กำลังผลิต DRAM ของ Samsung คาดว่าจะเพิ่มจาก 7.695 ล้านเวเฟอร์ในปี 2025 เป็น 8.175 ล้านเวเฟอร์ในปี 2026 แต่เพิ่มเพียงเล็กน้อยเป็น 8.28 ล้านเวเฟอร์ในปี 2027 กลยุทธ์นี้ไม่ได้หมายความว่า Samsung มองความต้องการ AI ลดลง แต่สะท้อนการให้ความสำคัญกับ DRAM รุ่น 1c, ยีลด์ และผลผลิต HBM4 ที่ผ่านการทดสอบและส่งมอบได้จริง SK hynix...
คำตอบการวิจัย

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is Samsung Electronics managing its DRAM production amid AI-driven memory shortages, why is it limiting capacity growth from 7.7 million. Article summary: Samsung is choosing effective output and HBM4 competitiveness over maximum wafer starts. Its relatively flat wafer-capacity plan reflects the difficulty and opportunity cost of converting production from 1b to denser 1c . Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Samsung ไม่ได้ตอบโต้ภาวะขาดแคลนหน่วยความจำสำหรับ AI ด้วยการเร่งเพิ่มจำนวนเวเฟอร์เพียงอย่างเดียว แต่กำลังให้ความสำคัญกับการเปลี่ยนผ่านสู่ DRAM รุ่น 1c ซึ่งเป็น DRAM 10 นาโนเมตรรุ่นที่ 6 การเพิ่มยีลด์ และการยกระดับประสิทธิภาพการผลิต เพื่อให้ได้ชิป HBM4 ที่ใช้งานได้จริงมากขึ้นจากกำลังการผลิตเดิม 228
เมื่อมองจากตัวเลขกำลังผลิตบนกระดาษ แผนของ Samsung จึงดูระมัดระวัง แต่ในเชิงธุรกิจ นี่อาจเป็นความพยายามเปลี่ยนโรงงานที่มีอยู่ให้ผลิตหน่วยความจำความหนาแน่นสูงและมูลค่าสูงได้มากขึ้น ก่อนตัดสินใจลงทุนขยายโรงงานครั้งใหญ่
ข้อมูลประมาณการจาก Omdia ที่ ChosunBiz รายงาน ระบุว่า Samsung จะมีกำลังผลิต DRAM ประมาณ 7.695 ล้านเวเฟอร์ต่อปีในปี 2025 เพิ่มเป็น 8.175 ล้านเวเฟอร์ในปี 2026 และ 8.28 ล้านเวเฟอร์ในปี 2027 โดยอัตราการเติบโตจะลดจากราว 6% ในปี 2026 เหลือเพียงประมาณ 1.3% ในปี 2027 2
ตัวเลขดังกล่าวเป็นกำลังผลิตในระดับเวเฟอร์ ไม่ใช่จำนวนแพ็กเกจ HBM ที่ผลิตเสร็จหรือจำนวนบิตหน่วยความจำที่ขายได้ ดังนั้น การเปรียบเทียบจำนวนเวเฟอร์จึงยังไม่สะท้อนผลเต็มที่ของการเปลี่ยนโหนดการผลิต
เป้าหมายสำคัญคือการผลิตบิตที่ใช้งานได้และผลิตภัณฑ์ระดับพรีเมียมจากเวเฟอร์คุณภาพดีแต่ละแผ่นให้มากขึ้น โดย DRAM รุ่นใหม่ที่มีความหนาแน่นสูงกว่าสามารถเพิ่มผลผลิตต่อเวเฟอร์ได้ แม้จำนวนเวเฟอร์จะไม่ได้เพิ่มขึ้นในอัตราเดียวกัน
อย่างไรก็ตาม Samsung ไม่ได้ยุติการขยายกำลังผลิตทั้งหมด บริษัทมีรายงานว่าอยู่ระหว่างการปรับเปลี่ยนไลน์ผลิตและติดตั้งอุปกรณ์เพื่อเพิ่มกำลังผลิต DRAM 1c ขณะเดียวกันก็มีรายงานว่า Samsung ตั้งเป้าเพิ่มการผลิต HBM อย่างมีนัยสำคัญในปี 2026 35
การผลิต HBM4 มีขั้นตอนที่ต้องผ่านยีลด์หลายชั้นต่อเนื่องกัน ได้แก่
