Samsung, yapay zekâ sistemlerinde giderek büyüyen bellek darboğazını aşmak için belleği yalnızca daha hızlı hâle getirmeye değil, üç boyutlu biçimde yeniden konumlandırmaya odaklanıyor. Şirket, 1 Eylül 2026’da Tayvan’daki SEMICON Taiwan etkinliği kapsamında düzenlenen Memory Executive Summit’te “CUBE” adını verdiği bellek stratejisini açıkladı. CUBE; Capacity (Kapasite), Utilization (Kullanım), Bandwidth (Bant genişliği) ve Efficiency (Verimlilik) kelimelerinin baş harflerinden oluşuyor. 24

Bu yaklaşım, yakın vadeli bir sonraki nesil HBM ürünü olan HBM5’i; bellek ile işlem mantığını birbirine daha da yaklaştıran, henüz daha deneysel durumdaki zHBM ve zNAND-O tasarımlarıyla aynı çatı altında topluyor. Ancak önemli bir ayrım var: Samsung şu aşamada sevkiyata hazır ürün özelliklerinden değil, geliştirme hedeflerinden ve konsept mimarilerden söz ediyor.

CUBE stratejisinin dört ayağı

Kapasite: Taşmak yerine yukarı doğru büyümek

Samsung, baskı devre kartının (PCB) kapladığı alanı genişletmeden bellek kapasitesini dikey olarak artırmayı hedefliyor. Yapay zekâ hızlandırıcıları daha büyük bellek havuzlarına ihtiyaç duyarken kart alanı, paket boyutu ve güç dağıtımı sınırlamaları önemli bir engel oluşturuyor. Belleği yukarı doğru ölçeklendirmek, aynı fiziksel alanda daha fazla kapasite sunma potansiyeli taşıyor. 249

Kullanım: Her katmandan daha fazla fayda sağlamak

CUBE’ün “kullanım” ayağı yalnızca daha fazla bellek katmanını üst üste dizmekten ibaret değil. Samsung, mantık devreleriyle belleğin yerleşimini ve aralarındaki ilişkiyi optimize ederek verinin gereksiz yere uzun yollar kat etmesini veya verimsiz bağlantılarda beklemesini azaltmayı amaçlıyor. 449

Bant genişliği: Yatay yollar yerine dikey bağlantılar

Geleneksel HBM, yapay zekâ hızlandırıcısının yanında konumlandırılır ve gelişmiş bir paket ya da aracı katman üzerinden bağlanır. Samsung’un yol haritası, işlem mantığıyla bellek arasındaki mesafeyi kısaltarak bant genişliğini artırmayı hedefliyor. zHBM konseptinde bunun karşılığı, yatay bağlantılar yerine yoğun dikey bağlantıların kullanılması. 812

Verimlilik: Veri taşımanın bedelini düşürmek

Veri hareketi enerji tüketir; daha yoğun yapay zekâ paketleri ise daha fazla ısı üretir. Bu nedenle Samsung, bant genişliği, güç tüketimi ve termal direnci birbirinden bağımsız özellikler olarak değil, aynı tasarım probleminin parçaları olarak ele alıyor. 551

HBM5 için iddialı hedefler, sınırlı ayrıntılar

Samsung, HBM4E’nin ardından gelecek HBM5’i geliştiriyor. Şirketin açıkladığı hedefler şöyle:

• HBM4E’ye kıyasla 2 kat performans
• %20 daha yüksek watt başına performans
• %20 daha düşük termal direnç 126

Raporlarda HBM5 için 1c sınıfı DRAM üretim süreci, Samsung’un kendi 2 nm taban kalıbı ve yığındaki ısının uzaklaştırılmasına yardımcı olması beklenen Heat Path Block adı verilen yapıdan da bahsediliyor. 37

Fakat bu rakamlar, bağımsız testlerle doğrulanmış sonuçlar değil; geliştirme hedefleri olarak okunmalı. Samsung, HBM5’in mutlak bant genişliğini, nihai kapasitesini, kesin katman sayısını veya “iki kat performans” ifadesinin tam olarak hangi ölçümü anlattığını açıklamadı. Bu ifade arayüz hızını, yığın başına toplam aktarımı ya da daha geniş bir sistem seviyesindeki yeteneği tanımlıyor olabilir. Mevcut açıklamalar bu soruyu yanıtlamaya yetmiyor. 7

