CXMT วางแผนไลน์วิจัย NAND ที่ปักกิ่ง ท้าชน YMTC แต่ยังห่างจากการผลิตจริง

CXMT หรือ ChangXin Memory Technologies มีรายงานว่ากำลังเตรียมตั้งสายการผลิตเพื่อการวิจัยและพัฒนา (R&D) รวมถึงการผลิตทดลองของหน่วยความจำแฟลช NAND ที่โรงงานแห่งใหม่ในปักกิ่ง หากเดินหน้าได้จริง นี่จะเป็นการขยับออกจากธุรกิจหลักอย่าง DRAM ไปสู่ตลาดหน่วยความจำสำหรับเก็บข้อมูลถาวร ซึ่งใช้ใน SSD ระบบจัดเก็บข้อมูลดาต้าเซ็นเตอร์ และระบบ AI

แต่ประเด็นสำคัญคือ นี่ยังเป็น แผน R&D และไลน์ทดลอง ไม่ใช่การประกาศสร้างโรงงาน NAND เพื่อผลิตปริมาณมากในเชิงพาณิชย์ 1

CXMT กำลังวางแผนอะไรในปักกิ่ง

แหล่งข่าวที่ใกล้ชิดกับเรื่องนี้บอกกับ Reuters ว่า CXMT ตั้งใจสร้างไลน์ R&D สำหรับ NAND flash ในโรงงานใหม่ที่ปักกิ่ง บริษัทยังได้จัดตั้งสถาบันวิจัยในปักกิ่ง โดยมีการพัฒนา NAND เป็นหนึ่งในโครงการด้วย 1

รายงานยังระบุว่า CXMT ได้หารือแผน NAND กับลูกค้าที่มีศักยภาพ ซึ่งรวมถึงสตาร์ตอัปแห่งหนึ่งที่ต้องการชิปจัดเก็บข้อมูลสำหรับระบบ AI และซูเปอร์คอมพิวเตอร์ สิ่งนี้สะท้อนว่าบริษัทกำลังสำรวจความต้องการของตลาดควบคู่กับการพัฒนาเทคโนโลยี แต่ยังไม่ใช่ข้อตกลงจัดหาสินค้าในปริมาณมากที่ได้รับการยืนยันแล้ว 1

DRAM และ NAND ทำหน้าที่ต่างกันในระบบคอมพิวเตอร์: DRAM คือหน่วยความจำทำงานความเร็วสูง ขณะที่ NAND คือหน่วยความจำแฟลชที่เก็บข้อมูลได้แม้ปิดเครื่อง หาก CXMT มีทั้งสองประเภท ก็อาจนำเสนอชุดผลิตภัณฑ์หน่วยความจำที่กว้างขึ้นแก่ลูกค้าซึ่งกำลังใช้หรือพิจารณาใช้ DRAM ของบริษัทอยู่แล้ว

เหตุใดจึงขยายไปสู่ NAND ในเวลานี้

การขยับครั้งนี้เกิดขึ้นในช่วงที่ตลาดหน่วยความจำทั่วโลกตึงตัวจากการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI Reuters รายงานว่าผู้บริหารอุตสาหกรรมคาดว่าภาวะตึงตัวด้านอุปทานอาจยืดเยื้ออย่างน้อยถึงปี 2027 ขณะที่ผู้ผลิตรายใหญ่ให้ความสำคัญกับการลงทุน DRAM และ HBM มากขึ้น จึงมีการเพิ่มกำลังผลิต NAND อย่างจำกัด 1

สำหรับ CXMT การมี NAND อาจเปิดทางสู่ฐานลูกค้าในประเทศที่กว้างกว่าเดิม ไม่ว่าจะเป็นผู้สร้างระบบ AI ผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์ ผู้ให้บริการดาต้าเซ็นเตอร์ ผู้ขายระบบจัดเก็บข้อมูล ผู้ผลิตพีซี และผู้ผลิตอุปกรณ์ต่าง ๆ การหารือกับลูกค้าที่ต้องการสตอเรจสำหรับ AI และซูเปอร์คอมพิวเตอร์เป็นหลักฐานที่ชัดที่สุดของเหตุผลทางธุรกิจนี้ 1