หากเกิดปัญหาในขั้นตอนใดขั้นตอนหนึ่ง จำนวนผลิตภัณฑ์ที่ขายได้จากเวเฟอร์เริ่มต้นก็จะลดลง 22
ด้วยเหตุนี้ การป้อนเวเฟอร์จำนวนมากเข้าสู่กระบวนการที่ยังไม่เสถียรอาจทำให้สินค้าระหว่างผลิตและของเสียเพิ่มขึ้น โดยไม่ได้ทำให้จำนวน HBM ที่ส่งมอบได้เพิ่มขึ้นตามสัดส่วน
การเปลี่ยนไปใช้ DRAM 1c ยังเพิ่มความซับซ้อนอีกชั้นหนึ่ง แม้ยีลด์ของตัวได DRAM 1c จะดีขึ้นจนอยู่ในระดับที่อุตสาหกรรมมองว่าเริ่ม成熟หรืออยู่ใกล้ระดับการผลิตที่เสถียร แต่ไม่ได้หมายความว่ายีลด์ของ HBM4 ที่ประกอบเสร็จแล้วจะดีในระดับเดียวกันทันที เพราะ HBM4 ต้องผ่านทั้งการซ้อนชั้น การเชื่อมต่อ และการทดสอบขั้นสุดท้าย 28
รายงานอุตสาหกรรมระบุว่า ยีลด์ HBM4 ของ Samsung ต่ำกว่า 60% ในช่วงเริ่มผลิตจำนวนมากเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2026 ก่อนเพิ่มขึ้นใกล้ 80% ในเดือนสิงหาคม 1721 ตัวเลขนี้เป็นประมาณการจากแหล่งข่าวในอุตสาหกรรม ไม่ใช่บัญชีการผลิตฉบับเต็มที่ Samsung เปิดเผยเอง แต่ก็สะท้อนชัดเจนว่า การเพิ่มยีลด์อาจสร้างผลลัพธ์ทางเศรษฐกิจได้มากกว่าการเร่งเพิ่มกำลังผลิตบนกระดาษ
ข้อมูลประมาณการชุดเดียวกันระบุว่า SK hynix จะมีกำลังผลิต DRAM ราว 6.06 ล้านเวเฟอร์ในปี 2025 เพิ่มเป็น 6.66 ล้านเวเฟอร์ในปี 2026 และ 7.29 ล้านเวเฟอร์ในปี 2027 2
เมื่อคำนวณจากตัวเลขดังกล่าว ความได้เปรียบด้านกำลังผลิตของ Samsung จะอยู่ที่ประมาณ:
กล่าวอีกอย่างคือ ช่องว่างจะค่อย ๆ แคบลงตลอดช่วงเวลาดังกล่าว ไม่ได้ลดจาก 1.64 ล้านเวเฟอร์เหลือ 990,000 เวเฟอร์ภายในปี 2026 โดยตรง
Samsung ยังคงมีขนาดใหญ่กว่าเมื่อวัดจากกำลังผลิตระดับเวเฟอร์ แต่ SK hynix มีอัตราการขยายตัวที่เร็วกว่า และยังได้เปรียบในด้านการรับรองผลิตภัณฑ์ การจัดการแพ็กเกจ และความสัมพันธ์กับลูกค้า AI รายใหญ่ รายงานตลาดระบุว่า SK hynix เป็นซัพพลายเออร์ HBM ชั้นนำให้ลูกค้า AI รายสำคัญ ขณะที่ Samsung กำลังเร่งปรับปรุงสถานะของตัวเองในตลาด HBM4 1324
ดังนั้น ประเด็นการแข่งขันไม่ได้อยู่ที่จำนวนเวเฟอร์เพียงอย่างเดียว หากลูกค้า AI ให้ความสำคัญกับซัพพลายที่ผ่านการรับรองและพร้อมส่งมอบ SK hynix ก็มีข้อได้เปรียบในระยะสั้น แต่หาก Samsung ยกระดับยีลด์ 1c และ HBM4 ได้สำเร็จ บริษัทอาจผลิตหน่วยความจำที่ขายได้มากขึ้นจากฐานการผลิตที่มีขนาดใกล้เคียงเดิม
หาก Samsung เพิ่มจำนวนได 1c ที่ใช้งานได้ต่อเวเฟอร์ และเพิ่มยีลด์ของแพ็กเกจ HBM4 ผลผลิตที่ขายได้จริงอาจเพิ่มเร็วกว่าจำนวนเวเฟอร์เริ่มผลิต ซึ่งช่วยลดต้นทุนต่อบิตและใช้ประโยชน์จากโรงงานที่มีอยู่ได้ดีขึ้น
การขยายตัวแบบควบคุมได้ยังช่วยลดความเสี่ยงในการเพิ่มกำลังผลิต DRAM ทั่วไปมากเกินไปในช่วงที่ตลาดหน่วยความจำอยู่ที่จุดสูงสุดของวัฏจักร การปรับไลน์บางส่วนไปสู่ผลิตภัณฑ์ที่มีความหนาแน่นและมูลค่าสูงกว่าทำให้ Samsung ยังมีความยืดหยุ่น หากอุปสงค์หรือราคาตลาดเปลี่ยนแปลง
