AI กำลังเปลี่ยนตลาดเมมโมรี และภาวะตึงตัวอาจยืดเยื้อถึงปี 2570

AI กำลังเปลี่ยนตลาดเมมโมรีจากวัฏจักรขึ้นลงตามปกติ ให้กลายเป็นปัญหาเรื่องการจัดสรรกำลังผลิต ศูนย์ข้อมูลขนาดใหญ่ของผู้ให้บริการคลาวด์ต้องใช้ทั้งหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM ควบคู่ชิปประมวลผล AI, DRAM ความจุสูงในเซิร์ฟเวอร์ และ NAND ปริมาณมากสำหรับระบบจัดเก็บข้อมูล ผู้ผลิตจึงให้ความสำคัญกับสินค้ากลุ่มนี้ซึ่งมีมูลค่าสูงกว่า ขณะที่ความต้องการจาก PC สมาร์ตโฟน และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นยังดำเนินต่อไป ส่งผลให้ตลาดเมมโมรีทั่วไปมีส่วนเผื่อด้านอุปทานน้อยลง 28

เหตุใด AI จึงกระทบทั้ง DRAM และ NAND

จุดคอขวดที่เห็นชัดที่สุดคือ HBM ซึ่งเป็น DRAM เฉพาะทางที่วางใกล้กับชิป AI สมรรถนะสูง การผลิตต้องอาศัยทั้งกำลังการผลิตขั้นสูงและกระบวนการแพ็กเกจจิงเฉพาะทางที่มีจำกัด IDC ระบุว่าดีมานด์โครงสร้างพื้นฐาน AI โดยเฉพาะ HBM และ DRAM ความจุสูงในเซิร์ฟเวอร์ GPU เป็นแรงขับหลักของภาวะไม่สมดุลในปัจจุบัน เพราะความต้องการฝั่งเซิร์ฟเวอร์เติบโตเร็วกว่าที่อุปทานจะเพิ่มได้ทัน 8

ผลกระทบไม่ได้จำกัดอยู่แค่ HBM ระบบ AI ยังต้องมีพื้นที่เก็บข้อมูลขนาดใหญ่และความเร็วสูง จึงหนุนความต้องการ NAND ระดับองค์กรด้วย เมื่อผู้ผลิตเมมโมรีย้ายกำลังผลิตและเงินลงทุนไปยังผลิตภัณฑ์สำหรับ AI ที่มีกำไรสูงกว่า ผู้ซื้อ DRAM และ NAND แบบทั่วไปจึงต้องแข่งขันเพื่อแย่งกำลังผลิต หรือยอมรับราคาที่สูงขึ้น IDC ระบุว่าการโยกทรัพยากรไปสู่เมมโมรี AI มีส่วนทำให้เกิดภาวะขาดแคลนที่กระทบอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค 48

ทำไมภาวะตึงตัวอาจลากยาวถึงปี 2570

การเพิ่มผลผลิตเมมโมรีทำไม่ได้ในชั่วข้ามคืน โรงงานใหม่ต้องผ่านการก่อสร้าง ติดตั้งเครื่องมือ รับรองกระบวนการ และเร่งผลผลิตให้ได้อัตราของดีที่เหมาะสม ส่วน HBM ยังต้องพึ่งพาแพ็กเกจจิงขั้นสูงอีกขั้นหนึ่ง Sassine Ghazi ซีอีโอของ Synopsys กล่าวว่า ภาวะตึงตัวจะดำเนินต่อไปตลอดปี 2569 และ 2570 เพราะต้องใช้เวลาในการนำกำลังผลิตใหม่เข้าสู่ตลาด 12

Micron ก็ระบุเช่นกันว่า AI เปลี่ยนดีมานด์เร็วกว่าที่อุตสาหกรรมจะเพิ่มอุปทานได้ และคาดว่าตลาดจะตึงตัวลึกเข้าไปในปี 2570 และหลังจากนั้น 7 ตัวเลขคาดการณ์ของ IDC สะท้อนข้อจำกัดนี้ โดยประเมินว่าอุปทาน DRAM ปี 2569 จะโต 16% เมื่อเทียบกับปีก่อน และ NAND โต 17% ซึ่งทั้งคู่ต่ำกว่าบรรทัดฐานในอดีต 14

แน่นอนว่าเมมโมรีทุกประเภทจะไม่ได้ขาดแคลนในระดับเดียวกัน เงื่อนไขสัญญา รุ่นผลิตภัณฑ์ การจัดสรรของซัพพลายเออร์ และดีมานด์ของตลาดปลายทาง ล้วนทำให้สถานการณ์ของ HBM, DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์, DRAM สำหรับเครื่องลูกข่าย และ NAND แตกต่างกันได้ แต่ภาพรวมคืออุปทานใหม่กำลังมาไม่ทันการเติบโตของความต้องการที่นำโดย AI

ทำไมแรงกดดันจึงส่งต่อไปถึง PC และสมาร์ตโฟน

เมมโมรีเป็นต้นทุนสำคัญในโครงสร้างต้นทุนของอุปกรณ์ IDC ระบุว่า PC และสมาร์ตโฟนกำลังเผชิญต้นทุนชิ้นส่วนที่สูงขึ้น จนเปลี่ยนสมการด้านต้นทุนและราคาของสินค้า 8 ผู้ผลิตอาจเลือกแบกรับต้นทุนไว้ในอัตรากำไร ปรับขึ้นราคาขาย ลดหรือปรับสเปกหน่วยความจำและพื้นที่เก็บข้อมูล หรือเปลี่ยนแผนผลิตภัณฑ์

