รายงานระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิตอินพุตเวเฟอร์ HBM เป็นราว 100,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากการลงทุนเครื่องจักรและการเร่งผลิต HBM4 แบบ 12 ชั้น บริษัทเริ่มส่งมอบ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้นในเชิงปริมาณแล้วตั้งแต่ไตรมาส 1 ปี 2026 โดยออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia โรงงานและโครงการในไต้หวั...
เผยแพร่โดยแก้ไขด้วย GPT-5.6 Terraรูปภาพสร้างด้วย GPT Image 2
คำตอบการวิจัย

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is Micron Technology planning to more than double its HBM production capacity to about 100,000 wafers per month by the end of 2026—parti. Article summary: Micron is pursuing a two-track strategy: rapidly convert existing DRAM output and packaging capacity to HBM4 now, while funding new Asian manufacturing and packaging capacity that supports growth from 2027 onward. This s. Topic tags: general, general web, news, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Micron ไม่ได้รอให้โรงงานใหม่สร้างเสร็จจึงจะเพิ่มการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM (High-Bandwidth Memory) สำหรับชิป AI แผนในปี 2026 คือโยกทรัพยากรการผลิตเดิมและลงทุนเครื่องจักรเพิ่ม เพื่อเร่ง HBM4 แบบ 12 ชั้น ขณะที่โครงการในไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่นจะสร้างฐานการผลิตชิป DRAM และการแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงสำหรับช่วงปีถัดไป
รายงานอุตสาหกรรมระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิต HBM ได้สูงสุด 60,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือน จนแตะประมาณ 100,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากระดับราว 40,000–50,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือนในปี 2025 ซึ่งมากกว่าสองเท่า 7
ตัวเลขนี้หมายถึง กำลังผลิตเวเฟอร์ที่ป้อนเข้าสู่กระบวนการ ไม่ใช่จำนวนชุด HBM สำเร็จรูปที่จะส่งมอบได้จริง เพราะผลผลิตที่ใช้งานได้ (yield) การซ้อนชิป และความเร็วของสายการแพ็กเกจจิ้ง ยังเป็นตัวกำหนดปริมาณส่งมอบปลายทาง
ผลิตภัณฑ์หัวหอกของ Micron คือ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้น หรือ 12H บริษัทระบุว่าเริ่มส่งมอบในเชิงปริมาณตั้งแต่ไตรมาส 1 ของปีปฏิทิน 2026 และออกแบบมาเพื่อแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia โดยระบุแบนด์วิดท์มากกว่า 2.8 TB/s และประสิทธิภาพด้านพลังงานดีกว่า HBM3E ของบริษัทมากกว่า 20% 9
การเพิ่มกำลังผลิต HBM ไม่เหมือนการผลิต DRAM ทั่วไปให้มากขึ้น เพราะต้องใช้แผ่น DRAM ระดับสูง การเชื่อมต่อผ่านซิลิคอน (through-silicon via หรือ TSV) การซ้อนชิปแนวตั้ง การแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง และการรับรองการทำงานร่วมกับแพลตฟอร์ม AI ของลูกค้า ดังนั้นการเริ่มผลิตเวเฟอร์มากขึ้นจะมีความหมายก็ต่อเมื่อกระบวนการปลายน้ำเหล่านี้ขยายได้พร้อมกันและรักษา yield ได้