HBM4 มีความสำคัญเชิงกลยุทธ์ เพราะเป็นส่วนประกอบหลักของห่วงโซ่อุปทานชิปเร่งความเร็ว AI รายงานการเพิ่มยีลด์ HBM4 จากระดับต่ำกว่า 60% ในช่วงเริ่มต้น มาใกล้ 80% ในเวลาต่อมา แสดงให้เห็นว่าการเรียนรู้และปรับปรุงกระบวนการอาจช่วยให้ Samsung แข่งขันเพื่อชิงคำสั่งซื้อ HBM ระดับพรีเมียมได้ดีขึ้น 17
ผลลัพธ์ที่ Samsung ต้องการจึงไม่ใช่เพียงกำลังผลิตที่เพิ่มขึ้น แต่คือการเปลี่ยนจากความเป็นผู้นำด้านจำนวนเวเฟอร์ ไปสู่ผลผลิต HBM4 ที่ผ่านการรับรองและส่งมอบได้อย่างสม่ำเสมอ
กลยุทธ์นี้มีพื้นที่ผิดพลาดค่อนข้างจำกัด หากยีลด์ของ 1c การประกอบ HBM หรือการรับรองจากลูกค้าปรับตัวช้ากว่าคาด Samsung อาจเสียเวลาไปในช่วงที่ SK hynix ยังคงเพิ่มกำลังผลิตต่อเนื่อง
Samsung ยังต้องตัดสินใจว่าจะจัดสรรทรัพยากรระหว่าง DRAM ทั่วไป, HBM และหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์อย่างไร การปรับเปลี่ยนไลน์ผลิตทำให้เกิดต้นทุนด้านซัพพลายในระยะสั้น เพราะต้องติดตั้งอุปกรณ์และปรับพื้นที่การผลิตให้เข้ากับกระบวนการใหม่ แม้เป้าหมายระยะยาวคือการเพิ่มความหนาแน่นของบิตและประสิทธิภาพการผลิต
นอกจากนี้ยังมีความเสี่ยงด้านจังหวะเวลา หากความต้องการ AI ยังแข็งแกร่งในช่วงที่ Samsung กำลังทำให้กระบวนการผลิตมีเสถียรภาพ SK hynix อาจใช้ทั้งกำลังผลิตที่โตเร็วกว่าและประสบการณ์ด้าน HBM ที่พร้อมกว่าเพื่อคว้าสัญญาซึ่งอาจเรียกคืนได้ยากในภายหลัง
การเติบโตของ AI ไม่ได้กระทบเฉพาะ HBM แต่ยังกดดัน DRAM ทั่วไปด้วย เพราะผู้ผลิตหน่วยความจำกำลังโยกย้ายกำลังการผลิตเวเฟอร์ อุปกรณ์ ทรัพยากรด้านแพ็กเกจ และทีมวิศวกรรมไปยัง HBM และผลิตภัณฑ์สำหรับเซิร์ฟเวอร์ รายงานอุตสาหกรรมเชื่อมโยงการจัดสรรทรัพยากรดังกล่าวเข้ากับการเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของราคา DRAM ทั่วไป 37
TrendForce คาดว่าราคาสัญญา DRAM ทั่วไปจะเพิ่มขึ้น 58–63% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนในไตรมาส 2 ปี 2026 หลังจากคาดว่าจะเพิ่มขึ้น 90–95% ในไตรมาส 1 ตัวเลขเหล่านี้เป็นการคาดการณ์ตลาด ไม่ใช่ผลลัพธ์ที่รับประกัน แต่แสดงให้เห็นว่าปัญหาซัพพลายที่เริ่มจากโครงสร้างพื้นฐาน AI สามารถลามไปถึงพีซี เซิร์ฟเวอร์ และระบบอื่นที่ไม่ได้ใช้ HBM โดยตรง 46
การแก้ปัญหาจึงไม่ใช่แค่การประกาศเพิ่มกำลังผลิตเวเฟอร์ ไลน์ใหม่ต้องติดตั้งอุปกรณ์ ปรับเปลี่ยนกระบวนการ ผ่านการรับรอง และเดินเครื่องด้วยยีลด์ที่ยอมรับได้ ระหว่างที่กระบวนการเหล่านี้ยังไม่เสร็จ การโยกกำลังผลิตไปยังหน่วยความจำ AI ก็อาจทำให้สินค้าสำหรับตลาดทั่วไปมีจำนวนน้อยลง
