คำตอบการวิจัย
ประเด็นสำคัญ Samsung เปิดตัวต้นแบบ V10 BV NAND รุ่นที่ 10 ซึ่งซ้อนหน่วยความจำมากกว่า 400 ชั้น และอ้างว่ามีความหนาแน่นสูงกว่า V9 ราว 58% [1][12] zHBM เป็นสถาปัตยกรรมแนวคิดที่วาง HBM ซ้อนในแนวตั้งเหนือ AI accelerator โดย Samsung ประเมินประสิทธิภาพได้ราว 8 เท่าของ HBM5 และความหนาแน่นหน่วยความจำมากกว่า 10 เท่า [7][9][16] บริษัทยังจัดแสดง zNAND O สำหรับงาน Edge AI, ตัวอย่าง HBM4E, โมเดล HBM5 และ LPDDR5X PIM ที่ประมวลผลข้อมูลบางส่วนภายในหน่วยความจำ [2][10][13] ในเชิงธุรกิจ Samsung ตั้งเป้าจัดสรรกำลังการผลิตหน่วยความจำ 60–70% ผ่านสัญญาระยะยาวแบบ 5 year rolling ขณะที่บริษัทกลับขึ้นเป็นผู้นำตลาด DRAM ไตรมาส 2 ปี 2026 ด้วยส่วนแบ่ง 39% [1][4][5][18] What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include i Samsung unveiled zHBM (vertical HBM concept) and V10 BV-NAND (400+ layer prototype) at the FMS 2026 conference in Santa Clara, August 2026. AI พรอมต์ Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include i. Article summary: At the **FMS 2026** conference in Santa Clara (August 4–6, 2026), Samsung unveiled an ambitious next-generation 3D memory roadmap spanning NAND, DRAM, and HBM, alongside major market and business strategy announcements. . Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
openai.com งาน FMS (Future of Memory and Storage) 2026 ที่เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย ระหว่างวันที่ 4–6 สิงหาคม 2026 กลายเป็นเวทีที่ Samsung Electronics แสดงให้เห็นว่า การแข่งขันหน่วยความจำสำหรับยุค AI อาจไม่ได้หยุดอยู่แค่การเพิ่มความจุหรือความเร็ว แต่กำลังขยับไปสู่การออกแบบสถาปัตยกรรมใหม่ทั้งระบบ
Samsung เปิดตัวทั้งเทคโนโลยี NAND, DRAM และ HBM พร้อมแนวทางธุรกิจที่มุ่งผูกกำลังการผลิตส่วนใหญ่ไว้กับลูกค้าศูนย์ข้อมูลรายใหญ่ในระยะยาว
V10 BV-NAND: V-NAND มากกว่า 400 ชั้น
ไฮไลต์ฝั่ง NAND คือ V10 BV-NAND (Bonding V-NAND) ซึ่ง Samsung ระบุว่าเป็น V-NAND รุ่นแรกของอุตสาหกรรมที่ซ้อนโครงสร้างมากกว่า 400 ชั้น
คนยังถาม คำตอบสั้น ๆ สำหรับ "Samsung เปิดโรดแมปหน่วยความจำยุค AI ที่ FMS 2026" คืออะไร Samsung เปิดตัวต้นแบบ V10 BV NAND รุ่นที่ 10 ซึ่งซ้อนหน่วยความจำมากกว่า 400 ชั้น และอ้างว่ามีความหนาแน่นสูงกว่า V9 ราว 58% [1][12]
ประเด็นสำคัญที่ต้องตรวจสอบก่อนคืออะไร? Samsung เปิดตัวต้นแบบ V10 BV NAND รุ่นที่ 10 ซึ่งซ้อนหน่วยความจำมากกว่า 400 ชั้น และอ้างว่ามีความหนาแน่นสูงกว่า V9 ราว 58% [1][12] zHBM เป็นสถาปัตยกรรมแนวคิดที่วาง HBM ซ้อนในแนวตั้งเหนือ AI accelerator โดย Samsung ประเมินประสิทธิภาพได้ราว 8 เท่าของ HBM5 และความหนาแน่นหน่วยความจำมากกว่า 10 เท่า [7][9][16]
