ชิป HBM รุ่นที่ 7 นี้ต่อยอดจาก HBM4 ที่ซัมซุงเป็นเจ้าแรกในอุตสาหกรรมที่เริ่มผลิตและจัดส่งเชิงพาณิชย์ไปเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2026 การเปลี่ยนผ่านจากการผลิต HBM4 มาสู่การส่งตัวอย่าง HBM4E ได้ในเวลาเพียงสามเดือน สะท้อนให้เห็นถึงความเร็วในการพัฒนาที่น่าทึ่ง เพื่อรองรับโมเดล AI ที่มีขนาดใหญ่ขึ้นเรื่อยๆ

สเปกของ HBM4E: แรงแค่ไหน?

HBM4E แบบ 12 ชั้น เป็นการก้าวกระโดดครั้งสำคัญเหนือกว่ารุ่นก่อน โดยซัมซุงยืนยันอัตราข้อมูลต่อพิน (per-pin data rate) ที่ 14 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) และสามารถเร่งประสิทธิภาพได้สูงถึง 16 Gbps สำหรับการประมวลผลข้อมูลระดับสูงสุด นั่นหมายถึงความเร็วที่เพิ่มขึ้นกว่า 20% จาก HBM4 ของซัมซุงเอง

• แบนด์วิดท์หน่วยความจำ: สูงถึง 3.6 เทราไบต์ต่อวินาที (TB/s) ต่อสแตก โดยการออกแบบสูงสุดตั้งเป้าไว้ที่ 4.0 TB/s
• ความจุ: 36 GB ต่อสแตก ทำได้โดยใช้เม็ด DRAM (DRAM die) ขนาด 24 Gb ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 1c (10 นาโนเมตรคลาส เจนเนอเรชันที่ 6) ประกอบเข้ากับชิปฐานลอจิกจากโรงหลอม 4 นาโนเมตรของซัมซุง

นอกจากความเร็วและแบนด์วิดท์ที่เพิ่มขึ้นแล้ว ซัมซุงยังรายงานถึงการปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการระบายความร้อนที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้าอีกด้วย

เปรียบเทียบกับ HBM4

• HBM4 (รุ่นก่อนหน้า): ความเร็ว 11.7 Gbps ต่อพิน (เร่งได้ถึง 13 Gbps) ซึ่งสูงกว่ามาตรฐานอุตสาหกรรม JEDEC ถึง 46% มีแบนด์วิดท์สูงสุด 3.3 TB/s ต่อสแตก
• HBM4E (รุ่นใหม่): ความเร็ว 14-16 Gbps ต่อพิน และมีแบนด์วิดท์ขั้นต่ำเพิ่มขึ้นเป็น 3.6 TB/s

เร่งเครื่องเหนือคาด: จากปลายปีมาส่งได้กลางปี

เดิมทีแผนงานของซัมซุงระบุว่าจะเริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E ในช่วงครึ่งหลังของปี 2026 แต่มีรายงานในเดือนเมษายน 2026 ว่าซัมซุงได้เร่งการพัฒนาภายใน โดยผลิตตัวอย่าง HBM4E ตัวแรกได้ในเดือนพฤษภาคม และเร่งตรวจสอบภายในเพื่อส่งมอบให้ลูกค้า การประกาศอย่างเป็นทางการในวันที่ 29 พฤษภาคม เป็นการยืนยันถึงแผนที่ถูกเร่งขึ้นมาสำเร็จ โดยส่งมอบตัวอย่างได้เร็วกว่ากำหนดเดิม 1-2 เดือน

มากกว่า 12 ชั้น: ครอบคลุมทุกความต้องการ

ซัมซุงไม่ได้จำกัด HBM4E ไว้ที่ 12 ชั้นเพียงอย่างเดียว แผนงานครอบคลุมทั้งแบบ 8 ชั้น, 12 ชั้น และ 16 ชั้น เพื่อรองรับปริมาณงาน AI และระดับราคาที่แตกต่างกัน

