Micron วางแผนเพิ่มกำลังผลิต HBM แตะ 100,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 อย่างไร

แผนของ Micron: เร่งกำลังผลิตปัจจุบัน พร้อมปูฐานสำหรับรอบถัดไป

Micron ใช้กลยุทธ์สองทางเพื่อเพิ่มบทบาทในตลาดหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM (High-Bandwidth Memory) ซึ่งเป็นหน่วยความจำสำคัญสำหรับตัวเร่งการประมวลผล AI: ระยะสั้นคือโยกทรัพยากร DRAM และแพ็กเกจจิ้งที่มีอยู่ไปผลิต HBM4 ให้มากขึ้นอย่างรวดเร็ว ส่วนระยะยาวคือทุ่มลงทุนโรงงานและโครงสร้างพื้นฐานในเอเชียเพื่อรองรับการเติบโตตั้งแต่ปี 2027 เป็นต้นไป

เป้าหมายคือเพิ่มกำลังการป้อนเวเฟอร์สำหรับ HBM เป็นประมาณ 100,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 ซึ่งมากกว่าสองเท่าของระดับปี 2025 โดยมีรายงานว่า Micron อาจเพิ่มได้ถึง 60,000 เวเฟอร์ต่อเดือนในช่วงปลายปี 7 แนวทางนี้ไม่ได้อาศัยการรอโรงงานใหม่เพียงอย่างเดียว แต่เน้นการลงทุนเครื่องจักรอย่างเข้มข้นและเพิ่มสัดส่วนผลิตภัณฑ์ HBM4 แบบ 12 ชั้น 6

HBM4 12 ชั้นสำหรับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia

หัวใจของการเร่งกำลังผลิตคือ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้น ของ Micron ซึ่งเริ่มส่งมอบในปริมาณมากตั้งแต่ไตรมาส 1 ของปีปฏิทิน 2026 เพื่อใช้กับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia ตามรายงานในอุตสาหกรรม 20 บริษัทระบุว่าผลิตภัณฑ์ดังกล่าวให้แบนด์วิดท์มากกว่า 2.8 TB/s และมีประสิทธิภาพด้านพลังงานดีขึ้นกว่า 20% เมื่อเทียบกับ HBM3E ของ Micron 9

สำหรับตลาด HBM การมีเวเฟอร์เพิ่มขึ้นอย่างเดียวไม่เพียงพอ ผู้ผลิตยังต้องทำให้ผลผลิตจากกระบวนการผลิตอยู่ในระดับเหมาะสม และผ่านการรับรองให้ทำงานร่วมกับแพลตฟอร์มของลูกค้าได้จริง การได้รับการยอมรับในระบบของ Nvidia จึงเป็นปัจจัยเชิงกลยุทธ์ควบคู่กับการขยายกำลังการผลิต

คำสั่งซื้อแน่น แต่กำลังผลิตยังเป็นคอขวด

มีรายงานว่ากำลังผลิต HBM ของ Micron สำหรับปี 2026 ถูกจองหมดแล้ว และกำลังผลิตบางส่วนของปี 2027 ก็ถูกผูกไว้ผ่านสัญญาระยะยาว 820 ภาวะนี้ช่วยเพิ่มความชัดเจนด้านรายได้และอำนาจต่อรองด้านราคา แต่ข้ออ้างว่ากำลังผลิตทั้งปี 2027 หรือการจองต่อเนื่องถึงปี 2028 เต็มทั้งหมดนั้น ยังมีข้อมูลสาธารณะสำหรับตรวจสอบอย่างอิสระไม่มากพอ

อุปทาน HBM ยังตึงตัว เพราะการผลิตต้องใช้ทั้งเวเฟอร์ DRAM ระดับแนวหน้าและการเรียงซ้อน/แพ็กเกจจิ้งขั้นสูง อีกทั้งการขยายกำลังผลิตใช้เวลาราว 12–18 เดือน ขณะที่ความต้องการจากงาน AI ยังเติบโตเร็วกว่าฝั่งอุปทานอย่างน้อยตลอดปี 2026 4