อย่างไรก็ดี การมีไลน์ NAND ไม่ได้หมายความว่า CXMT จะกลายเป็นผู้จัดหารายสำคัญได้ในเวลาอันรวดเร็ว แต่ช่วยให้บริษัทมีความเกี่ยวข้องมากขึ้นกับลูกค้าที่ต้องการจัดหาทั้งหน่วยความจำทำงานและหน่วยความจำจัดเก็บข้อมูลจากผู้ผลิตจีน

ความท้าทายต่อ YMTC และคู่แข่งระดับโลก

ที่ผ่านมา CXMT เป็นที่รู้จักจากธุรกิจ DRAM ขณะที่ Yangtze Memory Technologies Co. หรือ YMTC เป็นผู้เชี่ยวชาญ NAND ของจีน การรุกเข้าสู่ NAND ของ CXMT จะทำให้เส้นแบ่งเดิมระหว่างสองบริษัทไม่ชัดเจนขึ้น Reuters ยังรายงานว่า YMTC เคยส่งตัวอย่าง low-power DRAM ให้ลูกค้าทดสอบ ซึ่งบ่งชี้ว่าทั้งสองฝ่ายเริ่มขยายเข้าสู่พื้นที่เดิมของอีกฝ่ายแล้ว 1

ในตลาด NAND ระดับโลก CXMT อาจกลายเป็นคู่แข่งเพิ่มขึ้นของ Samsung Electronics, SK hynix และ Micron ในอนาคต อย่างไรก็ตาม ยังไม่ควรตีความว่าโครงการปักกิ่งทำให้ CXMT อยู่ในระดับเดียวกับบริษัทเหล่านี้แล้ว ไม่ว่าจะด้านเทคโนโลยี ขนาดการผลิต ปริมาณผลผลิต หรือการรับรองคุณภาพจากลูกค้า เพราะแผนที่ทราบยังจำกัดอยู่ที่ R&D และการผลิตทดลอง ขณะที่ผู้เล่นเดิมดำเนินธุรกิจ NAND เชิงพาณิชย์เต็มรูปแบบอยู่แล้ว 1

สิ่งที่ยังไม่มีคำตอบ

รายงาน Reuters ยังไม่ได้เปิดเผยรายละเอียดสำคัญต่อไปนี้

• วันเริ่มเดินสายการผลิต: ยังไม่มีวันที่รายงานว่าไลน์ R&D จะเริ่มทำงาน 1
• การเปลี่ยนสู่การผลิตจำนวนมาก: CXMT ยังไม่ได้ยืนยันต่อสาธารณะว่าไลน์ทดลองจะต่อยอดเป็นโรงงาน NAND เชิงพาณิชย์ขนาดใหญ่หรือไม่ 1
• เทคโนโลยีการผลิต: ไม่มีการเปิดเผย process node จำนวนเลเยอร์ สถาปัตยกรรม NAND หรือเทคโนโลยีการซ้อนและการบอนด์ที่ระบุชื่อ 1
• กำลังการผลิตและยอดส่งมอบ: ยังไม่มีเป้าหมาย wafer starts ตัวเลข yield กำหนดส่งสินค้า เป้าหมายรายได้ หรือปริมาณขายเชิงพาณิชย์ 1

ช่องว่างเหล่านี้มีความสำคัญ เพราะไลน์ R&D ช่วยสะสมความเชี่ยวชาญด้านกระบวนการผลิตและสร้างตัวอย่างให้ลูกค้าทดสอบได้ แต่ไม่ได้เพิ่มอุปทาน NAND ที่มีนัยสำคัญในระยะใกล้ หลักฐานสาธารณะที่มีอยู่จึงยังไม่เพียงพอจะสรุปว่า NAND ของ CXMT จะช่วยคลี่คลายภาวะขาดแคลนสตอเรจในเร็ววัน หรือจะกลายเป็นแหล่งชิปสำหรับ SSD และเซิร์ฟเวอร์รายใหญ่ในไม่ช้า 1

