zHBM: Bellek, yapay zekâ hızlandırıcısının üzerine çıkıyor

Samsung’un en dikkat çekici gösterimi ise zHBM oldu. Günümüzde HBM yongaları genellikle yapay zekâ hızlandırıcısının yanında, bir silikon aracı katmanı üzerinde konumlandırılıyor. zHBM ise HBM’i hızlandırıcının doğrudan üzerine dikey biçimde yerleştirmeyi amaçlıyor .

Bu yaklaşım, işlemci ile bellek arasındaki veri yolunu kısaltarak bant genişliği ve enerji verimliliği açısından yeni bir tasarım alanı açabilir. Samsung, gelişmiş wafer bonding teknolojisiyle çalışan zHBM için şu iddiaları paylaştı:

• HBM5’e kıyasla yaklaşık 8 kat performans;
• 10 kattan fazla bellek yoğunluğu;
• 3 kat enerji verimliliği;
• Termal direncin yarıdan fazla azaltılması .

Ancak önemli bir ayrım var: zHBM henüz satışa sunulmuş bir ürün değil. FMS 2026’da fiziksel bir konsept model, yani mock-up olarak sergilendi ve ticarileştirme takvimi açıklanmadı . Gerçekleşmesi hâlinde bu tasarım, şimdiye kadarki HBM nesillerinde kullanılan silikon aracı katmanının rolünü ortadan kaldırabilir .

zNAND-O, HBM4E ve HBM5 yol haritası

Samsung ayrıca zNAND-O adlı başka bir 3B bellek konseptini tanıttı. Bu yapı, V-NAND teknolojisini silikon içi geçişler (TSV) ile birleştirerek tek bir pakette 4 veya 8 NAND yongasının dikey biçimde istiflenmesini öngörüyor .

zNAND-O özellikle uç yapay zekâ iş yükleri için tasarlanıyor. Samsung; alan kullanımının iyileştirilmesi, giriş-çıkış performansının artırılması ve gecikmenin düşürülmesini hedefliyor . zHBM gibi zNAND-O da şu aşamada konsept niteliğinde ve belirlenmiş bir ticarileştirme tarihi bulunmuyor .

Şirketin standında ayrıca HBM4E örnekleri ve HBM5 konsept modelleri sergilendi . Samsung, 1c DRAM ve 4 nanometre çip teknolojisiyle HBM4’ün seri üretimine Şubat 2026’da başladığını, Mayıs ayında ise küresel müşterilere HBM4E örnekleri gönderen ilk şirket olduğunu belirtiyor . HBM4E’nin seri üretiminin 2027’de başlaması ve Samsung’un dördüncü nesil Hybrid Bonding sürecini kullanması hedefleniyor .

LPDDR5X-PIM ve kurumsal SSD’ler

Samsung’un sergilediği bir diğer çözüm LPDDR5X-PIM oldu. PIM, yani “bellek içinde işlem” yaklaşımında bazı veri işlemleri CPU veya GPU’ya gönderilmeden doğrudan belleğin içinde gerçekleştiriliyor. Bu yöntem, özellikle yapay zekâ çıkarımı sırasında veri taşımacılığını azaltarak uygun iş yüklerinde verimliliği artırabilir ve güç tüketimini düşürebilir .

Şirket, yapay zekâ altyapısı için geliştirdiği yeni nesil kurumsal SSD platformları PM1763 ve BM1773 modellerini de tanıttı . Böylece Samsung, yalnızca yüksek bant genişlikli bellek değil, veri merkezlerinin depolama katmanı için de kapsamlı bir ürün portföyü sunma hedefini vurguladı.

Samsung DRAM liderliğini geri aldı

Teknoloji duyuruları, Samsung’un pazar payındaki toparlanmasıyla aynı döneme denk geldi. Counterpoint Research verilerine göre Samsung, 2026’nın ikinci çeyreğinde küresel DRAM pazarında gelir bazında yüzde 39 pay elde ederek liderliği geri aldı. SK hynix yüzde 26’da kalırken Micron yüzde 25 pay aldı .

Bu değişimde genel amaçlı DRAM’e yönelik güçlü talep ve Samsung’un büyüyen HBM üretimi etkili oldu. SK hynix’in geliri yıllık bazda yüzde 214 artmasına rağmen şirketin pazar payı, 2025’in ikinci çeyreğindeki yüzde 39 seviyesinden 2026’nın aynı döneminde yüzde 26’ya geriledi .

Bellek kapasitesinin yüzde 60-70’i uzun vadeli sözleşmelere bağlanacak

Samsung’un yol haritasındaki en önemli ticari değişikliklerden biri, 30 Temmuz’daki 2026 ikinci çeyrek bilanço görüşmesinde açıklandı. Şirket, toplam bellek üretim kapasitesinin yüzde 60-70’ini uzun vadeli tedarik anlaşmaları (LTA) kapsamında işletmeyi planlıyor .