• 16-layer HBM4E: อยู่ในระหว่างการพัฒนา โดยตั้งเป้าความจุสูงสุด 48 GB ต่อสแตก ซึ่งจะใช้เทคโนโลยี Hybrid Copper Bonding (HCB) หรือการเชื่อมต่อทองแดงโดยตรง ซึ่งช่วยลดความต้านทานความร้อนลงได้มากกว่า 20% เมื่อเทียบกับวิธีการแบบเดิม ทำให้สามารถซ้อนชั้นได้ 16 ชั้นอย่างมีประสิทธิภาพ
• 8-layer HBM4E: เป็นตัวเลือกที่มีความจุน้อยกว่าแต่ราคาย่อมเยากว่า เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

ศึกแห่งอนาคต: ซัมซุง vs. SK Hynix

การส่งตัวอย่าง HBM4E เป็นการเคลื่อนทัพล่าสุดในศึกระยะยาวระหว่างสองยักษ์ใหญ่จากเกาหลีใต้ที่ร่วมกันผลิต HBM ถึง 90% ของทั้งโลก

จาก HBM4 สู่ HBM4E: การชิงความได้เปรียบ

ซัมซุงเริ่มต้นด้วยการเป็นเจ้าแรกที่ผลิต HBM4 เชิงพาณิชย์ในเดือนกุมภาพันธ์ 2026 และส่งมอบให้ลูกค้ารายใหญ่รวมถึง NVIDIA เพื่อใช้ในแพลตฟอร์ม AI Vera Rubin ความสำเร็จนั้นมาจากกลยุทธ์ที่กล้าได้กล้าเสีย ด้วยการเลือกใช้ DRAM 1c ที่ล้ำสมัย ในขณะที่คู่แข่งอย่าง SK Hynix และ Micron ยังใช้เทคโนโลยี 1b ที่พัฒนาแล้วและเสถียรกว่า รวมถึงการมีโรงหลอมผลิตชิปฐานลอจิกได้เอง ซึ่งต่างจาก SK Hynix ที่ต้องพึ่งพา TSMC

ความท้าทายที่ยังมีอยู่

อย่างไรก็ตาม การเลือกใช้ DRAM 1c ก่อนใครมีต้นทุน โดยในเดือนเมษายน 2026 อัตราผลผลิต (yield) ของ DRAM สำหรับ HBM4 ยังอยู่ที่ต่ำกว่า 60% ซึ่งแม้ซัมซุงจะตั้งเป้าเพิ่มให้ใกล้สมบูรณ์ในครึ่งปีหลัง แต่ก็ยังเป็นข้อจำกัดด้านปริมาณการผลิต ในทางกลับกัน SK Hynix ยังคงได้เปรียบด้านอัตราผลผลิตที่สูงกว่าจาก HBM3E และกระบวนการผลิต MR-MUF ที่พิสูจน์แล้ว

พนันด้วยเทคโนโลยีที่แตกต่าง

ภายใต้การประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ ซัมซุงและ SK Hynix กำลังเดิมพันด้วยเทคโนโลยีที่แตกต่างกันอย่างสิ้นเชิง:

• ซัมซุง มุ่งไปที่เทคโนโลยี Hybrid Copper Bonding (HCB) สำหรับ HBM4 และ HBM4E แบบ 16 ชั้น ซึ่งช่วยให้ซ้อนชั้นได้บางลงและระบายความร้อนได้ดี แต่มีความซับซ้อนในการผลิตสูง
• SK Hynix ยังคงพัฒนาเทคโนโลยี Advanced MR-MUF อย่างต่อเนื่อง ซึ่งมีประวัติความสำเร็จในด้านความเสถียรของอัตราผลผลิตสำหรับการซ้อนชั้น 12 ชั้น โดยคาดว่าจะเปลี่ยนไปใช้ Hybrid Bonding สำหรับการผลิตแบบ 20 ชั้นในปี 2027

คำถามสำคัญคือ บริษัทใดจะสามารถขยายจำนวนชั้นได้อย่างคุ้มค่าที่สุด ซึ่งนั่นจะเป็นตัวตัดสินผู้ชนะในระยะยาวของตลาดหน่วยความจำ AI นี้

