Teknik değişiklik: Güç artık iki taraftan gelebilir

Temel Intel 14A süreci, şirketin PowerDirect adını verdiği arka yüz güç dağıtım ağını (BSPDN) kullanıyor. Bu yaklaşımda güç hatları, gofretin arka tarafından yönlendiriliyor .

Bildirilen 14A2 tasarımı ise gücü hem çipin ön yüzündeki metal katmanlardan hem de arka yüzündeki güç ağından sağlamayı öngörüyor . Teoride bu yöntem, sinyal ve güç hatlarının yerleşiminde daha fazla alan açarak metal aralıklarının daraltılmasına ve aynı alana daha fazla transistör sığdırılmasına yardımcı olabilir.

Öne çıkan hedefler şöyle:

• Temel 14A M0 metal aralığı: 28 nm
• 14A2 için bildirilen M0 hedefi: Yaklaşık 21 nm
• Temel 14A’nın Intel 18A’ya kıyasla iddia edilen yoğunluk artışı: En fazla yaklaşık yüzde 30

Yaklaşık 21 nm’lik M0 aralığının, çift desenleme gibi üretim iyileştirmeleriyle mümkün kılınmasının planlandığı aktarılıyor . Bununla birlikte Intel, mevcut kaynaklarda 14A2 için kesin bir transistör yoğunluğu artışı açıklamış değil. Bu nedenle 14A2’nin temel 14A’dan ne kadar daha yoğun olacağı henüz net değil .

Intel neden bu değişikliği değerlendiriyor?

1,4 nm sınıfındaki rekabet sıkılaştıkça yalnızca yeni bir üretim düğümü sunmak yeterli olmayabilir. Intel’in, temel 14A’nın vaat ettiği yoğunluk kazanımının üzerine çıkabilmek için çift taraflı güç dağıtımını bir farklılaştırıcı olarak değerlendirdiği bildiriliyor .

Bu yaklaşımın bedeli ise mühendislik açısından daha karmaşık bir yapı. Daha dar metal aralıkları elektriksel direnci artırabilir. Ayrıca mevcut nano silikon üzerinden geçiş (nTSV) tasarımlarının bu kadar yoğun güç yükünü taşımakta zorlanabileceği belirtiliyor .

Bu sorunu aşmak için bildirilen çözüm, arka yüz güç dağıtım ağını ana kaynak olarak korurken gücün bir bölümünü ön yüz metal katmanlarına aktaran kompozit bir yapı kullanmak. Bu ayrıntı, 14A2’nin tamamen arka yüz güç dağıtımına dayanan bir tasarım yerine iki katmanlı ve daha karmaşık bir güç planı olabileceğine işaret ediyor .

Intel 14A için yol haritası

Buradaki PDK, yani Process Design Kit, müşterilerin belirli bir üretim sürecine uygun çip tasarlaması için gereken tasarım kurallarını, modelleri ve araç verilerini içeren paketi ifade ediyor. PDK’nin olgunlaşması, üretim sürecinin potansiyel müşteriler tarafından değerlendirilebilmesi açısından kritik bir aşama.

Intel CEO’su Lip-Bu Tan, PDK 0.9’u 14A sürecinin müşterilerle etkileşim açısından en kritik aşamalarından biri olarak tanımladı; bazı haberlerde bu sürüm için “Kutsal Kâse” ifadesini kullandığı aktarılıyor .

Güncellenen takvim, daha önce konuşulan 2027 risk üretimi ve 2028 yüksek hacimli üretim hedeflerine kıyasla yaklaşık bir yıllık bir kaymaya işaret ediyor .

TSMC ve Samsung’a kıyasla durum ne?

TSMC’nin A14 süreciyle üretime 2028’de başlamayı planladığı Bloomberg tarafından bildirildi; diğer kaynaklar da A14 için 2028 yüksek hacimli üretim hedefini destekliyor . Ancak TSMC’nin ilk A14 sürümünde arka yüz güç dağıtımı bulunmayacak. Arka yüz güç raylarını kullanan A14P varyantının 2029’da planlandığı aktarılıyor .

Samsung ise 1,4 nm sınıfı rekabetin önemli oyuncularından biri olarak anılıyor. Buna karşın SF1.4 için sağlanan kaynaklarda güncel ve doğrulanmış bir risk üretim ya da seri üretim tarihi yer almıyor .