ฉันควรทำอย่างไรต่อไปในทางปฏิบัติ? บริษัทยังจัดแสดง zNAND O สำหรับงาน Edge AI, ตัวอย่าง HBM4E, โมเดล HBM5 และ LPDDR5X PIM ที่ประมวลผลข้อมูลบางส่วนภายในหน่วยความจำ [2][10][13]
การเปิดตัวครั้งนี้ยังมีนัยสำคัญในเชิงประวัติศาสตร์ เพราะเป็นการเดินทางมาถึง V-NAND รุ่นที่ 10 หลัง Samsung เปิดตัว V-NAND ครั้งแรกในงานเดียวกันเมื่อ 13 ปีก่อน ในปี 2013
zHBM: เปลี่ยนจากวางข้างชิปเป็นซ้อนบนชิป AI Samsung ระบุว่า หากพัฒนาได้สำเร็จ zHBM อาจให้ผลลัพธ์ดังนี้:
ประสิทธิภาพราว 8 เท่าของ HBM5
ความหนาแน่นหน่วยความจำมากกว่า 10 เท่าของ HBM5
ประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้น 3 เท่า
ลดความต้านทานความร้อนได้มากกว่าครึ่งหนึ่ง
แนวคิดนี้อาศัยเทคโนโลยี wafer bonding ขั้นสูง และอาจทำให้ไม่จำเป็นต้องใช้ silicon interposer ซึ่งเป็นองค์ประกอบสำคัญของ HBM ทุกรุ่นจนถึงปัจจุบัน
อย่างไรก็ตาม จุดสำคัญคือ zHBM ยังเป็นเพียงโมเดลแนวคิดหรือ mock-up ไม่ใช่ผลิตภัณฑ์ที่วางจำหน่าย และ Samsung ยังไม่ได้ระบุกรอบเวลาการผลิตเชิงพาณิชย์
zNAND-O: NAND แนวตั้งสำหรับ Edge AI อีกหนึ่งสถาปัตยกรรมแนวคิดคือ zNAND-O ซึ่งผสาน V-NAND เข้ากับเทคโนโลยี TSV (Through-Silicon Via) เพื่อซ้อนชิป NAND จำนวน 4 หรือ 8 ชิปไว้ในแพ็กเกจเดียว
HBM4E, HBM5 และ LPDDR5X-PIM ภายในบูทของ Samsung ยังมีการจัดแสดง ตัวอย่าง HBM4E ซึ่งเป็นขั้นถัดไปในแผนงาน HBM รวมถึง โมเดลแนวคิด HBM5
นอกจากนี้ Samsung ยังสาธิต LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory) ซึ่งบริษัทอธิบายว่าเป็น LPDDR รุ่นแรกของอุตสาหกรรมที่มีความสามารถประมวลผลภายในหน่วยความจำ
หลักการของ PIM คือให้หน่วยความจำดำเนินการกับข้อมูลบางส่วนภายในตัวเอง แทนการส่งข้อมูลทั้งหมดกลับไปกลับมาระหว่างหน่วยความจำกับ CPU หรือ GPU วิธีนี้เหมาะกับงาน AI inference บางประเภท และอาจช่วยลดการเคลื่อนย้ายข้อมูล เพิ่มประสิทธิภาพ และลดการใช้พลังงาน
ฝั่งระบบจัดเก็บข้อมูลระดับองค์กร Samsung ยังนำเสนอแพลตฟอร์ม SSD รุ่นใหม่ ได้แก่ PM1763 และ BM1773 ซึ่งออกแบบมาสำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI
Samsung กลับขึ้นอันดับหนึ่งตลาด DRAM การเปลี่ยนแปลงนี้ได้รับแรงหนุนจากความต้องการ DRAM ทั่วไปที่เพิ่มขึ้น รวมถึงกำลังการผลิต HBM ของ Samsung ที่ขยายตัว ขณะที่ราคา HBM ของ SK hynix อยู่ในภาวะทรงตัว
จากขายตามตลาด สู่การล็อกกำลังผลิตด้วย LTA โครงสร้างสัญญาที่เปิดเผยมีลักษณะสำคัญดังนี้:
เป็นสัญญาแบบ “5-year rolling” มีระยะพื้นฐาน 5 ปี และมีการต่ออายุเพิ่มครั้งละ 1 ปีผ่านการเจรจารายปี
มีเงินมัดจำหรือเงินชำระล่วงหน้าเพื่อเพิ่มความผูกพันของสัญญา โดย Samsung ระบุว่าได้รับเงินล่วงหน้าประมาณหนึ่งในสี่ของยอดรวมแล้ว