ชิป HBM รุ่นที่ 7 นี้ต่อยอดจาก HBM4 ที่ซัมซุงเป็นเจ้าแรกในอุตสาหกรรมที่เริ่มผลิตและจัดส่งเชิงพาณิชย์ไปเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2026 การเปลี่ยนผ่านจากการผลิต HBM4 มาสู่การส่งตัวอย่าง HBM4E ได้ในเวลาเพียงสามเดือน สะท้อนให้เห็นถึงความเร็วในการพัฒนาที่น่าทึ่ง เพื่อรองรับโมเดล AI ที่มีขนาดใหญ่ขึ้นเรื่อยๆ

สเปกของ HBM4E: แรงแค่ไหน?

HBM4E แบบ 12 ชั้น เป็นการก้าวกระโดดครั้งสำคัญเหนือกว่ารุ่นก่อน โดยซัมซุงยืนยันอัตราข้อมูลต่อพิน (per-pin data rate) ที่ 14 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) และสามารถเร่งประสิทธิภาพได้สูงถึง 16 Gbps สำหรับการประมวลผลข้อมูลระดับสูงสุด นั่นหมายถึงความเร็วที่เพิ่มขึ้นกว่า 20% จาก HBM4 ของซัมซุงเอง

• แบนด์วิดท์หน่วยความจำ: สูงถึง 3.6 เทราไบต์ต่อวินาที (TB/s) ต่อสแตก โดยการออกแบบสูงสุดตั้งเป้าไว้ที่ 4.0 TB/s
• ความจุ: 36 GB ต่อสแตก ทำได้โดยใช้เม็ด DRAM (DRAM die) ขนาด 24 Gb ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 1c (10 นาโนเมตรคลาส เจนเนอเรชันที่ 6) ประกอบเข้ากับชิปฐานลอจิกจากโรงหลอม 4 นาโนเมตรของซัมซุง

นอกจากความเร็วและแบนด์วิดท์ที่เพิ่มขึ้นแล้ว ซัมซุงยังรายงานถึงการปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการระบายความร้อนที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้าอีกด้วย

เปรียบเทียบกับ HBM4

• HBM4 (รุ่นก่อนหน้า): ความเร็ว 11.7 Gbps ต่อพิน (เร่งได้ถึง 13 Gbps) ซึ่งสูงกว่ามาตรฐานอุตสาหกรรม JEDEC ถึง 46% มีแบนด์วิดท์สูงสุด 3.3 TB/s ต่อสแตก
• HBM4E (รุ่นใหม่): ความเร็ว 14-16 Gbps ต่อพิน และมีแบนด์วิดท์ขั้นต่ำเพิ่มขึ้นเป็น 3.6 TB/s

เร่งเครื่องเหนือคาด: จากปลายปีมาส่งได้กลางปี

เดิมทีแผนงานของซัมซุงระบุว่าจะเริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E ในช่วงครึ่งหลังของปี 2026 แต่มีรายงานในเดือนเมษายน 2026 ว่าซัมซุงได้เร่งการพัฒนาภายใน โดยผลิตตัวอย่าง HBM4E ตัวแรกได้ในเดือนพฤษภาคม และเร่งตรวจสอบภายในเพื่อส่งมอบให้ลูกค้า การประกาศอย่างเป็นทางการในวันที่ 29 พฤษภาคม เป็นการยืนยันถึงแผนที่ถูกเร่งขึ้นมาสำเร็จ โดยส่งมอบตัวอย่างได้เร็วกว่ากำหนดเดิม 1-2 เดือน

มากกว่า 12 ชั้น: ครอบคลุมทุกความต้องการ

ซัมซุงไม่ได้จำกัด HBM4E ไว้ที่ 12 ชั้นเพียงอย่างเดียว แผนงานครอบคลุมทั้งแบบ 8 ชั้น, 12 ชั้น และ 16 ชั้น เพื่อรองรับปริมาณงาน AI และระดับราคาที่แตกต่างกัน

