ซัมซุงเร่งเพิ่มกำลังผลิต DRAM กว่า 15% ภายในปี 2026 รับมือดีมานด์จาก Apple และวิกฤตชิปขาดแคลนที่ดันราคาพุ่งเท่าตัว

วิกฤต DRAM ขาดแคลนและราคาพุ่งเท่าตัว

• ราคาเพิ่มเท่าตัว: ราคา DRAM เพิ่มขึ้นเป็นเท่าตัวในไตรมาสแรกของปี 2569 และ TrendForce คาดการณ์ว่าจะเพิ่มขึ้นอีกกว่า 50% ในไตรมาสที่ 2 ของปี 2569 ชิป DDR4 8Gb ซึ่งเป็นเกณฑ์มาตรฐานทำสถิติสูงสุดอยู่ที่ 20 ดอลลาร์สหรัฐฯ ต่อหน่วยในเดือนพฤษภาคม 2569 เพิ่มขึ้น 25% จากเดือนก่อนหน้า
• Apple ได้รับผลกระทบหนัก: Apple จ่ายค่า LPDDR5X แพงขึ้นเป็นสองเท่า สำหรับชิปที่ใช้ในการผลิต iPhone 17 ซัมซุงและ SK Hynix เจรจาขึ้นราคา LPDDR 80–100% สำหรับการจัดหาหน่วยความจำ iPhone ในไตรมาสแรกของปี 2569 ให้กับ Apple ทิม คุก ซีอีโอ Apple ยอมรับว่าราคาที่พุ่งสูงขึ้นเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ทั่วทั้งกลุ่มผลิตภัณฑ์ของ Apple

การล็อบบี้ของ Apple เพื่อเข้าถึง DRAM จีน

• สะท้อนให้เห็นถึงความรุนแรงของวิกฤต Apple กำลังล็อบบี้รัฐบาลทรัมป์อย่างแข็งขัน เพื่อขอ Clearance ซื้อ DRAM จาก ChangXin Memory Technologies (CXMT) บริษัทจีนที่อยู่ในบัญชีดำของเพนตากอน รวมถึงจาก Yangtze Memory Technologies
• มีรายงานว่า Apple ได้เริ่ม ทดสอบชิป DRAM ของ CXMT สำหรับอุปกรณ์ที่ขายในจีน นักวิเคราะห์ Ming-Chi Kuo มองว่าการเคลื่อนไหวนี้ไม่ใช่เรื่องการลดต้นทุน แต่เป็นการ "เอาตัวรอดจากวิกฤตอุปทานที่ขับเคลื่อนโดย AI ที่เลวร้ายลง" พร้อมเตือนว่า ช่องว่างระหว่างอุปสงค์และอุปทานของหน่วยความจำจะยิ่งกว้างขึ้นไปจนถึงปี 2570

แผนขยายกิจการเซมิคอนดักเตอร์วงกว้างของซัมซุง

• เมกะแฟ็บพยองแท็ก P5: ซัมซุงเร่งกำหนดการก่อสร้าง P5 Fab 2 จากต้นปี 2570 มาเป็น เดือนกรกฎาคม 2569 ซึ่งเร็วขึ้น 6 เดือน P5 เป็นโรงงานคู่ (Fab 1 + Fab 2) แต่ละแห่งมีความจุประมาณ 300,000 เวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วต่อเดือน รวมกันประมาณ 600,000 เวเฟอร์/เดือน ซึ่งใกล้เคียงกับกำลังการผลิต DRAM ทั้งหมดในปัจจุบันของซัมซุง วงเงินลงทุนรวมประมาณ 120 ล้านล้านวอน (~82.7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) P5 Fab 1 มีกำหนดติดตั้งอุปกรณ์ในกลางปี 2570 ส่วน Fab 2 ในปี 2572
• โรงงาน DRAM แห่งใหม่ในคีฮึง: ในเดือนกรกฎาคม 2569 ซัมซุงประกาศแผนสร้างโรงงาน DRAM แห่งใหม่ที่ไซต์คีฮึง (Giheung) เพื่อรองรับความต้องการที่ขับเคลื่อนโดย AI เพิ่มเติม
• โรงหล่อเท็กซัส: ซัมซุงยังคงพัฒนาไซต์โรงหล่อของตน รวมถึงโรงหล่อลอจิกขั้นสูงในเทย์เลอร์ รัฐเท็กซัส (สายการผลิต S5/S6) แม้ว่าโรงงานในเท็กซัสจะเน้นด้านลอจิก/โรงหล่อมากกว่า DRAM ก็ตาม การขยายตัวครั้งนี้ครอบคลุมทั้งหน่วยความจำและโรงหล่อเพื่อแก้ปัญหาการขาดแคลนในหลายภาคส่วน

แนวโน้มอุตสาหกรรม: การขาดแคลนยืดเยื้อไปถึงปี 2570–2573

• IDC อธิบายถึง "วิกฤตการณ์ขาดแคลนชิปหน่วยความจำที่ไม่เคยเกิดขึ้นมาก่อน" ซึ่งส่งผลกระทบต่อเนื่องไปยังผู้ผลิตอุปกรณ์ และอาจ ยืดเยื้อไปจนถึงปี 2570
• การวิเคราะห์ของ Kearney PERLab ในปี 2569 คาดการณ์ว่าการขาดแคลนอาจกินเวลา อย่างน้อยจนถึงปี 2573 เนื่องจากความต้องการจากศูนย์ข้อมูล AI ดึงกำลังการผลิต HBM และ DRAM ออกจากตลาดทั่วไป
• แม้จะมีการขยายตัวอย่างรุนแรง แต่การใช้จ่ายระยะใกล้ส่วนใหญ่จะมุ่งไปที่การแปลงสายการผลิตที่มีอยู่และการสร้างโครงสร้างพื้นฐานคลีนรูมแทนที่จะเพิ่มผลผลิตเวเฟอร์ในทันที หมายความว่า การบรรเทาอุปทานที่แท้จริงยังอีกหลายปีข้างหน้า