Kısa sonuç: Intel’in bildirilen 2029 yüksek hacimli üretim hedefi, TSMC’nin A14 için öne çıkan 2028 hedefinden yaklaşık bir yıl sonra geliyor. Tan ise Intel’in 14A zamanlamasını TSMC’nin A14’üyle yakın bir çizgide gördüğünü belirtiyor; iki süreç de 1,4 nm sınıfında konumlanıyor . Samsung’un takvimi ise mevcut bilgilerle belirsizliğini koruyor .

14A’nın ötesinde 10A ve 7A geliyor

Intel’in planı 14A ile sınırlı değil. CEO Lip-Bu Tan’ın açıklamalarına göre şirket, 14A’nın ardından gelecek iki üretim düğümünün geliştirilmesine de başladı :

• 10A: 1 nm sınıfında, erken geliştirme aşamasında
• 7A: 1 nm’nin altında konumlanan, erken geliştirme aşamasındaki süreç

Tan bu bilgileri Boston’da düzenlenen J.P. Morgan 54. Küresel Teknoloji, Medya ve İletişim Konferansı’nda Intel’in süreç yol haritasını anlatırken paylaştı . Bu durum, Intel’in angstrom çağı olarak adlandırılan dönemde 14A’nın ötesine uzanan çok nesilli bir üretim planı hazırladığını gösteriyor.

Sonuç

Temel Intel 14A süreci, RibbonFET 2 geçit çevreleyen transistörleri ve PowerDirect arka yüz güç dağıtımını bir araya getiriyor. Intel, bu sürecin 18A’ya kıyasla çip yoğunluğunda yüzde 30’a varan iyileşme sağlayacağını belirtiyor .

Bildirilen 14A2 varyantı ise gücü hem ön hem de arka yüzden sağlayan çift taraflı bir mimariyle ve yaklaşık 21 nm’lik M0 metal aralığı hedefiyle daha yüksek yoğunluğa odaklanıyor . Intel’in güncel yol haritasında PDK 0.9 için Ekim 2026, risk üretim için 2028 ve yüksek hacimli üretim için 2029 öne çıkıyor .

Bu takvim, TSMC’nin 2028 A14 üretim hedefinin yaklaşık bir yıl gerisinde. Öte yandan Intel, 10A ve 7A düğümleriyle uzun vadede 1 nm ve altına inmeye hazırlanıyor .

Teknik değişiklik: Güç artık iki taraftan gelebilir

Temel Intel 14A süreci, şirketin PowerDirect adını verdiği arka yüz güç dağıtım ağını (BSPDN) kullanıyor. Bu yaklaşımda güç hatları, gofretin arka tarafından yönlendiriliyor .

Bildirilen 14A2 tasarımı ise gücü hem çipin ön yüzündeki metal katmanlardan hem de arka yüzündeki güç ağından sağlamayı öngörüyor . Teoride bu yöntem, sinyal ve güç hatlarının yerleşiminde daha fazla alan açarak metal aralıklarının daraltılmasına ve aynı alana daha fazla transistör sığdırılmasına yardımcı olabilir.

Öne çıkan hedefler şöyle:

• Temel 14A M0 metal aralığı: 28 nm
• 14A2 için bildirilen M0 hedefi: Yaklaşık 21 nm
• Temel 14A’nın Intel 18A’ya kıyasla iddia edilen yoğunluk artışı: En fazla yaklaşık yüzde 30

Yaklaşık 21 nm’lik M0 aralığının, çift desenleme gibi üretim iyileştirmeleriyle mümkün kılınmasının planlandığı aktarılıyor . Bununla birlikte Intel, mevcut kaynaklarda 14A2 için kesin bir transistör yoğunluğu artışı açıklamış değil. Bu nedenle 14A2’nin temel 14A’dan ne kadar daha yoğun olacağı henüz net değil .

Intel neden bu değişikliği değerlendiriyor?

1,4 nm sınıfındaki rekabet sıkılaştıkça yalnızca yeni bir üretim düğümü sunmak yeterli olmayabilir. Intel’in, temel 14A’nın vaat ettiği yoğunluk kazanımının üzerine çıkabilmek için çift taraflı güç dağıtımını bir farklılaştırıcı olarak değerlendirdiği bildiriliyor .

Bu yaklaşımın bedeli ise mühendislik açısından daha karmaşık bir yapı. Daha dar metal aralıkları elektriksel direnci artırabilir. Ayrıca mevcut nano silikon üzerinden geçiş (nTSV) tasarımlarının bu kadar yoğun güç yükünü taşımakta zorlanabileceği belirtiliyor .