ในแบบจำลองสำหรับปี 2569 IDC ประเมินว่าราคาเฉลี่ยขายของสมาร์ตโฟนอาจเพิ่ม 3%–5% ในกรณีปานกลาง หรือ 6%–8% ในกรณีที่แย่กว่า ตัวเลขนี้เป็นเพียงสถานการณ์จำลอง ไม่ได้หมายความว่าสมาร์ตโฟนทุกเครื่องจะปรับราคาเพิ่มในอัตราดังกล่าว 14

สำหรับซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนปลายน้ำ ความเสี่ยงหลักเป็นผลกระทบทางอ้อม กล่าวคือ เมื่อ PC โทรศัพท์ หรืออุปกรณ์ต่อพ่วงมีต้นทุนสูงขึ้น ปริมาณการจัดส่งของลูกค้า ส่วนผสมสินค้า และความต้องการสต็อกอาจเปลี่ยนแปลงได้ ข้อมูลที่มีไม่ได้ยืนยันผลกระทบทางการเงิน คาดการณ์ หรือคำแนะนำเฉพาะบริษัทของ Sonix Technology จึงยังไม่อาจประเมินผลกระทบเชิงตัวเลขต่อบริษัทได้

คำเตือนของ Phison ต่อ NAND บอกอะไร

Khein-Seng Pua ซีอีโอของ Phison เตือนว่า NAND Flash อาจเผชิญภาวะขาดแคลนรุนแรงที่สุดในปี 2570 17 รายงานอีกชิ้นเกี่ยวกับความเห็นของเขาระบุว่า เขาได้รับข้อมูลว่ากำลังผลิต NAND ใหม่อาจต้องใช้เวลาราว 4 ปีจึงจะไล่ทันดีมานด์ ซึ่งหากเกิดขึ้นจริงย่อมชี้ไปถึงปี 2573 หรือหลังจากนั้น 19

ควรมองสิ่งนี้เป็นมุมมองด้านความเสี่ยง ไม่ใช่ข้อสรุปที่ตายตัวสำหรับตลาด ข้อสรุประยะใกล้ที่มีหลักฐานสนับสนุนกว้างกว่าคือ อุปทานเมมโมรีที่ตึงตัวและราคาที่สูงมีแนวโน้มดำเนินต่อถึงปี 2570 ส่วนผลลัพธ์ที่ยืดไปถึงปี 2573 จะขึ้นอยู่กับความเร็วในการเพิ่มกำลังผลิต การปรับปรุงอัตราผลผลิต สัดส่วนการผลิตที่ยังถูกจัดสรรให้เมมโมรี AI และการเติบโตของดีมานด์โครงสร้างพื้นฐาน AI 71219

กำลังผลิตใหม่จะช่วยได้เมื่อไร

โครงการของ SK hynix ในรัฐอินเดียนา มูลค่ากว่า 4 พันล้านดอลลาร์ แสดงให้เห็นทั้งขนาดของการตอบสนองและระยะเวลานำที่ยาวนาน บริษัทตั้งเป้าสร้างห้องสะอาดให้เสร็จภายในเดือนตุลาคม 2571 และเริ่มผลิต HBM4E ปริมาณมากในไตรมาส 3 ปี 2572 โดย Kwak Noh-jung ซีอีโอของบริษัทคาดว่าภาวะขาดแคลนเมมโมรีจะยืดเยื้อถึงสิ้นปี 2573

โรงงานนี้จะเพิ่มขีดความสามารถด้านแพ็กเกจจิง HBM ในสหรัฐฯ อย่างมีนัยสำคัญตั้งแต่ช่วงปลายปี 2572 เป็นต้นไป แต่ไม่ใช่ยารักษาทันทีสำหรับเมมโมรีทุกประเภท โรงงานแพ็กเกจจิงที่มุ่งผลิต HBM รุ่นใหม่ ไม่ได้เพิ่มกำลังผลิตเวเฟอร์ให้เพียงพอโดยตัวมันเอง และไม่ได้แก้คอขวดของ DRAM ทั่วไปหรือ NAND ทั้งหมด

สิ่งที่ผู้ซื้ออุปกรณ์ควรจับตา

ภาวะตึงตัวของเมมโมรีไม่ใช่แค่เรื่องของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์อีกต่อไป แต่กำลังกลายเป็นโจทย์การวางแผนสินค้าให้ผู้ผลิตอุปกรณ์ และเป็นโจทย์จัดซื้อให้บริษัทในห่วงโซ่อุปทาน ศูนย์ข้อมูล AI ใช้กำลังผลิตเมมโมรีในส่วนที่เดิมอาจรองรับตลาดอิเล็กทรอนิกส์วงกว้าง ขณะที่กำลังผลิตทดแทนต้องใช้เวลาหลายปีกว่าจะมาถึง

แรงกดดันที่ชัดที่สุดน่าจะยังอยู่ในเมมโมรีสำหรับ AI และเซิร์ฟเวอร์ พร้อมผลกระทบต่อราคาของ DRAM และ NAND สำหรับผู้บริโภคอย่างน้อยถึงปี 2570 การคลายตัวอาจเกิดขึ้นแบบไม่พร้อมกันเมื่อกำลังผลิตใหม่เริ่มเดินเครื่อง แต่คำกล่าวว่าตลาดจะกลับสู่ภาวะปกติเต็มรูปแบบภายในปีใดปีหนึ่งควรถูกพิจารณาอย่างระมัดระวัง โดยเฉพาะเมื่อกำลังผลิตใหม่เหล่านั้นมุ่งไปที่ HBM มากกว่าห่วงโซ่อุปทานเมมโมรีทั้งหมด