• 16-layer HBM4E: อยู่ในระหว่างการพัฒนา โดยตั้งเป้าความจุสูงสุด 48 GB ต่อสแตก ซึ่งจะใช้เทคโนโลยี Hybrid Copper Bonding (HCB) หรือการเชื่อมต่อทองแดงโดยตรง ซึ่งช่วยลดความต้านทานความร้อนลงได้มากกว่า 20% เมื่อเทียบกับวิธีการแบบเดิม ทำให้สามารถซ้อนชั้นได้ 16 ชั้นอย่างมีประสิทธิภาพ
• 8-layer HBM4E: เป็นตัวเลือกที่มีความจุน้อยกว่าแต่ราคาย่อมเยากว่า เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

ศึกแห่งอนาคต: ซัมซุง vs. SK Hynix

การส่งตัวอย่าง HBM4E เป็นการเคลื่อนทัพล่าสุดในศึกระยะยาวระหว่างสองยักษ์ใหญ่จากเกาหลีใต้ที่ร่วมกันผลิต HBM ถึง 90% ของทั้งโลก

จาก HBM4 สู่ HBM4E: การชิงความได้เปรียบ

ซัมซุงเริ่มต้นด้วยการเป็นเจ้าแรกที่ผลิต HBM4 เชิงพาณิชย์ในเดือนกุมภาพันธ์ 2026 และส่งมอบให้ลูกค้ารายใหญ่รวมถึง NVIDIA เพื่อใช้ในแพลตฟอร์ม AI Vera Rubin ความสำเร็จนั้นมาจากกลยุทธ์ที่กล้าได้กล้าเสีย ด้วยการเลือกใช้ DRAM 1c ที่ล้ำสมัย ในขณะที่คู่แข่งอย่าง SK Hynix และ Micron ยังใช้เทคโนโลยี 1b ที่พัฒนาแล้วและเสถียรกว่า รวมถึงการมีโรงหลอมผลิตชิปฐานลอจิกได้เอง ซึ่งต่างจาก SK Hynix ที่ต้องพึ่งพา TSMC

ความท้าทายที่ยังมีอยู่

อย่างไรก็ตาม การเลือกใช้ DRAM 1c ก่อนใครมีต้นทุน โดยในเดือนเมษายน 2026 อัตราผลผลิต (yield) ของ DRAM สำหรับ HBM4 ยังอยู่ที่ต่ำกว่า 60% ซึ่งแม้ซัมซุงจะตั้งเป้าเพิ่มให้ใกล้สมบูรณ์ในครึ่งปีหลัง แต่ก็ยังเป็นข้อจำกัดด้านปริมาณการผลิต ในทางกลับกัน SK Hynix ยังคงได้เปรียบด้านอัตราผลผลิตที่สูงกว่าจาก HBM3E และกระบวนการผลิต MR-MUF ที่พิสูจน์แล้ว

พนันด้วยเทคโนโลยีที่แตกต่าง

ภายใต้การประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ ซัมซุงและ SK Hynix กำลังเดิมพันด้วยเทคโนโลยีที่แตกต่างกันอย่างสิ้นเชิง:

• ซัมซุง มุ่งไปที่เทคโนโลยี Hybrid Copper Bonding (HCB) สำหรับ HBM4 และ HBM4E แบบ 16 ชั้น ซึ่งช่วยให้ซ้อนชั้นได้บางลงและระบายความร้อนได้ดี แต่มีความซับซ้อนในการผลิตสูง
• SK Hynix ยังคงพัฒนาเทคโนโลยี Advanced MR-MUF อย่างต่อเนื่อง ซึ่งมีประวัติความสำเร็จในด้านความเสถียรของอัตราผลผลิตสำหรับการซ้อนชั้น 12 ชั้น โดยคาดว่าจะเปลี่ยนไปใช้ Hybrid Bonding สำหรับการผลิตแบบ 20 ชั้นในปี 2027

คำถามสำคัญคือ บริษัทใดจะสามารถขยายจำนวนชั้นได้อย่างคุ้มค่าที่สุด ซึ่งนั่นจะเป็นตัวตัดสินผู้ชนะในระยะยาวของตลาดหน่วยความจำ AI นี้