อย่าปะปนกับโครงการอื่นของ CXMT

รายงานเกี่ยวกับ CXMT หลายเรื่องกล่าวถึงคนละเทคโนโลยีและคนละโครงการ จึงไม่ควรนำมารวมกันเป็นโรดแมป NAND ที่ยืนยันแล้ว

แผนโรงงานหน่วยความจำแห่งที่สองในปักกิ่ง

เมื่อเดือนสิงหาคม Reuters รายงานว่า CXMT กำลังพิจารณาสร้างโรงงานชิปหน่วยความจำขนาด 12 นิ้วแห่งที่สองในเขตอี้จวงของปักกิ่ง และอยู่ระหว่างหารือเรื่องเงินทุนกับศูนย์กลางการผลิตเทคโนโลยีที่ได้รับการสนับสนุนจากรัฐบาลท้องถิ่น รายงานนั้นกล่าวถึงความเป็นไปได้ในการขยายกำลังผลิต แต่ไม่ได้ยืนยันว่าโครงการดังกล่าวจะเป็นโรงงาน NAND เชิงพาณิชย์ หรือระบุตารางการผลิต NAND ที่ผูกพันแล้ว 3

HBM เป็นโครงการ DRAM สำหรับ AI คนละประเภทกับ NAND

CXMT ยังมีรายงานว่าเริ่มผลิต HBM3E ในปริมาณเล็กน้อย โดยนักออกแบบชิปจีนอย่าง T-Head ของ Alibaba และ Cambricon กำลังทดสอบหน่วยความจำนี้กับโปรเซสเซอร์ของตน HBM เป็น DRAM แบบซ้อนชั้นสำหรับงานประมวลผล AI ไม่ใช่ NAND flash 2

รายงานอีกฉบับระบุว่า yield ในการผลิตทดลอง HBM3 ระยะแรกของ CXMT อยู่ราว 25% เทียบกับเกณฑ์ประมาณ 80% ที่ถูกอ้างถึงสำหรับการผลิตจำนวนมาก ตัวเลขดังกล่าวเกี่ยวข้องกับ HBM เท่านั้น จึงไม่ควรถูกนำไปใช้เป็น yield ของ NAND หรือใช้ประเมินไลน์ NAND ที่เสนอในปักกิ่ง 17

ยังไม่มีโรดแมป XStacking ที่ยืนยันสำหรับไลน์ NAND นี้

รายงาน Reuters วันที่ 18 กันยายนไม่ได้ระบุ XStacking หรือกระบวนการบอนด์และการซ้อน NAND ชนิดอื่นที่ระบุชื่อไว้ ดังนั้นจากหลักฐานที่มี ยังไม่สามารถระบุเทคโนโลยี NAND, node หรือโรดแมปการผลิตเฉพาะเจาะจงให้กับโครงการนี้ได้ 1

บทสรุปสำหรับตลาด

แผนไลน์ NAND ในปักกิ่งของ CXMT มีนัยเชิงกลยุทธ์ เพราะอาจขยายธุรกิจจาก DRAM ไปสู่ตลาดสตอเรจที่เกื้อหนุนกันในช่วงอุปทานหน่วยความจำโลกตึงตัว นอกจากนี้ยังอาจเพิ่มการแข่งขันกับ YMTC ในจีน และในระยะยาวอาจสร้างผู้ท้าชิงเพิ่มในตลาด NAND โลก 1

แต่ในตอนนี้ ควรมองโครงการนี้ว่าอยู่ในระยะเริ่มต้นของการวิจัยและผลิตนำร่อง ตัวชี้วัดที่จะทำให้เรื่องนี้เป็นเหตุการณ์ใหญ่ของตลาดยังขาดอยู่ ได้แก่ วันเริ่มดำเนินงาน สเปกเทคนิค การรับรองจากลูกค้า กำลังผลิตเชิงพาณิชย์ yield และการตัดสินใจเร่งผลิตจำนวนมาก