ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำกำลังให้ความสำคัญกับ HBM และ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งทำกำไรสูงกว่า ส่งผลให้ DRAM แบบทั่วไปสำหรับพีซีและมือถือมีอุปทานตึงตัวขึ้น ตัวเลข DRAM เพิ่มขึ้นกว่า 200% เป็นเพียงคาดการณ์ของ TechInsights ไม่ใช่ราคายืนยันทั้งตลาด แต่ข้อมูลและการคาดการณ์อื่นก็ชี้ว่าราคายังอยู่ในทิศทางขาขึ้นอย่างมาก IDC คา...
เผยแพร่โดยแก้ไขด้วย GPT-5.6 Terraรูปภาพสร้างด้วย GPT Image 2
คำตอบการวิจัย

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI-data-center demand creating an unprecedented global memory-chip shortage—driving DRAM prices up more than 200% year over year, lea. Article summary: AI data centers are turning memory into a capacity-allocation problem: suppliers earn far more by dedicating wafers, packaging, and engineering capacity to HBM and high-capacity server DRAM than to commodity PC and hands. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
ศูนย์ข้อมูลสำหรับ AI กำลังทำให้ตลาดชิปหน่วยความจำกลายเป็นเกมของการจัดสรรกำลังผลิต ผู้ผลิตได้ผลตอบแทนสูงกว่าจาก HBM (High-Bandwidth Memory หรือหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงที่ใช้คู่กับตัวเร่งความเร็ว AI), DRAM ความจุสูงสำหรับเซิร์ฟเวอร์ และสตอเรจระดับองค์กร จึงโยกทรัพยากรไปยังตลาดเหล่านี้มากกว่าชิ้นส่วนสำหรับพีซีและมือถือที่มาร์จินต่ำกว่า ผลกระทบจึงไม่ได้จำกัดอยู่แค่ชิป AI แต่ลามไปถึง RAM และแฟลชที่อยู่ในอุปกรณ์ทั่วไปด้วย 41
52
HBM เป็น DRAM ระดับพรีเมียมที่นำมาใช้ร่วมกับตัวประมวลผล AI การผลิตไม่ได้ต้องใช้เพียงกำลังผลิต DRAM เท่านั้น แต่ยังต้องอาศัยการซ้อนชิป การทดสอบ และการแพ็กเกจขั้นสูง ขณะเดียวกัน เซิร์ฟเวอร์ AI ยังใช้ DRAM แบบมาตรฐานปริมาณมาก รวมถึง NAND Flash ระดับองค์กรสำหรับจัดเก็บข้อมูล
ปัญหาคือกำลังผลิตชิปหน่วยความจำเพิ่มหรือสลับไปผลิตสินค้าอื่นไม่ได้ในทันที เมื่อ Samsung, SK hynix และ Micron ให้น้ำหนักกับผลิตภัณฑ์สำหรับ AI มากขึ้น DRAM แบบทั่วไปจึงเหลืออุปทานน้อยลง S&P Global ระบุว่าการโยกกำลังผลิตไปสู่ HBM เป็นแรงขับโดยตรงที่ทำให้ DRAM ทั่วไปขาดแคลนและราคาเพิ่มขึ้น 41
ตลาดนี้ยังมีผู้เล่นหลักอยู่ไม่กี่ราย โดย Samsung, SK hynix และ Micron ครองกำลังผลิต DRAM โลกราว 90%–95% ดังนั้นการปรับสัดส่วนสินค้าของทั้งสามบริษัทจึงส่งผลต่อทั้งตลาดโลก 47
ตัวเลขนี้ต้องอ่านอย่างระมัดระวัง TechInsights คาดการณ์ว่าราคา DRAM อาจเพิ่มขึ้นมากกว่า 200% เมื่อเทียบกับปีก่อนหน้า แต่เป็น การคาดการณ์ ไม่ใช่ราคาตลาดที่ยืนยันแล้วว่าปรับขึ้นทั่วทั้งตลาด 36
