รายงานที่ว่าซัมซุงจะใช้กระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC ผลิต base die ให้ NVHBM ของ Nvidia ถือเป็นการเปลี่ยนจากแนวทางที่ซัมซุงมักผลิตชิ้นส่วน HBM เอง แต่ขอบเขตที่รายงานกล่าวถึงนั้นจำกัดอยู่ที่ผลิตภัณฑ์สำหรับ Nvidia ไม่ได้แปลว่าซัมซุงกำลังเลิกทำ HBM แบบครบวงจรทั้งหมด และทั้งสองบริษัทก็ยังไม่ได้ยืนยันข้อตกลงนี้อย่างเป็นทางการ
32
35
Nvidia ต้องการให้ซัพพลายเออร์ใช้สเปกร่วมกัน
รายงานที่อ้างแหล่งข่าวในอุตสาหกรรมระบุว่า Nvidia ขอให้ซัมซุง SK hynix และ Micron ใช้กระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC ผลิต base die ของ NVHBM พร้อมใช้ DRAM รุ่น 1c หรือ DRAM ระดับ 10 นาโนเมตรคลาสรุ่นที่ 6 สำหรับชิปหน่วยความจำที่ซ้อนอยู่ด้านบน โดยมีรายงานว่าซัมซุงตอบรับคำขอหลังทบทวนภายในบริษัท
1
5
ชิ้นส่วนสองส่วนนี้ทำหน้าที่ต่างกัน: base die คือชิปตรรกะที่อยู่ฐานของชุด HBM ส่วน core die คือชั้นชิปหน่วยความจำที่วางซ้อนอยู่ด้านบน การกำหนดกระบวนการผลิตให้เหมือนกันอาจช่วยให้ Nvidia ทำงานกับซัพพลายเออร์แต่ละรายบนแพลตฟอร์มที่สอดคล้องกันมากขึ้น แต่ไม่ได้หมายความว่าผลิตภัณฑ์สำเร็จรูปจากทั้งสามรายจะเหมือนกันทุกประการ
5
35
ข้อยกเว้นจากแนวทางผลิตครบวงจรของซัมซุง
โมเดลผลิตครบวงจรของซัมซุง หรือ turnkey หมายถึงการผลิตได้ทั้ง base die ซึ่งเป็นส่วนตรรกะ และชิปหน่วยความจำที่ซ้อนเป็นชั้น ๆ ในผลิตภัณฑ์ HBM เอง แต่ภายใต้ข้อตกลงที่มีรายงานนี้ TSMC จะเป็นผู้จัดหากระบวนการผลิตสำหรับ base die ของ NVHBM ขณะที่ซัมซุงยังเป็นหนึ่งในผู้ผลิตหน่วยความจำ การเปลี่ยนแปลงจึงอยู่ที่การผลิตชิ้นส่วนหนึ่งสำหรับผลิตภัณฑ์นี้ ไม่ใช่การถอนตัวจากธุรกิจ HBM ทั้งหมด
32
รายงานยังระบุว่าซัมซุงจะผลิต base die เองต่อไปสำหรับ HBM รุ่นมาตรฐาน ซึ่งชี้ว่าเป็นการปรับตามข้อกำหนดเฉพาะของ Nvidia มากกว่าการเปลี่ยนทิศทางการผลิตของบริษัทในวงกว้าง
11
เหตุใด base die จึงสำคัญกับ NVHBM
ตามข้อมูลที่มีรายงาน Nvidia ย้ายตัวควบคุมหน่วยความจำจากชิปประมวลผลไปไว้ใน base die ของ HBM ทำให้ชิ้นส่วนนี้มีบทบาทด้านตรรกะมากกว่าการเป็นเพียงฐานรองของชั้นหน่วยความจำ
40 Nvidia ระบุว่า NVHBM ให้แบนด์วิดท์สูงขึ้นได้ถึง 30% และลดการใช้พลังงานของ HBM ลง 15% เมื่อเทียบกับ HBM4E มาตรฐาน อย่างไรก็ตาม ตัวเลขเหล่านี้เป็นคำกล่าวอ้างเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่การรับประกันว่าจะได้ผลเท่ากันในทุกระบบ
43
การรวมฟังก์ชันเพิ่มเติมไว้ใน base die ช่วยอธิบายว่าทำไมกระบวนการผลิตของชิ้นส่วนนี้จึงเป็นหัวใจของรายงาน แต่สิ่งที่มีอยู่ในขณะนี้ยังเป็นข้อมูลเรื่องคำขอและการตอบรับที่ถูกรายงาน ไม่ใช่เอกสารทางเทคนิคสาธารณะที่ยืนยันผลการผลิตหรือประสิทธิภาพอย่างละเอียด
สิ่งที่รายงานบอกได้—and สิ่งที่ยังยืนยันไม่ได้
หากข้อมูลนี้เป็นจริง ก็สะท้อนว่า Nvidia อาจมีอิทธิพลต่อวิธีที่ซัพพลายเออร์หน่วยความจำหลายรายผลิตชิ้นส่วนสำหรับผลิตภัณฑ์เฉพาะของตน สำหรับซัมซุง ทางเลือกนี้หมายถึงการลดการควบคุมการผลิต base die ของ NVHBM เอง เพื่อให้สอดคล้องกับกระบวนการที่ Nvidia ต้องการ
1
5
อย่างไรก็ดี Reuters รายงานเรื่องนี้โดยอ้างรายงานของ Seoul Economic Daily และสื่ออีกแห่งระบุว่าบริษัทที่เกี่ยวข้องยังไม่ได้ยืนยันรายละเอียดการผลิตดังกล่าวต่อสาธารณะ
32
35 ดังนั้น ข้ออ้างเกี่ยวกับผลผลิตจากโรงงาน การใช้กระบวนการของซัมซุงเป็นแผนสำรอง หรือรายละเอียดกำลังการผลิตของ TSMC จึงยังไม่ควรถูกมองว่าเป็นผลลัพธ์ที่ยืนยันแล้ว
ประเด็นสำคัญที่สุดคือ หากซัมซุงเลือกใช้กระบวนการของ TSMC สำหรับ NVHBM จริง ก็อาจหมายถึงโมเดลผลิตครบวงจรของบริษัทมีความยืดหยุ่นตามความต้องการของลูกค้า มากกว่าจะหมดความสำคัญ: ข้อกำหนดของ Nvidia อาจมาก่อนสำหรับ NVHBM ขณะที่ซัมซุงยังผลิต HBM ผลิตภัณฑ์อื่นด้วยกระบวนการของตนเองต่อไป