Bu belirsizlik nedeniyle 2 katlık hedefi güvenilir biçimde saniyede terabayt cinsinden bir HBM5 bant genişliğine çevirmek mümkün değil. Sağlıklı bir karşılaştırma için performans tanımının, yığın yapılandırmasının ve test koşullarının aynı olması gerekir. HBM4E için raporlanan 12 katmanlı, 48 GB’lık örneklerde 16 Gb/sn’ye kadar hız ve yığın başına yaklaşık 3,6 TB/sn aktarım değerleri görülmüş olsa da bu sonuçlar Samsung’un nihai HBM5 performansını göstermiyor.

zHBM belleği doğrudan hızlandırıcının üzerine taşıyor

Yol haritasının en radikal bölümü zHBM. Geleneksel tasarımda HBM, CPU, GPU veya başka bir yapay zekâ hızlandırıcısının yanında bulunuyor. zHBM ise belleği işlemcinin doğrudan üzerine yerleştirerek dikey bir bellek-mantık yapısı oluşturmayı öngörüyor. 81217

Samsung’un önerdiği uygulamada wafer seviyesinde entegrasyon ve hibrit bakır bağlama kullanılıyor. Bakır yüzeylerin doğrudan birbirine bağlanması, geleneksel yerleşime kıyasla daha kısa ve yoğun sinyal yolları sağlayabilir. Amaç; bant genişliğini artırırken veriyi taşımak için gereken enerjiyi azaltmak. 17

Samsung, zHBM içeren yeni nesil bir arayüz sisteminde referans tasarıma göre 8 kata kadar performans, 3 kata kadar watt başına performans ve termal dirençte büyük bir düşüş hedefliyor. 1618

zHBM neden bazı haberlerde 4, bazı haberlerde 8 kat olarak geçiyor?

zHBM etrafındaki performans rakamları her zaman aynı şeyi karşılaştırmıyor. Samsung’un en net kamuya açık ifadesi, zHBM içeren yeni nesil bir arayüz sisteminin yaklaşık olarak HBM5’in 8 katı performansa ulaşabileceği yönünde. 1822 Bazı haberlerde ise konsept HBM4E ile karşılaştırılıyor veya 4–8 kat aralığından söz ediliyor. 11352

Bu fark; karşılaştırmada kullanılan HBM neslinin, “performans” tanımının veya arayüz performansıyla komple bellek yığını arasındaki ayrımın değişmesinden kaynaklanabilir. Samsung, bu ifadeleri mutlak bant genişliği değerleriyle desteklemediği için söz konusu rakamları tek bir doğrulanmış kazanım olarak birleştirmek mümkün değil. Güvenli sonuç şu: zHBM, belleği hızlandırıcıya daha yakın ve daha yoğun biçimde bağlamayı amaçlayan önemli bir mimari öneri; sevkiyata hazır bir yapay zekâ sisteminde doğrulanmış 4 veya 8 kat performans artışı değil.

zHBM’nin ticarileşme takvimi kesinleşmiş değil

Samsung, zHBM’yi şu an için bir konsept mimari olarak sunuyor ve mevcut kaynaklarda kesin bir seri üretim takvimi açıklamıyor. Belirli bir yılda ticarileşeceğine dair iddialar, Samsung tarafından doğrulanmış resmi yönlendirmeden çok sektör beklentisi olarak değerlendirilmelidir. 1323

Bunun nedeni yalnızca geliştirme süresi değil. Mimari, başlıkta yer alan performans çarpanlarının ötesinde, üretim ve paketleme açısından ciddi zorluklar getiriyor.

zNAND-O farklı bir yapay zekâ belleği sorununa odaklanıyor

zNAND-O, sunucu GPU’larında kullanılan HBM’den ayrı bir çözüm. Dikey olarak entegre edilmiş NAND tabanlı bu tasarım; cihaz üzerinde yapay zekâ ve yüksek depolama yoğunluğuyla birlikte geleneksel NAND’dan daha hızlı erişim gerektiren uygulamalar için geliştiriliyor. Raporlara göre hedef, DRAM’den çok daha yüksek bit yoğunluğunu, sıradan NAND’a kıyasla daha yüksek okuma bant genişliği ve daha iyi güç verimliliğiyle birleştirmek. 4613