อย่างไรก็ดี ข้อมูลที่เผยแพร่สะท้อนแรงกดดันด้านราคาอย่างชัดเจน TrendForce คาดว่าราคา DRAM แบบทั่วไปตามสัญญาจะเพิ่มขึ้นอีก 13%–18% จากไตรมาสก่อนในไตรมาส 3 ปี 2026 แม้ผ่านช่วงปรับขึ้นแรงมาก่อนหน้าแล้ว และยังมองว่าตลาดตึงตัวอย่างยิ่ง 51 อีกด้านหนึ่ง ข้อมูลราคาต่อหน่วยส่งออกของเกาหลีใต้รายงานว่าราคาส่งออก DRAM เพิ่มขึ้น 401% เมื่อเทียบกับปีก่อนในช่วงหนึ่งของเดือนสิงหาคม แต่ตัวเลขนี้เป็นมาตรวัดทางการค้า ไม่ใช่ราคาขายปลีกหรือราคาตามสัญญาที่ใช้แทนตลาดทั้งหมดได้
33
ข้อสรุปสำหรับผู้ซื้อคือ ราคาอาจต่างกันตามประเภทสินค้า สัญญา ประเทศ และช่วงเวลา แต่ทิศทางโดยรวมยังเป็นขาขึ้นอย่างรุนแรง
ไม่ควรตีความว่าชิป RAM หรือแฟลชทุกชนิดจะไม่มีขายจนถึงปี 2027 หลักฐานที่หนักแน่นกว่าคือ HBM ระดับแนวหน้าและหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ความจุสูงอยู่ในภาวะจัดสรรโควตาที่ตึงมาก และคำสั่งซื้อจากลูกค้าถูกจองล่วงหน้าไกล
ตัวอย่างเช่น มีรายงานว่าผลผลิต HBM ของ Micron ทั้งหมดในปี 2026 ถูกจองหมดแล้ว ขณะที่กำลังผลิต DRAM และ HBM ปี 2027 ของผู้ผลิตรายใหญ่สามรายก็ถูกจัดสรรไปมาก 34
40 ภาพที่เหมาะสมกว่าคือ ตลาดอยู่ในภาวะ allocation: ผู้ซื้อที่มีสัญญาระยะยาวหรือมีความสำคัญเชิงกลยุทธ์จะได้สิทธิ์ก่อน ส่วนลูกค้ารายอื่นอาจต้องรับราคาที่สูงขึ้น มีทางเลือกน้อยลง หรือเปลี่ยนไปใช้สเปกอื่น
เมื่อค่า RAM และสตอเรจสูงขึ้น ผู้ผลิตอุปกรณ์มีทางเลือกจำกัด ได้แก่
IDC คาดว่าแรงกดดันนี้จะกระทบทั้งราคาและจำนวนเครื่องที่ส่งมอบ โดยประเมินว่ายอดส่งมอบพีซีทั่วโลกปี 2026 อาจลดลง 11.3% แต่รายได้เพิ่มขึ้น 1.6% เพราะราคาขายเฉลี่ยสูงขึ้น ส่วนสมาร์ตโฟนอาจลดลง 12.9% ในปี 2026 และปัญหาอุปทานหน่วยความจำอาจดำเนินต่อไปตลอดปี 2026 และน่าจะยาวถึงช่วงใหญ่ของปี 2027 ตัวเลขเหล่านี้เป็นประมาณการ ไม่ใช่ผลลัพธ์ที่เกิดขึ้นแล้ว และกำลังซื้อของผู้บริโภคยังเป็นตัวจำกัดว่าผู้ผลิตจะผลักต้นทุนไปยังราคาขายได้มากเพียงใด 56
กลุ่มที่มีแนวโน้มรับผลกระทบมากกว่าคือพีซีเกมมิง เวิร์กสเตชัน มือถือระดับพรีเมียม และอุปกรณ์ที่ติดตั้ง SSD ความจุสูง แม้ผู้ผลิตยังสามารถปรับสเปกเพื่อบรรเทาผลกระทบได้
การเพิ่มกำลังผลิตเป็นกระบวนการหลายขั้น ตั้งแต่ก่อสร้างโรงงาน ติดตั้งเครื่องจักร รับรองกระบวนการผลิต เพิ่มอัตราผลผลิตที่ผ่านเกณฑ์ ไปจนถึงการเร่งผลิตเชิงปริมาณ ส่วน HBM ยิ่งซับซ้อน เพราะการแพ็กเกจและการซ้อนชิปขั้นสูงต้องขยายตามกำลังผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ไปพร้อมกัน