Micron ยังส่งตัวอย่าง HBM4 ขนาด 48GB แบบ 16 ชั้นให้ลูกค้าแล้ว ซึ่งชี้ให้เห็นทางเลือกในการเพิ่มความจุต่อหนึ่งตำแหน่ง HBM ถึงกระนั้น สินค้าตัวอย่างไม่ได้เท่ากับการวางจำหน่ายเชิงปริมาณในวงกว้าง โดยผลิตภัณฑ์ที่บริษัทประกาศว่ากำลังส่งมอบเชิงปริมาณคือรุ่น 36GB แบบ 12 ชั้น 9
เป้าหมายนี้สะท้อนการจัดสรรกำลังการผลิตใหม่และการลงทุนเครื่องจักรเชิงรุก ไม่ได้หมายความว่าเวเฟอร์ใหม่ทุกแผ่นจะกลายเป็น HBM ที่พร้อมส่งลูกค้าได้ทันที ปัจจัยชี้ขาดมีอย่างน้อย 3 เรื่อง
มีรายงานว่าอุปทาน HBM ของ Micron สำหรับปีปฏิทิน 2026 ถูกจองหมดแล้ว และกำลังผลิตบางส่วนของปี 2027 มีสัญญาจองไว้แล้ว 6
11 อย่างไรก็ตาม ข้อมูลสาธารณะที่ยืนยันว่ากำลังผลิตตลอดทั้งปี 2027 ถูกจองครบ หรือมีคำสั่งจองปี 2028 ที่แน่นอนนั้นยังไม่ชัดเจน จึงควรระวังการสรุปที่ไกลเกินกว่าข้อเท็จจริงดังกล่าว
การเร่ง HBM ในปี 2026 เป็นเรื่องของการเพิ่มประสิทธิภาพและลงทุนกับสายการผลิตที่มีอยู่ ส่วนการขยายฐานในเอเชียตอบโจทย์คนละช่วงเวลา นั่นคือการสร้างอุปทานที่ใหญ่และยืดหยุ่นขึ้นหลังจากคอขวดปัจจุบัน
Micron เข้าซื้อกิจการโรงงาน Tongluo P5 ของ PSMC ในเขตเหมียวลี่ของไต้หวันเสร็จสิ้นเมื่อเดือนมีนาคม 2026 และคาดว่าจะเริ่มผลิตเวเฟอร์ได้ในปี 2027 54
19
สำหรับ HBM ฐานผลิต DRAM ที่เพิ่มขึ้นมีความสำคัญเชิงกลยุทธ์ เพราะ HBM แบบซ้อนชิปใช้ชิป DRAM ขั้นสูงจำนวนมาก โรงงาน Tongluo จึงควรถูกมองว่าเป็นตัวเสริมอุปทานในอนาคต มากกว่าจะเป็นเหตุผลหลักที่ทำให้ Micron ไปถึงเป้าหมายปลายปี 2026
Micron กำลังก่อสร้างโรงงานแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงสำหรับ HBM ในสิงคโปร์ ด้วยเงินลงทุนราว 7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ โดยกำหนดเริ่มดำเนินงานในปี 2026 และคาดว่ากำลังแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงรวมของบริษัทจะขยายอย่างมีนัยสำคัญในปีปฏิทิน 2027 57
จุดนี้สำคัญมาก เพราะการแพ็กเกจจิ้งเป็นขั้นตอนบังคับก่อนที่ DRAM จะกลายเป็น HBM แบบซ้อนชิปที่ผ่านการรับรองได้ โรงงานดังกล่าวจึงมีบทบาทในการเปลี่ยนผลผลิต DRAM ให้เป็นสินค้าสำเร็จรูปที่ส่งมอบได้
นอกจากนี้ Micron ยังลงทุนสร้างโรงงานผลิตเวเฟอร์ขั้นสูงอีกแห่งในสิงคโปร์ มูลค่าแผนลงทุน 24,000 ล้านดอลลาร์สหรัฐตลอด 10 ปี มีพื้นที่คลีนรูมสูงสุด 700,000 ตารางฟุต และตั้งอยู่ในคอมเพล็กซ์ NAND เดิมของบริษัท โดยคาดว่าเวเฟอร์จะเริ่มออกสู่สายการผลิตช่วงครึ่งหลังของปี 2028 51 โครงการนี้ช่วยเสริมฐานการผลิตระยะยาว แต่ไม่ควรนับเป็นกำลัง HBM ระยะใกล้
Micron เริ่มก่อสร้างโครงการขยายโรงงานที่ฮิโรชิมา มูลค่า 1.5 ล้านล้านเยน หรือราว 9.3 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ เพื่อผลิตหน่วยความจำขั้นสูง รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องกับ HBM โดยกำหนดเริ่มส่งมอบและติดตั้งเครื่องจักรในช่วงครึ่งหลังของปี 2028 25
เช่นเดียวกับโรงงานเวเฟอร์ในสิงคโปร์ โครงการฮิโรชิมาเป็นการลงทุนสำหรับระยะยาว ไม่ใช่กำลังผลิตที่จะเข้ามาดันการเร่ง HBM4 ในปี 2026
Micron กำลังขยับจากผู้เล่น HBM รายเล็กกว่า ไปสู่ซัพพลายเออร์รายที่สามที่มีบทบาทมากขึ้น โดยเฉพาะในชิปรุ่นใหม่สำหรับ AI แต่เป้าหมายกำลังผลิตที่สูงขึ้นเพียงอย่างเดียวไม่ได้ทำให้บริษัทขึ้นเป็นผู้นำตลาด