Bazı haberlerde müşteri örneklerinin 2028’de başlamasının planlandığı belirtiliyor. Ancak mevcut haberler takvimin durumu konusunda tam olarak örtüşmüyor; bu tarih kesinleşmiş bir lansman günü değil, bildirilen bir plan olarak görülmeli. 131416

Samsung’un DRAM liderliği HBM yarışını tek başına çözmüyor

Samsung, bu yol haritasını genel DRAM pazarında güçlü bir konumdan açıklıyor. Counterpoint Research verilerine göre şirket, 2026’nın ikinci çeyreğinde küresel DRAM gelirlerinin %39’unu elde etti. SK hynix %26, Micron ise %25 pay aldı. 33

Ancak genel DRAM gelirlerindeki liderlik, her HBM neslinde veya 3B bellek paketlemede liderlik anlamına gelmiyor. Bu veri, gelişmiş yapay zekâ hızlandırıcılarının yanı sıra diğer DRAM pazarlarını da kapsıyor; dolayısıyla Samsung’un HBM5, zHBM veya hibrit bağlama teknolojisinde şimdiden üstün olduğunu kanıtlamıyor.

Rekabetin asıl sorusu, bugün en fazla DRAM’i kimin sattığından çok, hangi şirketin iddialı bir mimariyi güvenilir, yüksek hacimli ve müşterilerin yapay zekâ sistemlerine entegre edebileceği paketlere dönüştürebileceği olacak.

Sonucu belirleyecek mühendislik sorunları

Isı yönetimi

Belleği güçlü bir hızlandırıcının doğrudan üzerine yerleştirmek elektriksel bağlantı mesafesini kısaltabilir; ancak belleği daha zorlu bir termal ortamın içine de taşır. Belirleyici testler yalnızca nominal termal direnç değerlerini değil, uzun süreli sıcaklıkları, ısı gradyanlarını, sıcak noktaların kontrolünü, soğutma uyumluluğunu ve gerçek yapay zekâ iş yükleri altındaki güvenilirliği kapsayacak.

Hibrit bağlamada üretim verimi

zHBM, wafer’ların son derece hassas hizalanmasına ve temiz, düz bağlama yüzeylerine ihtiyaç duyuyor. Bağlantı yoğunluğu ve bağlanan alan büyüdükçe kusurların etkisi de artıyor. Üreticilerin iyi kalitede kalıpları önceden ayıklaması, süreç kontrolünü iyileştirmesi ve kusurlu ya da kısmen kusurlu montajlarla başa çıkması gerekecek.

Test ve uzun vadeli güvenilirlik

Dikey bir paket bağlama işleminden sonra test edilmeli; üreticiler gizli bağlantı kusurlarını tespit ederken eğilme, mekanik gerilim, elektromigrasyon ve tekrarlanan ısıl döngülerin etkilerini de kontrol etmeli. Bu gereksinimler hem üretim verimini hem de maliyeti doğrudan etkileyebilir.

Katman sayısı ve paket entegrasyonu

Daha fazla katman kapasiteyi artırabilir; ancak soğutmayı, güç dağıtımını ve mekanik güvenilirliği zorlaştırabilir. En uygun tasarım; hızlandırıcının güç seviyesine, müşterinin paket ve soğutma sistemine, gereken kapasiteye ve genel üretim ekosistemine göre değişecek.

Sonuç

CUBE, Samsung’un yapay zekâ belleği yarışında yalnızca daha hızlı DRAM üretmek yerine dikey entegrasyonla öne çıkma girişimi. Yakın vadeli ürün yönü HBM5; hedefleri HBM4E’ye göre 2 kat performans, watt başına %20 daha iyi verimlilik ve %20 daha düşük termal direnç. Daha uzun vadeli bahis ise zHBM: belleği hızlandırıcının doğrudan üzerine yerleştirmek ve hibrit bakır bağlama ile veri yolunu kısaltmak.

Yol haritası teknik açıdan önemli olsa da en büyük rakamların tanımları hâlâ eksik ve bunlar henüz hedef niteliğinde. Samsung’un konumu, bir sunumda 2 veya 8 katlık performans ifadesinin yer almasından çok; ısı davranışı, bağlama verimi, test kapsamı, uzun vadeli güvenilirlik ve müşterilerin paket tasarımlarıyla entegrasyon konularında ne kadar başarılı olacağıyla belirlenecek.