กำลังผลิตใหม่บางส่วนกำลังจะมา SK hynix วางแผนให้โรงงาน M15X เริ่มถูกใช้งานภายในกลางปี 2027 ขณะที่โรงงาน P5 ของ Samsung คาดว่าจะเริ่มดำเนินงานในปี 2028 21 แต่โครงการใหญ่บางส่วนของ SK hynix มีกำหนดเปิดคลีนรูมช่วงปลายปี 2028 และปี 2029 ซึ่งย้ำว่าการประกาศลงทุนไม่ได้หมายถึงมีชิปพร้อมขายทันที
17
เพราะเหตุนี้ ปี 2027 อาจมีอุปทานดีขึ้นทีละน้อย แต่ยังไม่ใช่ภาวะล้นตลาด TrendForce ระบุว่าผู้ผลิตหลายรายจะเพิ่มกำลังผลิตในปี 2027 ทว่าเวลาที่ใช้ในการก่อสร้าง ติดตั้งอุปกรณ์ และเตรียมวัตถุดิบ จะทำให้การเร่งผลิตจริงมีความล่าช้า 52
การผ่อนคลายในปี 2028 เป็นไปได้ แต่ยังไม่แน่นอน และแนวโน้มแตกต่างกันตามชนิดของหน่วยความจำ
TrendForce คาดว่า NAND Flash อาจเข้าสู่ภาวะอุปทานผ่อนคลายขึ้นในครึ่งหลังของปี 2027 เมื่อกำลังผลิตใหม่เริ่มเข้ามา ขณะที่ความต้องการอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคอ่อนแอ แต่ฝั่ง DRAM ยังคาดว่าจะตึงตัวและราคาขึ้นต่อ จากการจัดสรรกำลังผลิตให้ HBM ความต้องการเซิร์ฟเวอร์ AI และการจัดซื้อหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ 52
Samsung ยังเตือนว่าไม่น่าจะเห็นอุปทานส่วนเพิ่มในระดับมีนัยสำคัญจนถึงปี 2028 ปัจจัยสำคัญที่ต้องติดตามคือการลงทุนสร้างเซิร์ฟเวอร์ AI, อัตราผลผลิต HBM, ความพร้อมของการแพ็กเกจขั้นสูง, ความเร็วในการเร่งผลิตของโรงงานใหม่ และการที่ผู้ผลิตจะโยกกำลังผลิตกลับสู่ DRAM ทั่วไปมากน้อยเพียงใด 53
ผู้ผลิตหน่วยความจำรายสำคัญของจีนสองรายมีบทบาทต่างกัน
มาตรการควบคุมการส่งออกเพิ่มความไม่แน่นอน Reuters รายงานว่า YMTC อยู่ในบัญชี Entity List ของสหรัฐฯ ซึ่งจำกัดการเข้าถึงซัพพลายเออร์ ซอฟต์แวร์ และเครื่องมือการผลิตจากสหรัฐฯ และยังมีการหารือถึงข้อจำกัดเพิ่มเติมที่อาจกระทบทั้ง YMTC กับ CXMT 1 ข้อจำกัดเหล่านี้อาจทำให้การขยายกำลังผลิตและการเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตระดับแนวหน้าคาดการณ์ได้ยากขึ้น
ดังนั้น จีนอาจมีความสำคัญมากขึ้นต่อ DRAM ทั่วไปและ NAND โดยเฉพาะการตอบสนองดีมานด์ในประเทศ แต่หลักฐานที่มีอยู่ยังไม่รองรับการมองว่าจีนจะช่วยคลี่คลายภาวะขาดแคลน HBM ระดับแนวหน้าได้ในระยะใกล้
วิกฤตหน่วยความจำจาก AI ไม่ใช่แค่ความต้องการชิปพรีเมียมชนิดเดียวพุ่งขึ้น แต่เป็นปัญหาการจัดสรรทรัพยากรตลอดห่วงโซ่ ตั้งแต่เวเฟอร์ การแพ็กเกจขั้นสูง ไปจนถึงสัญญาระยะยาวกับลูกค้ารายใหญ่ นี่จึงเป็นเหตุผลที่การแย่งซื้อ HBM สามารถดันต้นทุนของ DRAM และแฟลชสำหรับพีซี มือถือ และระบบองค์กรให้สูงขึ้นได้