การลงทุนระยะยาว: ไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่น

นอกเหนือจากการปรับกำลังผลิตที่มีอยู่ Micron กำลังสร้างฐานรองรับการเติบโตในระยะถัดไป

• ไต้หวัน: Micron เข้าซื้อพื้นที่ Tongluo P5 ของ PSMC เพื่อเป็นฐานการผลิต DRAM ในอนาคต โดยคาดว่าจะเริ่มเวเฟอร์ได้ในปี 2027 11
• สิงคโปร์: บริษัทมีแผนลงทุน 24,000 ล้านดอลลาร์สหรัฐ ตลอด 10 ปี เพื่อสร้างโรงงานผลิตเวเฟอร์ขั้นสูงแห่งใหม่ ซึ่งคาดว่าเริ่มผลิตเวเฟอร์ได้ในครึ่งหลังของปี 2028 2 นอกจากนี้ยังมีการประกาศโครงการแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงสำหรับ HBM มูลค่าราว 7,000 ล้านดอลลาร์สหรัฐ เพื่อเสริมขั้นตอนการประกอบชิปแบบซ้อนชั้น 54
• ญี่ปุ่น: Micron เริ่มขยายโรงงานที่ฮิโรชิมาด้วยเงินลงทุนราว 1.5 ล้านล้านเยน หรือประมาณ 9,300 ล้านดอลลาร์สหรัฐ สำหรับหน่วยความจำขั้นสูง รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องกับ HBM โดยคาดว่าจะเริ่มส่งมอบจากสายการผลิตที่ขยายในช่วงฤดูร้อนปี 2028 19

ช่องว่างกับ SK hynix และแรงกดดันจาก Samsung

การขยับสู่ระดับ 100,000 เวเฟอร์ต่อเดือนจะทำให้ Micron เป็นผู้จัดหารายที่สามที่มีน้ำหนักมากขึ้นในห่วงโซ่อุปทานหน่วยความจำ AI แต่ยังไม่ได้เปลี่ยนลำดับผู้นำตลาดในทันที

• SK hynix ยังเป็นผู้นำ โดยครองส่วนแบ่งรายได้ HBM ราว 50% ในไตรมาส 2 ปี 2026 หลังอยู่ที่ประมาณ 58% ในไตรมาสแรก จุดแข็งสำคัญคือประสบการณ์การผลิต HBM สำหรับ Nvidia และขนาดการผลิตที่มากกว่า 1014
• Samsung ฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว โดยส่วนแบ่งรายได้ HBM ในไตรมาส 2 เพิ่มเป็น 33% จาก 21% ในไตรมาสแรก และตั้งเป้าใกล้ 38% ภายในสิ้นปี ขณะที่การเร่งผลิต HBM4 เดินหน้า 103
• Micron มีส่วนแบ่งรายได้ HBM ราว 21% ในไตรมาส 1 ปี 2026 ตามข้อมูลที่รายงาน โดยอยู่ในระดับเดียวกับ Samsung ขณะที่ SK hynix อยู่ที่ 58% 14

ดังนั้น แผนขยายกำลังผลิตของ Micron คือการเปลี่ยนสถานะจากผู้เล่นที่ติดข้อจำกัดด้านอุปทาน ไปสู่ผู้จัดหาทางเลือกที่มีความจำเป็นเชิงยุทธศาสตร์สำหรับผู้ผลิตตัวเร่ง AI อย่างไรก็ดี ส่วนแบ่งตลาดจริงจะขึ้นกับผลผลิต HBM4 การจัดสรรชิปให้ลูกค้าอย่าง Nvidia ความสามารถของสายแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง และการส่งมอบกำลังผลิตใหม่ได้ตามกำหนด มากกว่าจะวัดจากเป้าหมายจำนวนเวเฟอร์เพียงอย่างเดียว