TrendForce ระบุในช่วงต้นปี 2026 ว่า SK hynix ยังเป็นผู้นำ ขณะที่ Samsung ฟื้นตัวจาก HBM3E และ HBM4 ส่วน Micron กำลังขยายกำลังผลิตเชิงรุก 40 ข้อมูลส่วนแบ่งรายได้ HBM ในไตรมาส 2 ที่มีรายงานในเวลาต่อมาระบุว่า SK hynix อยู่ที่ 50% และ Samsung อยู่ที่ 33% ซึ่งสะท้อนการฟื้นตัวที่รวดเร็วของ Samsung
35
ตัวเลขส่วนแบ่งอาจต่างกันตามแหล่งข้อมูล ไตรมาส และวิธีวัด ไม่ว่าจะเป็นรายได้ จำนวนบิต หรือเวเฟอร์อินพุต จึงไม่ควรนำมาเทียบกันตรง ๆ แต่ภาพรวมที่ชัดเจนคือ
SK hynix ยังได้เปรียบจากขนาดธุรกิจและสถานะเจ้าตลาด, Samsung กำลังเร่งกลับมามีแรงส่งใน HBM4 และ Micron พยายามยึดบทบาทที่ใหญ่ขึ้นผ่านการรับรองผลิตภัณฑ์และการขยายกำลังผลิตอย่างรวดเร็ว
เป้าหมาย HBM ราว 100,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือนของ Micron ในปลายปี 2026 ตั้งอยู่บนการเร่งกำลังผลิตและแพ็กเกจจิ้งที่มีอยู่สำหรับ HBM4 แบบ 12 ชั้น ไม่ใช่การรอโรงงานใหม่เปิดดำเนินการในปีเดียวกัน การส่งมอบ HBM4 เชิงปริมาณสำหรับ Nvidia Vera Rubin เป็นฐานด้านผลิตภัณฑ์และแพลตฟอร์ม ส่วนไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่นมีเป้าหมายทำให้การเติบโตนี้ยั่งยืนขึ้นตั้งแต่ปี 2027 เป็นต้นไป 7
9
51
หาก Micron รักษา yield และขยายขีดความสามารถด้านแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงได้ตามแผน บริษัทจะลดช่องว่างด้านขนาดและมีความสำคัญมากขึ้นในฐานะซัพพลายเออร์หน่วยความจำ AI ทางเลือก แต่แผนนี้เพียงลำพังยังไม่แก้ภาวะตึงตัวของ HBM และยังไม่ทำให้ SK hynix สูญเสียความเป็นผู้นำ โดยเฉพาะในเวลาที่ Samsung ก็กำลังขยายการมีอยู่ใน HBM4 เช่นกัน.
Studio Global AI
หน้านี้รวมคำตอบที่ได้รับการสนับสนุนจากแหล่งที่มาซึ่งคุณสามารถดำเนินการต่อภายใน Studio Global
รายงานระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิตอินพุตเวเฟอร์ HBM เป็นราว 100,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากการลงทุนเครื่องจักรและการเร่งผลิต HBM4 แบบ 12 ชั้น
รายงานระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิตอินพุตเวเฟอร์ HBM เป็นราว 100,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากการลงทุนเครื่องจักรและการเร่งผลิต HBM4 แบบ 12 ชั้น บริษัทเริ่มส่งมอบ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้นในเชิงปริมาณแล้วตั้งแต่ไตรมาส 1 ปี 2026 โดยออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia
โรงงานและโครงการในไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่นช่วยวางฐานอุปทานระยะถัดไป แต่ไม่ใช่ตัวขับหลักของเป้าหมายกำลังผลิตปลายปี 2026
รายงานระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิตอินพุตเวเฟอร์ HBM เป็นราว 100,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากการลงทุนเครื่องจักรและการเร่งผลิต HBM4 แบบ 12 ชั้น บริษัทเริ่มส่งมอบ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้นในเชิงปริมาณแล้วตั้งแต่ไตรมาส 1 ปี 2026 โดยออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia โรงงานและโครงการในไต้หวั...