ภาพที่มีหลักฐานรองรับมากที่สุดคือ ภาวะตึงตัวยังมีแนวโน้มต่อเนื่องถึงปี 2027 ก่อนอาจเริ่มผ่อนคลายอย่างไม่เท่ากันเมื่อกำลังผลิตใหม่เร่งขึ้น NAND อาจคลายตัวก่อน ขณะที่ DRAM และ HBM มีแนวโน้มยังตึงตราบเท่าที่ความต้องการจากศูนย์ข้อมูล AI ยังเติบโตเร็วกว่ากำลังผลิตที่ผ่านการรับรองแล้ว 52
53
Studio Global AI
หน้านี้รวมคำตอบที่ได้รับการสนับสนุนจากแหล่งที่มาซึ่งคุณสามารถดำเนินการต่อภายใน Studio Global
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำกำลังให้ความสำคัญกับ HBM และ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งทำกำไรสูงกว่า ส่งผลให้ DRAM แบบทั่วไปสำหรับพีซีและมือถือมีอุปทานตึงตัวขึ้น
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำกำลังให้ความสำคัญกับ HBM และ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งทำกำไรสูงกว่า ส่งผลให้ DRAM แบบทั่วไปสำหรับพีซีและมือถือมีอุปทานตึงตัวขึ้น ตัวเลข DRAM เพิ่มขึ้นกว่า 200% เป็นเพียงคาดการณ์ของ TechInsights ไม่ใช่ราคายืนยันทั้งตลาด แต่ข้อมูลและการคาดการณ์อื่นก็ชี้ว่าราคายังอยู่ในทิศทางขาขึ้นอย่างมาก
IDC คาดว่าราคาขายเฉลี่ยที่สูงขึ้นจะกดดันยอดส่งมอบพีซีและสมาร์ตโฟนในปี 2026 ขณะที่การคลายตัวของตลาดในปี 2027 2028 น่าจะเกิดไม่พร้อมกัน โดย NAND อาจผ่อนคลายก่อน DRAM และ HBM
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำกำลังให้ความสำคัญกับ HBM และ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งทำกำไรสูงกว่า ส่งผลให้ DRAM แบบทั่วไปสำหรับพีซีและมือถือมีอุปทานตึงตัวขึ้น ตัวเลข DRAM เพิ่มขึ้นกว่า 200% เป็นเพียงคาดการณ์ของ TechInsights ไม่ใช่ราคายืนยันทั้งตลาด แต่ข้อมูลและการคาดการณ์อื่นก็ชี้ว่าราคายังอยู่ในทิศทางขาขึ้นอย่างมาก IDC คา...
เผยแพร่โดยแก้ไขด้วย GPT-5.6 Terraรูปภาพสร้างด้วย GPT Image 2
คำตอบการวิจัย

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI-data-center demand creating an unprecedented global memory-chip shortage—driving DRAM prices up more than 200% year over year, lea. Article summary: AI data centers are turning memory into a capacity-allocation problem: suppliers earn far more by dedicating wafers, packaging, and engineering capacity to HBM and high-capacity server DRAM than to commodity PC and hands. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