Bu sorunu aşmak için bildirilen çözüm, arka yüz güç dağıtım ağını ana kaynak olarak korurken gücün bir bölümünü ön yüz metal katmanlarına aktaran kompozit bir yapı kullanmak. Bu ayrıntı, 14A2’nin tamamen arka yüz güç dağıtımına dayanan bir tasarım yerine iki katmanlı ve daha karmaşık bir güç planı olabileceğine işaret ediyor .

Intel 14A için yol haritası

Buradaki PDK, yani Process Design Kit, müşterilerin belirli bir üretim sürecine uygun çip tasarlaması için gereken tasarım kurallarını, modelleri ve araç verilerini içeren paketi ifade ediyor. PDK’nin olgunlaşması, üretim sürecinin potansiyel müşteriler tarafından değerlendirilebilmesi açısından kritik bir aşama.

Intel CEO’su Lip-Bu Tan, PDK 0.9’u 14A sürecinin müşterilerle etkileşim açısından en kritik aşamalarından biri olarak tanımladı; bazı haberlerde bu sürüm için “Kutsal Kâse” ifadesini kullandığı aktarılıyor .

Güncellenen takvim, daha önce konuşulan 2027 risk üretimi ve 2028 yüksek hacimli üretim hedeflerine kıyasla yaklaşık bir yıllık bir kaymaya işaret ediyor .

TSMC ve Samsung’a kıyasla durum ne?

TSMC’nin A14 süreciyle üretime 2028’de başlamayı planladığı Bloomberg tarafından bildirildi; diğer kaynaklar da A14 için 2028 yüksek hacimli üretim hedefini destekliyor . Ancak TSMC’nin ilk A14 sürümünde arka yüz güç dağıtımı bulunmayacak. Arka yüz güç raylarını kullanan A14P varyantının 2029’da planlandığı aktarılıyor .

Samsung ise 1,4 nm sınıfı rekabetin önemli oyuncularından biri olarak anılıyor. Buna karşın SF1.4 için sağlanan kaynaklarda güncel ve doğrulanmış bir risk üretim ya da seri üretim tarihi yer almıyor .

Kısa sonuç: Intel’in bildirilen 2029 yüksek hacimli üretim hedefi, TSMC’nin A14 için öne çıkan 2028 hedefinden yaklaşık bir yıl sonra geliyor. Tan ise Intel’in 14A zamanlamasını TSMC’nin A14’üyle yakın bir çizgide gördüğünü belirtiyor; iki süreç de 1,4 nm sınıfında konumlanıyor . Samsung’un takvimi ise mevcut bilgilerle belirsizliğini koruyor .

14A’nın ötesinde 10A ve 7A geliyor

Intel’in planı 14A ile sınırlı değil. CEO Lip-Bu Tan’ın açıklamalarına göre şirket, 14A’nın ardından gelecek iki üretim düğümünün geliştirilmesine de başladı :

• 10A: 1 nm sınıfında, erken geliştirme aşamasında
• 7A: 1 nm’nin altında konumlanan, erken geliştirme aşamasındaki süreç

Tan bu bilgileri Boston’da düzenlenen J.P. Morgan 54. Küresel Teknoloji, Medya ve İletişim Konferansı’nda Intel’in süreç yol haritasını anlatırken paylaştı . Bu durum, Intel’in angstrom çağı olarak adlandırılan dönemde 14A’nın ötesine uzanan çok nesilli bir üretim planı hazırladığını gösteriyor.

Sonuç

Temel Intel 14A süreci, RibbonFET 2 geçit çevreleyen transistörleri ve PowerDirect arka yüz güç dağıtımını bir araya getiriyor. Intel, bu sürecin 18A’ya kıyasla çip yoğunluğunda yüzde 30’a varan iyileşme sağlayacağını belirtiyor .

Bildirilen 14A2 varyantı ise gücü hem ön hem de arka yüzden sağlayan çift taraflı bir mimariyle ve yaklaşık 21 nm’lik M0 metal aralığı hedefiyle daha yüksek yoğunluğa odaklanıyor . Intel’in güncel yol haritasında PDK 0.9 için Ekim 2026, risk üretim için 2028 ve yüksek hacimli üretim için 2029 öne çıkıyor .

Bu takvim, TSMC’nin 2028 A14 üretim hedefinin yaklaşık bir yıl gerisinde. Öte yandan Intel, 10A ve 7A düğümleriyle uzun vadede 1 nm ve altına inmeye hazırlanıyor .