เผยแพร่โดยแก้ไขด้วย GPT-5.6 Terraรูปภาพสร้างด้วย GPT Image 2
คำตอบการวิจัย

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is Micron Technology planning to more than double its HBM production capacity to about 100,000 wafers per month by the end of 2026—parti. Article summary: Micron is pursuing a two-track strategy: rapidly convert existing DRAM output and packaging capacity to HBM4 now, while funding new Asian manufacturing and packaging capacity that supports growth from 2027 onward. This s. Topic tags: general, general web, news, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Micron ไม่ได้รอให้โรงงานใหม่สร้างเสร็จจึงจะเพิ่มการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM (High-Bandwidth Memory) สำหรับชิป AI แผนในปี 2026 คือโยกทรัพยากรการผลิตเดิมและลงทุนเครื่องจักรเพิ่ม เพื่อเร่ง HBM4 แบบ 12 ชั้น ขณะที่โครงการในไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่นจะสร้างฐานการผลิตชิป DRAM และการแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงสำหรับช่วงปีถัดไป
รายงานอุตสาหกรรมระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิต HBM ได้สูงสุด 60,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือน จนแตะประมาณ 100,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากระดับราว 40,000–50,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือนในปี 2025 ซึ่งมากกว่าสองเท่า 7
ตัวเลขนี้หมายถึง กำลังผลิตเวเฟอร์ที่ป้อนเข้าสู่กระบวนการ ไม่ใช่จำนวนชุด HBM สำเร็จรูปที่จะส่งมอบได้จริง เพราะผลผลิตที่ใช้งานได้ (yield) การซ้อนชิป และความเร็วของสายการแพ็กเกจจิ้ง ยังเป็นตัวกำหนดปริมาณส่งมอบปลายทาง
ผลิตภัณฑ์หัวหอกของ Micron คือ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้น หรือ 12H บริษัทระบุว่าเริ่มส่งมอบในเชิงปริมาณตั้งแต่ไตรมาส 1 ของปีปฏิทิน 2026 และออกแบบมาเพื่อแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia โดยระบุแบนด์วิดท์มากกว่า 2.8 TB/s และประสิทธิภาพด้านพลังงานดีกว่า HBM3E ของบริษัทมากกว่า 20% 9
การเพิ่มกำลังผลิต HBM ไม่เหมือนการผลิต DRAM ทั่วไปให้มากขึ้น เพราะต้องใช้แผ่น DRAM ระดับสูง การเชื่อมต่อผ่านซิลิคอน (through-silicon via หรือ TSV) การซ้อนชิปแนวตั้ง การแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง และการรับรองการทำงานร่วมกับแพลตฟอร์ม AI ของลูกค้า ดังนั้นการเริ่มผลิตเวเฟอร์มากขึ้นจะมีความหมายก็ต่อเมื่อกระบวนการปลายน้ำเหล่านี้ขยายได้พร้อมกันและรักษา yield ได้