ศูนย์ข้อมูลสำหรับ AI กำลังทำให้ตลาดชิปหน่วยความจำกลายเป็นเกมของการจัดสรรกำลังผลิต ผู้ผลิตได้ผลตอบแทนสูงกว่าจาก HBM (High-Bandwidth Memory หรือหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงที่ใช้คู่กับตัวเร่งความเร็ว AI), DRAM ความจุสูงสำหรับเซิร์ฟเวอร์ และสตอเรจระดับองค์กร จึงโยกทรัพยากรไปยังตลาดเหล่านี้มากกว่าชิ้นส่วนสำหรับพีซีและมือถือที่มาร์จินต่ำกว่า ผลกระทบจึงไม่ได้จำกัดอยู่แค่ชิป AI แต่ลามไปถึง RAM และแฟลชที่อยู่ในอุปกรณ์ทั่วไปด้วย 41
52
HBM เป็น DRAM ระดับพรีเมียมที่นำมาใช้ร่วมกับตัวประมวลผล AI การผลิตไม่ได้ต้องใช้เพียงกำลังผลิต DRAM เท่านั้น แต่ยังต้องอาศัยการซ้อนชิป การทดสอบ และการแพ็กเกจขั้นสูง ขณะเดียวกัน เซิร์ฟเวอร์ AI ยังใช้ DRAM แบบมาตรฐานปริมาณมาก รวมถึง NAND Flash ระดับองค์กรสำหรับจัดเก็บข้อมูล
ปัญหาคือกำลังผลิตชิปหน่วยความจำเพิ่มหรือสลับไปผลิตสินค้าอื่นไม่ได้ในทันที เมื่อ Samsung, SK hynix และ Micron ให้น้ำหนักกับผลิตภัณฑ์สำหรับ AI มากขึ้น DRAM แบบทั่วไปจึงเหลืออุปทานน้อยลง S&P Global ระบุว่าการโยกกำลังผลิตไปสู่ HBM เป็นแรงขับโดยตรงที่ทำให้ DRAM ทั่วไปขาดแคลนและราคาเพิ่มขึ้น 41
ตลาดนี้ยังมีผู้เล่นหลักอยู่ไม่กี่ราย โดย Samsung, SK hynix และ Micron ครองกำลังผลิต DRAM โลกราว 90%–95% ดังนั้นการปรับสัดส่วนสินค้าของทั้งสามบริษัทจึงส่งผลต่อทั้งตลาดโลก 47
ตัวเลขนี้ต้องอ่านอย่างระมัดระวัง TechInsights คาดการณ์ว่าราคา DRAM อาจเพิ่มขึ้นมากกว่า 200% เมื่อเทียบกับปีก่อนหน้า แต่เป็น การคาดการณ์ ไม่ใช่ราคาตลาดที่ยืนยันแล้วว่าปรับขึ้นทั่วทั้งตลาด 36
อย่างไรก็ดี ข้อมูลที่เผยแพร่สะท้อนแรงกดดันด้านราคาอย่างชัดเจน TrendForce คาดว่าราคา DRAM แบบทั่วไปตามสัญญาจะเพิ่มขึ้นอีก 13%–18% จากไตรมาสก่อนในไตรมาส 3 ปี 2026 แม้ผ่านช่วงปรับขึ้นแรงมาก่อนหน้าแล้ว และยังมองว่าตลาดตึงตัวอย่างยิ่ง 51 อีกด้านหนึ่ง ข้อมูลราคาต่อหน่วยส่งออกของเกาหลีใต้รายงานว่าราคาส่งออก DRAM เพิ่มขึ้น 401% เมื่อเทียบกับปีก่อนในช่วงหนึ่งของเดือนสิงหาคม แต่ตัวเลขนี้เป็นมาตรวัดทางการค้า ไม่ใช่ราคาขายปลีกหรือราคาตามสัญญาที่ใช้แทนตลาดทั้งหมดได้
33
ข้อสรุปสำหรับผู้ซื้อคือ ราคาอาจต่างกันตามประเภทสินค้า สัญญา ประเทศ และช่วงเวลา แต่ทิศทางโดยรวมยังเป็นขาขึ้นอย่างรุนแรง
ไม่ควรตีความว่าชิป RAM หรือแฟลชทุกชนิดจะไม่มีขายจนถึงปี 2027 หลักฐานที่หนักแน่นกว่าคือ HBM ระดับแนวหน้าและหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ความจุสูงอยู่ในภาวะจัดสรรโควตาที่ตึงมาก และคำสั่งซื้อจากลูกค้าถูกจองล่วงหน้าไกล
ตัวอย่างเช่น มีรายงานว่าผลผลิต HBM ของ Micron ทั้งหมดในปี 2026 ถูกจองหมดแล้ว ขณะที่กำลังผลิต DRAM และ HBM ปี 2027 ของผู้ผลิตรายใหญ่สามรายก็ถูกจัดสรรไปมาก 34