มีเพดานการปรับลดราคา โดยการลดราคาในแต่ละไตรมาสจำกัดไม่เกิน 5% ขณะที่การปรับราคาในทิศทางขาขึ้นมีความยืดหยุ่นสูงกว่า
Samsung ระบุว่าได้ลงนามกับลูกค้าศูนย์ข้อมูลรายใหญ่ระดับโลกแล้ว 5 ราย และอยู่ระหว่างการเจรจาขั้นท้ายกับลูกค้า AI อีก 5 ราย
รายงานบางฉบับระบุว่ากลุ่มลูกค้าที่ลงนามแล้วมี AWS, Microsoft, Google, Meta และ Oracle แต่รายละเอียดของสัญญาอยู่ภายใต้ข้อตกลงรักษาความลับ
สำหรับ Samsung นี่คือการแลกเปลี่ยนระหว่างความยืดหยุ่นในการขายตามตลาดกับความแน่นอนของคำสั่งซื้อ เงินล่วงหน้า และการมองเห็นรายได้ในระยะยาว โดยเฉพาะในช่วงที่ลูกค้าศูนย์ข้อมูลต้องเร่งจองหน่วยความจำเพื่อรองรับการขยายโครงสร้างพื้นฐาน AI
คู่แข่งก็เร่งสร้าง “ชั้นกลาง” ของหน่วยความจำ AI FMS 2026 ไม่ได้มีเพียง Samsung ที่นำเสนอทิศทางใหม่ของหน่วยความจำ
SK hynix และ Sandisk ร่วมกันเปิดเผยมาตรฐานแรกของ High Bandwidth Flash (HBF) ซึ่งวางตำแหน่งเป็นชั้นจัดเก็บข้อมูลระหว่าง HBM กับ SSD เพื่อช่วยลดช่องว่างด้านประสิทธิภาพ Kioxia จัดแสดง SSD ตระกูล GP1 Series PCIe 6.0 NVMe ที่ปรับให้เหมาะกับการเข้าถึงข้อมูลโดย GPU โดยตรง และนำเสนอร่วมกับ Nvidia ในประเด็นแฟลชสตอเรจสำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI นอกจากนี้ยังมี CM10 Series และ NX1 Series ที่รองรับการระบายความร้อนด้วยของเหลวโดยตรง Micron เริ่มผลิต SSD องค์กรรุ่น 9650 PCIe 6.0 จำนวนมากตั้งแต่เดือนกุมภาพันธ์ 2026 โดยระบุว่าเป็นไดรฟ์ PCIe 6.0 เชิงพาณิชย์รุ่นแรก SK hynix ยังสาธิต 4D NAND รุ่นที่ 10 หรือ V10 ซึ่งมี 375 ชั้น และอ้างว่าประสิทธิภาพด้านพลังงานเพิ่มขึ้น 2.5 เท่า Innodisk มีส่วนร่วมในภาพรวมของงาน FMS 2026 เช่นกัน แต่ข้อมูลที่อ้างอิงในรายงานชุดนี้ไม่ได้ระบุรายละเอียดการเปิดตัวเทคโนโลยีสำคัญของบริษัทเพิ่มเติม
บทสรุป สารหลักจาก Samsung ในงาน FMS 2026 คือการแข่งขันหน่วยความจำกำลังเข้าสู่ยุคของการ “ออกแบบใหม่ทั้งสถาปัตยกรรม” ไม่ใช่เพียงการเพิ่มจำนวนชั้นหรือเร่งความเร็วของผลิตภัณฑ์เดิม
V10 BV-NAND แสดงให้เห็นความพยายามผลักขีดจำกัดของการซ้อน NAND ให้เกิน 400 ชั้น ขณะที่ zHBM และ zNAND-O เสนอแนวคิดการวางหน่วยความจำในแนวตั้งเพื่อให้เหมาะกับงาน AI มากขึ้น แม้ทั้งสองเทคโนโลยียังเป็นเพียงต้นแบบแนวคิดก็ตาม
ในเวลาเดียวกัน Samsung กำลังใช้สถานะผู้นำตลาด DRAM และความต้องการ AI ที่เพิ่มขึ้นต่อรองสัญญาระยะยาวกับลูกค้ารายใหญ่ โดยตั้งเป้าล็อกกำลังการผลิต 60–70% ไว้ล่วงหน้า ภาพรวมจาก FMS 2026 จึงชี้ไปในทิศทางเดียวกันว่าอนาคตของโครงสร้างพื้นฐาน AI จะประกอบด้วยหน่วยความจำหลายระดับ ตั้งแต่ HBM, HBF ไปจนถึง SSD PCIe 6.0 และการแข่งขันเพื่อครองแต่ละชั้นกำลังเข้มข้นขึ้นเรื่อย ๆ