Micron ยังส่งตัวอย่าง HBM4 ขนาด 48GB แบบ 16 ชั้นให้ลูกค้าแล้ว ซึ่งชี้ให้เห็นทางเลือกในการเพิ่มความจุต่อหนึ่งตำแหน่ง HBM ถึงกระนั้น สินค้าตัวอย่างไม่ได้เท่ากับการวางจำหน่ายเชิงปริมาณในวงกว้าง โดยผลิตภัณฑ์ที่บริษัทประกาศว่ากำลังส่งมอบเชิงปริมาณคือรุ่น 36GB แบบ 12 ชั้น 9
เป้าหมายนี้สะท้อนการจัดสรรกำลังการผลิตใหม่และการลงทุนเครื่องจักรเชิงรุก ไม่ได้หมายความว่าเวเฟอร์ใหม่ทุกแผ่นจะกลายเป็น HBM ที่พร้อมส่งลูกค้าได้ทันที ปัจจัยชี้ขาดมีอย่างน้อย 3 เรื่อง
มีรายงานว่าอุปทาน HBM ของ Micron สำหรับปีปฏิทิน 2026 ถูกจองหมดแล้ว และกำลังผลิตบางส่วนของปี 2027 มีสัญญาจองไว้แล้ว 6
11 อย่างไรก็ตาม ข้อมูลสาธารณะที่ยืนยันว่ากำลังผลิตตลอดทั้งปี 2027 ถูกจองครบ หรือมีคำสั่งจองปี 2028 ที่แน่นอนนั้นยังไม่ชัดเจน จึงควรระวังการสรุปที่ไกลเกินกว่าข้อเท็จจริงดังกล่าว
การเร่ง HBM ในปี 2026 เป็นเรื่องของการเพิ่มประสิทธิภาพและลงทุนกับสายการผลิตที่มีอยู่ ส่วนการขยายฐานในเอเชียตอบโจทย์คนละช่วงเวลา นั่นคือการสร้างอุปทานที่ใหญ่และยืดหยุ่นขึ้นหลังจากคอขวดปัจจุบัน
Micron เข้าซื้อกิจการโรงงาน Tongluo P5 ของ PSMC ในเขตเหมียวลี่ของไต้หวันเสร็จสิ้นเมื่อเดือนมีนาคม 2026 และคาดว่าจะเริ่มผลิตเวเฟอร์ได้ในปี 2027 54
19
สำหรับ HBM ฐานผลิต DRAM ที่เพิ่มขึ้นมีความสำคัญเชิงกลยุทธ์ เพราะ HBM แบบซ้อนชิปใช้ชิป DRAM ขั้นสูงจำนวนมาก โรงงาน Tongluo จึงควรถูกมองว่าเป็นตัวเสริมอุปทานในอนาคต มากกว่าจะเป็นเหตุผลหลักที่ทำให้ Micron ไปถึงเป้าหมายปลายปี 2026
Micron กำลังก่อสร้างโรงงานแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงสำหรับ HBM ในสิงคโปร์ ด้วยเงินลงทุนราว 7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ โดยกำหนดเริ่มดำเนินงานในปี 2026 และคาดว่ากำลังแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงรวมของบริษัทจะขยายอย่างมีนัยสำคัญในปีปฏิทิน 2027 57
จุดนี้สำคัญมาก เพราะการแพ็กเกจจิ้งเป็นขั้นตอนบังคับก่อนที่ DRAM จะกลายเป็น HBM แบบซ้อนชิปที่ผ่านการรับรองได้ โรงงานดังกล่าวจึงมีบทบาทในการเปลี่ยนผลผลิต DRAM ให้เป็นสินค้าสำเร็จรูปที่ส่งมอบได้
นอกจากนี้ Micron ยังลงทุนสร้างโรงงานผลิตเวเฟอร์ขั้นสูงอีกแห่งในสิงคโปร์ มูลค่าแผนลงทุน 24,000 ล้านดอลลาร์สหรัฐตลอด 10 ปี มีพื้นที่คลีนรูมสูงสุด 700,000 ตารางฟุต และตั้งอยู่ในคอมเพล็กซ์ NAND เดิมของบริษัท โดยคาดว่าเวเฟอร์จะเริ่มออกสู่สายการผลิตช่วงครึ่งหลังของปี 2028 51 โครงการนี้ช่วยเสริมฐานการผลิตระยะยาว แต่ไม่ควรนับเป็นกำลัง HBM ระยะใกล้
Micron เริ่มก่อสร้างโครงการขยายโรงงานที่ฮิโรชิมา มูลค่า 1.5 ล้านล้านเยน หรือราว 9.3 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ เพื่อผลิตหน่วยความจำขั้นสูง รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องกับ HBM โดยกำหนดเริ่มส่งมอบและติดตั้งเครื่องจักรในช่วงครึ่งหลังของปี 2028 25