Samsung, yapay zekâ sistemlerinde giderek büyüyen bellek darboğazını aşmak için belleği yalnızca daha hızlı hâle getirmeye değil, üç boyutlu biçimde yeniden konumlandırmaya odaklanıyor. Şirket, 1 Eylül 2026’da Tayvan’daki SEMICON Taiwan etkinliği kapsamında düzenlenen Memory Executive Summit’te “CUBE” adını verdiği bellek stratejisini açıkladı. CUBE; Capacity (Kapasite), Utilization (Kullanım), Bandwidth (Bant genişliği) ve Efficiency (Verimlilik) kelimelerinin baş harflerinden oluşuyor. 24

Bu yaklaşım, yakın vadeli bir sonraki nesil HBM ürünü olan HBM5’i; bellek ile işlem mantığını birbirine daha da yaklaştıran, henüz daha deneysel durumdaki zHBM ve zNAND-O tasarımlarıyla aynı çatı altında topluyor. Ancak önemli bir ayrım var: Samsung şu aşamada sevkiyata hazır ürün özelliklerinden değil, geliştirme hedeflerinden ve konsept mimarilerden söz ediyor.

CUBE stratejisinin dört ayağı

Kapasite: Taşmak yerine yukarı doğru büyümek

Samsung, baskı devre kartının (PCB) kapladığı alanı genişletmeden bellek kapasitesini dikey olarak artırmayı hedefliyor. Yapay zekâ hızlandırıcıları daha büyük bellek havuzlarına ihtiyaç duyarken kart alanı, paket boyutu ve güç dağıtımı sınırlamaları önemli bir engel oluşturuyor. Belleği yukarı doğru ölçeklendirmek, aynı fiziksel alanda daha fazla kapasite sunma potansiyeli taşıyor. 249

Kullanım: Her katmandan daha fazla fayda sağlamak

CUBE’ün “kullanım” ayağı yalnızca daha fazla bellek katmanını üst üste dizmekten ibaret değil. Samsung, mantık devreleriyle belleğin yerleşimini ve aralarındaki ilişkiyi optimize ederek verinin gereksiz yere uzun yollar kat etmesini veya verimsiz bağlantılarda beklemesini azaltmayı amaçlıyor. 449

Bant genişliği: Yatay yollar yerine dikey bağlantılar

Geleneksel HBM, yapay zekâ hızlandırıcısının yanında konumlandırılır ve gelişmiş bir paket ya da aracı katman üzerinden bağlanır. Samsung’un yol haritası, işlem mantığıyla bellek arasındaki mesafeyi kısaltarak bant genişliğini artırmayı hedefliyor. zHBM konseptinde bunun karşılığı, yatay bağlantılar yerine yoğun dikey bağlantıların kullanılması. 812

Verimlilik: Veri taşımanın bedelini düşürmek

Veri hareketi enerji tüketir; daha yoğun yapay zekâ paketleri ise daha fazla ısı üretir. Bu nedenle Samsung, bant genişliği, güç tüketimi ve termal direnci birbirinden bağımsız özellikler olarak değil, aynı tasarım probleminin parçaları olarak ele alıyor. 551

HBM5 için iddialı hedefler, sınırlı ayrıntılar

Samsung, HBM4E’nin ardından gelecek HBM5’i geliştiriyor. Şirketin açıkladığı hedefler şöyle:

• HBM4E’ye kıyasla 2 kat performans
• %20 daha yüksek watt başına performans
• %20 daha düşük termal direnç 126

Raporlarda HBM5 için 1c sınıfı DRAM üretim süreci, Samsung’un kendi 2 nm taban kalıbı ve yığındaki ısının uzaklaştırılmasına yardımcı olması beklenen Heat Path Block adı verilen yapıdan da bahsediliyor. 37

Fakat bu rakamlar, bağımsız testlerle doğrulanmış sonuçlar değil; geliştirme hedefleri olarak okunmalı. Samsung, HBM5’in mutlak bant genişliğini, nihai kapasitesini, kesin katman sayısını veya “iki kat performans” ifadesinin tam olarak hangi ölçümü anlattığını açıklamadı. Bu ifade arayüz hızını, yığın başına toplam aktarımı ya da daha geniş bir sistem seviyesindeki yeteneği tanımlıyor olabilir. Mevcut açıklamalar bu soruyu yanıtlamaya yetmiyor. 7