Açıklanan modelin başlıca unsurları şöyle:

• “Beş yıllık rolling” yapı: Sözleşmeler beş yıllık temel dönemle başlıyor ve sonraki yıllarda yapılan görüşmelerle süreye eklemeler yapılabiliyor .
• Peşin ödemeler: Anlaşmalarda, müşterinin taahhüdünü güçlendiren peşin ödeme koşulları bulunuyor. Samsung, toplam avans ödemelerinin yaklaşık dörtte birini hâlihazırda aldığını açıkladı .
• Fiyat sınırı: Bank of America Merrill Lynch’in değerlendirmesine göre fiyat indirimleri çeyrek başına en fazla yüzde 5 ile sınırlandırılırken, fiyat artışı tarafındaki esneklik büyük ölçüde korunuyor .
• Büyük veri merkezi müşterileri: Samsung, beş büyük küresel veri merkezi müşterisiyle anlaşma imzaladığını ve beş müşteriyle daha son aşama görüşmeler yürüttüğünü açıkladı . Bazı haberlerde bu beş müşterinin AWS, Microsoft, Google, Meta ve Oracle olduğu bildirildi; ancak müşteri isimleriyle ilgili sözleşmelerde gizlilik hükümleri bulunuyor .

Bu yaklaşım, Samsung’a daha yüksek talep görünürlüğü ve kapasite planlamasında istikrar sağlayabilir. Buna karşılık şirket, kapasitesinin önemli bir bölümünü uzun süreli anlaşmalara ayırarak spot piyasa dalgalanmalarından yararlanma esnekliğinin bir kısmından vazgeçmiş olacak. Micron’ın uzun vadeli Stratejik Müşteri Anlaşmaları için yaklaşık yüzde 50 hedeflemesi, Samsung’un yüzde 60-70’lik planının daha agresif olduğunu gösteriyor .

FMS 2026’da rekabet de hızlandı

Samsung’un duyuruları, yapay zekâ belleğinde daha geniş bir mimari yarışın parçasıydı:

• SK hynix ve Sandisk, HBM ile SSD arasında konumlanması amaçlanan High Bandwidth Flash (HBF) standardının ilk teknik özelliklerini açıkladı. HBF, 8’li ve 16’lı NAND kalıbı istifleriyle 512 GB’a kadar kapasite ve yaklaşık 0,4 TB/sn ile 3,0 TB/sn arasında bant genişliği hedefliyor. Standardın işlemcilerle bağlantı için UCIe arayüzünü kullanması planlanıyor; Google ve Tenstorrent de konsorsiyuma katılıyor .
• Kioxia, GPU’nun doğrudan erişimine göre optimize edilen GP1 Serisi PCIe 6.0 NVMe SSD’lerini sergiledi. Şirket ayrıca doğrudan sıvı soğutmayı destekleyen CM10 ve NX1 Serisi kurumsal SSD’lerini öne çıkardı .
• Micron, Şubat 2026’dan bu yana seri üretimde olan 9650 PCIe 6.0 kurumsal SSD’sini, ticari olarak sunulan ilk PCIe 6.0 sürücü olarak konumlandırıyor .
• SK hynix, standında 375 katmanlı V10 4D NAND teknolojisini de gösterdi ve güç verimliliğinde 2,5 kat artış iddiasını paylaştı .

Sonuç: Bellek yarışının yönü değişiyor

Samsung’un FMS 2026 mesajı iki başlıkta özetlenebilir: mimari yeniden tasarım ve müşteri talebini uzun süreli sözleşmelerle güvenceye alma. 400’den fazla katmanlı V10 BV-NAND, NAND yoğunluğunu artırmaya odaklanırken zHBM, HBM’in yapay zekâ hızlandırıcılarıyla nasıl bir araya getirileceğine dair daha radikal bir öneri sunuyor. zNAND-O ve LPDDR5X-PIM ise bu yaklaşımı uç cihazlara ve veri hareketinin azaltılmasına taşıyor.

Henüz zHBM ve zNAND-O için bir seri üretim takvimi bulunmuyor. Buna rağmen Samsung’un DRAM liderliğini geri alması ve kapasitesinin yüzde 60-70’ini uzun vadeli yapay zekâ müşterilerine ayırma planı, şirketin yalnızca yeni ürünler geliştirmediğini; aynı zamanda yapay zekâ altyapısı pazarında uzun vadeli ticari ilişkileri de erkenden sabitlemeye çalıştığını gösteriyor.