เช่นเดียวกับโรงงานเวเฟอร์ในสิงคโปร์ โครงการฮิโรชิมาเป็นการลงทุนสำหรับระยะยาว ไม่ใช่กำลังผลิตที่จะเข้ามาดันการเร่ง HBM4 ในปี 2026
Micron กำลังขยับจากผู้เล่น HBM รายเล็กกว่า ไปสู่ซัพพลายเออร์รายที่สามที่มีบทบาทมากขึ้น โดยเฉพาะในชิปรุ่นใหม่สำหรับ AI แต่เป้าหมายกำลังผลิตที่สูงขึ้นเพียงอย่างเดียวไม่ได้ทำให้บริษัทขึ้นเป็นผู้นำตลาด
TrendForce ระบุในช่วงต้นปี 2026 ว่า SK hynix ยังเป็นผู้นำ ขณะที่ Samsung ฟื้นตัวจาก HBM3E และ HBM4 ส่วน Micron กำลังขยายกำลังผลิตเชิงรุก 40 ข้อมูลส่วนแบ่งรายได้ HBM ในไตรมาส 2 ที่มีรายงานในเวลาต่อมาระบุว่า SK hynix อยู่ที่ 50% และ Samsung อยู่ที่ 33% ซึ่งสะท้อนการฟื้นตัวที่รวดเร็วของ Samsung
35
ตัวเลขส่วนแบ่งอาจต่างกันตามแหล่งข้อมูล ไตรมาส และวิธีวัด ไม่ว่าจะเป็นรายได้ จำนวนบิต หรือเวเฟอร์อินพุต จึงไม่ควรนำมาเทียบกันตรง ๆ แต่ภาพรวมที่ชัดเจนคือ
SK hynix ยังได้เปรียบจากขนาดธุรกิจและสถานะเจ้าตลาด, Samsung กำลังเร่งกลับมามีแรงส่งใน HBM4 และ Micron พยายามยึดบทบาทที่ใหญ่ขึ้นผ่านการรับรองผลิตภัณฑ์และการขยายกำลังผลิตอย่างรวดเร็ว
เป้าหมาย HBM ราว 100,000 เวเฟอร์อินพุตต่อเดือนของ Micron ในปลายปี 2026 ตั้งอยู่บนการเร่งกำลังผลิตและแพ็กเกจจิ้งที่มีอยู่สำหรับ HBM4 แบบ 12 ชั้น ไม่ใช่การรอโรงงานใหม่เปิดดำเนินการในปีเดียวกัน การส่งมอบ HBM4 เชิงปริมาณสำหรับ Nvidia Vera Rubin เป็นฐานด้านผลิตภัณฑ์และแพลตฟอร์ม ส่วนไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่นมีเป้าหมายทำให้การเติบโตนี้ยั่งยืนขึ้นตั้งแต่ปี 2027 เป็นต้นไป 7
9
51
หาก Micron รักษา yield และขยายขีดความสามารถด้านแพ็กเกจจิ้งขั้นสูงได้ตามแผน บริษัทจะลดช่องว่างด้านขนาดและมีความสำคัญมากขึ้นในฐานะซัพพลายเออร์หน่วยความจำ AI ทางเลือก แต่แผนนี้เพียงลำพังยังไม่แก้ภาวะตึงตัวของ HBM และยังไม่ทำให้ SK hynix สูญเสียความเป็นผู้นำ โดยเฉพาะในเวลาที่ Samsung ก็กำลังขยายการมีอยู่ใน HBM4 เช่นกัน.
Studio Global AI
หน้านี้รวมคำตอบที่ได้รับการสนับสนุนจากแหล่งที่มาซึ่งคุณสามารถดำเนินการต่อภายใน Studio Global
รายงานระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิตอินพุตเวเฟอร์ HBM เป็นราว 100,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากการลงทุนเครื่องจักรและการเร่งผลิต HBM4 แบบ 12 ชั้น
รายงานระบุว่า Micron ตั้งเป้าเพิ่มกำลังผลิตอินพุตเวเฟอร์ HBM เป็นราว 100,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2026 จากการลงทุนเครื่องจักรและการเร่งผลิต HBM4 แบบ 12 ชั้น บริษัทเริ่มส่งมอบ HBM4 ขนาด 36GB แบบ 12 ชั้นในเชิงปริมาณแล้วตั้งแต่ไตรมาส 1 ปี 2026 โดยออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ของ Nvidia
โรงงานและโครงการในไต้หวัน สิงคโปร์ และญี่ปุ่นช่วยวางฐานอุปทานระยะถัดไป แต่ไม่ใช่ตัวขับหลักของเป้าหมายกำลังผลิตปลายปี 2026