หน่วยความจำกำลังกลายเป็นทั้งต้นทุนและข้อจำกัดด้านการจัดส่งของระบบ AI ในภาพรวม ไม่ใช่เพียงชิ้นส่วนหนึ่งในเซิร์ฟเวอร์เท่านั้น Tom’s Hardware ซึ่งอ้างรายงานของ Bloomberg และการประเมินจากนักวิเคราะห์ ระบุว่า Nvidia ได้แจ้งลูกค้ารายใหญ่บางรายว่า ระบบ Grace Blackwell และ Vera Rubin ที่จะจัดส่งในช่วงต้นปี 2027 อาจมีราคาสูงขึ้นมากกว่า 15% โดยต้นทุนหน่วยความจำเป็นหนึ่งในปัจจัยหลัก 32
ต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นอาจเพิ่มภาระเงินลงทุนของผู้ให้บริการคลาวด์ และทำให้การติดตั้งระบบ AI มีราคาแพงขึ้นสำหรับผู้ซื้อรายเล็ก ผลกระทบต่อราคาที่ผู้ใช้งานปลายทางต้องจ่ายจะขึ้นอยู่กับสเปกระบบและสัญญากับซัพพลายเออร์ แต่ทิศทางโดยรวมชัดเจนขึ้นเรื่อย ๆ ว่า ความพร้อมของหน่วยความจำเป็นส่วนหนึ่งของเศรษฐศาสตร์การประมวลผล AI ไม่ใช่แค่ประเด็นระดับชิ้นส่วน
การเติบโตของกำลังผลิต DRAM ของ Samsung ที่ชะลอลงควรถูกมองว่าเป็นกลยุทธ์ด้านยีลด์และสัดส่วนผลิตภัณฑ์ มากกว่าจะเป็นสัญญาณว่าความต้องการลดลง บริษัทกำลังเดิมพันว่า DRAM 1c ที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นและยีลด์ HBM4 ที่ดีขึ้น จะสร้างผลผลิตที่มีมูลค่าและขายได้มากขึ้นจากเวเฟอร์แต่ละแผ่น
การเดิมพันนี้มีเหตุผลทางเศรษฐกิจ โดยเฉพาะหากยีลด์ HBM4 ยังคงเพิ่มขึ้น แต่ก็มีความเสี่ยงสูงเช่นกัน เพราะ Samsung ต้องเปลี่ยนความก้าวหน้าด้านกระบวนการให้กลายเป็นการส่งมอบสินค้าที่สม่ำเสมอและผ่านการรับรอง ขณะที่ SK hynix ขยายกำลังผลิตเร็วกว่า และตลาดโดยรวมยังขาดแคลนหน่วยความจำ
ตัวชี้วัดสำคัญจึงไม่ใช่จำนวนเวเฟอร์ของ Samsung เพียงอย่างเดียว แต่คือการรวมกันของ จำนวนไดที่ดีต่อเวเฟอร์, ยีลด์ของแพ็กเกจ HBM4 ที่เสร็จสมบูรณ์, ปริมาณที่ลูกค้ารับรอง และจำนวนบิตที่ส่งมอบได้ หากตัวเลขเหล่านี้เพิ่มขึ้นเร็วกว่ากำลังผลิตบนกระดาษ ความระมัดระวังของ Samsung อาจกลายเป็นข้อได้เปรียบในการแข่งขัน แต่หากไม่เป็นเช่นนั้น ความได้เปรียบด้านจำนวนเวเฟอร์ที่ยังเหลืออยู่ก็อาจมีความหมายน้อยกว่าการเร่งผลิตที่รวดเร็วของ SK hynix
Studio Global AI
หน้านี้รวมคำตอบที่ได้รับการสนับสนุนจากแหล่งที่มาซึ่งคุณสามารถดำเนินการต่อภายใน Studio Global
กำลังผลิต DRAM ของ Samsung คาดว่าจะเพิ่มจาก 7.695 ล้านเวเฟอร์ในปี 2025 เป็น 8.175 ล้านเวเฟอร์ในปี 2026 แต่เพิ่มเพียงเล็กน้อยเป็น 8.28 ล้านเวเฟอร์ในปี 2027
กำลังผลิต DRAM ของ Samsung คาดว่าจะเพิ่มจาก 7.695 ล้านเวเฟอร์ในปี 2025 เป็น 8.175 ล้านเวเฟอร์ในปี 2026 แต่เพิ่มเพียงเล็กน้อยเป็น 8.28 ล้านเวเฟอร์ในปี 2027 กลยุทธ์นี้ไม่ได้หมายความว่า Samsung มองความต้องการ AI ลดลง แต่สะท้อนการให้ความสำคัญกับ DRAM รุ่น 1c, ยีลด์ และผลผลิต HBM4 ที่ผ่านการทดสอบและส่งมอบได้จริง
SK hynix ยังขยายกำลังผลิตเร็วกว่า ขณะที่ราคาสัญญา DRAM ทั่วไปถูกคาดว่าจะเพิ่มขึ้น 90–95% ในไตรมาส 1 ปี 2026 และอีก 58–63% ในไตรมาส 2