Bu belirsizlik nedeniyle 2 katlık hedefi güvenilir biçimde saniyede terabayt cinsinden bir HBM5 bant genişliğine çevirmek mümkün değil. Sağlıklı bir karşılaştırma için performans tanımının, yığın yapılandırmasının ve test koşullarının aynı olması gerekir. HBM4E için raporlanan 12 katmanlı, 48 GB’lık örneklerde 16 Gb/sn’ye kadar hız ve yığın başına yaklaşık 3,6 TB/sn aktarım değerleri görülmüş olsa da bu sonuçlar Samsung’un nihai HBM5 performansını göstermiyor.

zHBM belleği doğrudan hızlandırıcının üzerine taşıyor

Yol haritasının en radikal bölümü zHBM. Geleneksel tasarımda HBM, CPU, GPU veya başka bir yapay zekâ hızlandırıcısının yanında bulunuyor. zHBM ise belleği işlemcinin doğrudan üzerine yerleştirerek dikey bir bellek-mantık yapısı oluşturmayı öngörüyor. 81217

Samsung’un önerdiği uygulamada wafer seviyesinde entegrasyon ve hibrit bakır bağlama kullanılıyor. Bakır yüzeylerin doğrudan birbirine bağlanması, geleneksel yerleşime kıyasla daha kısa ve yoğun sinyal yolları sağlayabilir. Amaç; bant genişliğini artırırken veriyi taşımak için gereken enerjiyi azaltmak. 17

Samsung, zHBM içeren yeni nesil bir arayüz sisteminde referans tasarıma göre 8 kata kadar performans, 3 kata kadar watt başına performans ve termal dirençte büyük bir düşüş hedefliyor. 1618

zHBM neden bazı haberlerde 4, bazı haberlerde 8 kat olarak geçiyor?

zHBM etrafındaki performans rakamları her zaman aynı şeyi karşılaştırmıyor. Samsung’un en net kamuya açık ifadesi, zHBM içeren yeni nesil bir arayüz sisteminin yaklaşık olarak HBM5’in 8 katı performansa ulaşabileceği yönünde. 1822 Bazı haberlerde ise konsept HBM4E ile karşılaştırılıyor veya 4–8 kat aralığından söz ediliyor. 11352

Bu fark; karşılaştırmada kullanılan HBM neslinin, “performans” tanımının veya arayüz performansıyla komple bellek yığını arasındaki ayrımın değişmesinden kaynaklanabilir. Samsung, bu ifadeleri mutlak bant genişliği değerleriyle desteklemediği için söz konusu rakamları tek bir doğrulanmış kazanım olarak birleştirmek mümkün değil. Güvenli sonuç şu: zHBM, belleği hızlandırıcıya daha yakın ve daha yoğun biçimde bağlamayı amaçlayan önemli bir mimari öneri; sevkiyata hazır bir yapay zekâ sisteminde doğrulanmış 4 veya 8 kat performans artışı değil.

zHBM’nin ticarileşme takvimi kesinleşmiş değil

Samsung, zHBM’yi şu an için bir konsept mimari olarak sunuyor ve mevcut kaynaklarda kesin bir seri üretim takvimi açıklamıyor. Belirli bir yılda ticarileşeceğine dair iddialar, Samsung tarafından doğrulanmış resmi yönlendirmeden çok sektör beklentisi olarak değerlendirilmelidir. 1323

Bunun nedeni yalnızca geliştirme süresi değil. Mimari, başlıkta yer alan performans çarpanlarının ötesinde, üretim ve paketleme açısından ciddi zorluklar getiriyor.

zNAND-O farklı bir yapay zekâ belleği sorununa odaklanıyor

zNAND-O, sunucu GPU’larında kullanılan HBM’den ayrı bir çözüm. Dikey olarak entegre edilmiş NAND tabanlı bu tasarım; cihaz üzerinde yapay zekâ ve yüksek depolama yoğunluğuyla birlikte geleneksel NAND’dan daha hızlı erişim gerektiren uygulamalar için geliştiriliyor. Raporlara göre hedef, DRAM’den çok daha yüksek bit yoğunluğunu, sıradan NAND’a kıyasla daha yüksek okuma bant genişliği ve daha iyi güç verimliliğiyle birleştirmek. 4613

