ASML’den Nvidia ölçeğindeki veri merkezi çiplerine yönelik 12 inç maske hamlesi

ASML, TSMC ile birlikte High-NA EUV litografisini bugünkü 6 inç fotomaskelerden 12 inç maskelere geçirmek için ortak bir sektör girişimi başlattı. Girişim, diğer High-NA kullanıcıları ve tedarikçilerinin katılımına da açık. Amaç, High-NA’in daha ince devre desenleri üretme avantajını korurken Nvidia gibi şirketlerin tasarladığı çok büyük yapay zekâ ve veri merkezi işlemcilerinin kalıp alanlarını da verimli biçimde üretebilmek. 10

Neden daha büyük maske gerekiyor?

EUV litografi, çip üzerindeki devre katmanlarının ışıkla desenlenmesinde kullanılıyor. Mevcut EUV sistemleri 0,33 sayısal açıklığa (NA) sahip. High-NA EUV ise bunu 0,55’e çıkararak çözünürlüğü artırıyor. ASML’ye göre EXE adı verilen High-NA platformu 8 nm kritik boyuta ulaşabiliyor. 14

Ancak High-NA sistemlerinin anamorfik optikleri, mevcut 6 inç maske formatında pozlama alanını NXE adlı önceki EUV platformlarına göre yarıya indiriyor. Bu, daha ince detay elde edilirken tek pozlamada işlenebilecek çip alanının küçülmesi anlamına geliyor; özellikle en büyük yapay zekâ hızlandırıcıları ve veri merkezi işlemcileri için sorun yaratıyor. 14

12 inç maske düzeni, bu alan sınırlamasını ve devre parçalarının farklı pozlamalarda üretilip sonradan birleştirilmesi anlamına gelen “stitching” ihtiyacını azaltmayı hedefliyor. ASML ve TSMC’ye göre bunun sonucu fabrika üretkenliğinin artması, çip üretim maliyetinin düşmesi ve High-NA’in avantajlarından daha fazla yararlanılması olacak. 10

Hangi şirketler High-NA EUV kullanıyor veya değerlendiriyor?

• Intel, teknolojiye en ileriden yaklaşan üretici konumunda. 2024’te başlayan denemelerin ardından şirket, 2026’da Panther Lake işlemcilerinin bir bölümünün üretiminde High-NA EUV kullanmaya başladı. 17
• TSMC, 12 inç maske girişiminde ASML’nin resmi ortak lideri. Şirketin High-NA’i önce mevcut 6 inç maskelerle devreye alması, daha sonra büyük maskelere geçmesi bekleniyor. 11
• Samsung, ASML ile High-NA iş birliğini genişlettiğini, gelecekteki DRAM üretiminde teknolojiyi kullanmayı planladığını ve 12 inç fotomaske girişimine katılacağını duyurdu. 9
• SK Hynix, High-NA’i planlayan şirketler arasında gösteriliyor. 4

Verilen kaynaklar, TSMC, Samsung ve SK Hynix için kesinleşmiş, şirkete özgü üretim takvimleri ortaya koymuyor. Bu şirketlerin tümü için 2027–2028 tarihlerini kesin üretim başlangıcı gibi sunan iddialar, burada yer alan güçlü kanıtlarla doğrulanmış değil. 4935

Takvim ve beklenen verim artışı

ASML ile TSMC, 12 inç maske için 2031’de bir pilot hat kurmayı; ileri üretim düğümlerinde kullanılacak tam litografi sisteminin 2033’te hazır olmasını hedefliyor. 10

Sağlanan haberlerde, büyük maske yaklaşımının üretkenliği yaklaşık %40 artırabileceği aktarılıyor. ASML’nin resmi açıklaması ise sayısal bir oran vermeden daha yüksek üretkenlik ve daha düşük maliyet yönündeki hedefi destekliyor. 810

Bu oran, ASML’nin bugünkü EUV filosundaki ayrı bir performans gelişimiyle karıştırılmamalı: Mevcut nesil NXE:3800E, saatte 220 wafer işleme kapasitesine sahip ve NXE:3600D’ye göre %37 daha yüksek üretkenlik sunuyor. Bu, 12 inç maskeli High-NA yaklaşımı için öngörülen kazançla aynı ölçüm değil. 1