Bazı haberlerde müşteri örneklerinin 2028’de başlamasının planlandığı belirtiliyor. Ancak mevcut haberler takvimin durumu konusunda tam olarak örtüşmüyor; bu tarih kesinleşmiş bir lansman günü değil, bildirilen bir plan olarak görülmeli. 131416

Samsung’un DRAM liderliği HBM yarışını tek başına çözmüyor

Samsung, bu yol haritasını genel DRAM pazarında güçlü bir konumdan açıklıyor. Counterpoint Research verilerine göre şirket, 2026’nın ikinci çeyreğinde küresel DRAM gelirlerinin %39’unu elde etti. SK hynix %26, Micron ise %25 pay aldı. 33

Ancak genel DRAM gelirlerindeki liderlik, her HBM neslinde veya 3B bellek paketlemede liderlik anlamına gelmiyor. Bu veri, gelişmiş yapay zekâ hızlandırıcılarının yanı sıra diğer DRAM pazarlarını da kapsıyor; dolayısıyla Samsung’un HBM5, zHBM veya hibrit bağlama teknolojisinde şimdiden üstün olduğunu kanıtlamıyor.

Rekabetin asıl sorusu, bugün en fazla DRAM’i kimin sattığından çok, hangi şirketin iddialı bir mimariyi güvenilir, yüksek hacimli ve müşterilerin yapay zekâ sistemlerine entegre edebileceği paketlere dönüştürebileceği olacak.

Sonucu belirleyecek mühendislik sorunları

Isı yönetimi

Belleği güçlü bir hızlandırıcının doğrudan üzerine yerleştirmek elektriksel bağlantı mesafesini kısaltabilir; ancak belleği daha zorlu bir termal ortamın içine de taşır. Belirleyici testler yalnızca nominal termal direnç değerlerini değil, uzun süreli sıcaklıkları, ısı gradyanlarını, sıcak noktaların kontrolünü, soğutma uyumluluğunu ve gerçek yapay zekâ iş yükleri altındaki güvenilirliği kapsayacak.

Hibrit bağlamada üretim verimi

zHBM, wafer’ların son derece hassas hizalanmasına ve temiz, düz bağlama yüzeylerine ihtiyaç duyuyor. Bağlantı yoğunluğu ve bağlanan alan büyüdükçe kusurların etkisi de artıyor. Üreticilerin iyi kalitede kalıpları önceden ayıklaması, süreç kontrolünü iyileştirmesi ve kusurlu ya da kısmen kusurlu montajlarla başa çıkması gerekecek.

Test ve uzun vadeli güvenilirlik

Dikey bir paket bağlama işleminden sonra test edilmeli; üreticiler gizli bağlantı kusurlarını tespit ederken eğilme, mekanik gerilim, elektromigrasyon ve tekrarlanan ısıl döngülerin etkilerini de kontrol etmeli. Bu gereksinimler hem üretim verimini hem de maliyeti doğrudan etkileyebilir.

Katman sayısı ve paket entegrasyonu

Daha fazla katman kapasiteyi artırabilir; ancak soğutmayı, güç dağıtımını ve mekanik güvenilirliği zorlaştırabilir. En uygun tasarım; hızlandırıcının güç seviyesine, müşterinin paket ve soğutma sistemine, gereken kapasiteye ve genel üretim ekosistemine göre değişecek.

Sonuç

CUBE, Samsung’un yapay zekâ belleği yarışında yalnızca daha hızlı DRAM üretmek yerine dikey entegrasyonla öne çıkma girişimi. Yakın vadeli ürün yönü HBM5; hedefleri HBM4E’ye göre 2 kat performans, watt başına %20 daha iyi verimlilik ve %20 daha düşük termal direnç. Daha uzun vadeli bahis ise zHBM: belleği hızlandırıcının doğrudan üzerine yerleştirmek ve hibrit bakır bağlama ile veri yolunu kısaltmak.

Yol haritası teknik açıdan önemli olsa da en büyük rakamların tanımları hâlâ eksik ve bunlar henüz hedef niteliğinde. Samsung’un konumu, bir sunumda 2 veya 8 katlık performans ifadesinin yer almasından çok; ısı davranışı, bağlama verimi, test kapsamı, uzun vadeli güvenilirlik ve müşterilerin paket tasarımlarıyla entegrasyon konularında ne kadar başarılı olacağıyla belirlenecek.