40 ภาพที่เหมาะสมกว่าคือ ตลาดอยู่ในภาวะ allocation: ผู้ซื้อที่มีสัญญาระยะยาวหรือมีความสำคัญเชิงกลยุทธ์จะได้สิทธิ์ก่อน ส่วนลูกค้ารายอื่นอาจต้องรับราคาที่สูงขึ้น มีทางเลือกน้อยลง หรือเปลี่ยนไปใช้สเปกอื่น
เมื่อค่า RAM และสตอเรจสูงขึ้น ผู้ผลิตอุปกรณ์มีทางเลือกจำกัด ได้แก่
IDC คาดว่าแรงกดดันนี้จะกระทบทั้งราคาและจำนวนเครื่องที่ส่งมอบ โดยประเมินว่ายอดส่งมอบพีซีทั่วโลกปี 2026 อาจลดลง 11.3% แต่รายได้เพิ่มขึ้น 1.6% เพราะราคาขายเฉลี่ยสูงขึ้น ส่วนสมาร์ตโฟนอาจลดลง 12.9% ในปี 2026 และปัญหาอุปทานหน่วยความจำอาจดำเนินต่อไปตลอดปี 2026 และน่าจะยาวถึงช่วงใหญ่ของปี 2027 ตัวเลขเหล่านี้เป็นประมาณการ ไม่ใช่ผลลัพธ์ที่เกิดขึ้นแล้ว และกำลังซื้อของผู้บริโภคยังเป็นตัวจำกัดว่าผู้ผลิตจะผลักต้นทุนไปยังราคาขายได้มากเพียงใด 56
กลุ่มที่มีแนวโน้มรับผลกระทบมากกว่าคือพีซีเกมมิง เวิร์กสเตชัน มือถือระดับพรีเมียม และอุปกรณ์ที่ติดตั้ง SSD ความจุสูง แม้ผู้ผลิตยังสามารถปรับสเปกเพื่อบรรเทาผลกระทบได้
การเพิ่มกำลังผลิตเป็นกระบวนการหลายขั้น ตั้งแต่ก่อสร้างโรงงาน ติดตั้งเครื่องจักร รับรองกระบวนการผลิต เพิ่มอัตราผลผลิตที่ผ่านเกณฑ์ ไปจนถึงการเร่งผลิตเชิงปริมาณ ส่วน HBM ยิ่งซับซ้อน เพราะการแพ็กเกจและการซ้อนชิปขั้นสูงต้องขยายตามกำลังผลิตแผ่นเวเฟอร์ DRAM ไปพร้อมกัน
กำลังผลิตใหม่บางส่วนกำลังจะมา SK hynix วางแผนให้โรงงาน M15X เริ่มถูกใช้งานภายในกลางปี 2027 ขณะที่โรงงาน P5 ของ Samsung คาดว่าจะเริ่มดำเนินงานในปี 2028 21 แต่โครงการใหญ่บางส่วนของ SK hynix มีกำหนดเปิดคลีนรูมช่วงปลายปี 2028 และปี 2029 ซึ่งย้ำว่าการประกาศลงทุนไม่ได้หมายถึงมีชิปพร้อมขายทันที
17
เพราะเหตุนี้ ปี 2027 อาจมีอุปทานดีขึ้นทีละน้อย แต่ยังไม่ใช่ภาวะล้นตลาด TrendForce ระบุว่าผู้ผลิตหลายรายจะเพิ่มกำลังผลิตในปี 2027 ทว่าเวลาที่ใช้ในการก่อสร้าง ติดตั้งอุปกรณ์ และเตรียมวัตถุดิบ จะทำให้การเร่งผลิตจริงมีความล่าช้า 52
การผ่อนคลายในปี 2028 เป็นไปได้ แต่ยังไม่แน่นอน และแนวโน้มแตกต่างกันตามชนิดของหน่วยความจำ
TrendForce คาดว่า NAND Flash อาจเข้าสู่ภาวะอุปทานผ่อนคลายขึ้นในครึ่งหลังของปี 2027 เมื่อกำลังผลิตใหม่เริ่มเข้ามา ขณะที่ความต้องการอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคอ่อนแอ แต่ฝั่ง DRAM ยังคาดว่าจะตึงตัวและราคาขึ้นต่อ จากการจัดสรรกำลังผลิตให้ HBM ความต้องการเซิร์ฟเวอร์ AI และการจัดซื้อหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ 52
Samsung ยังเตือนว่าไม่น่าจะเห็นอุปทานส่วนเพิ่มในระดับมีนัยสำคัญจนถึงปี 2028 ปัจจัยสำคัญที่ต้องติดตามคือการลงทุนสร้างเซิร์ฟเวอร์ AI, อัตราผลผลิต HBM, ความพร้อมของการแพ็กเกจขั้นสูง, ความเร็วในการเร่งผลิตของโรงงานใหม่ และการที่ผู้ผลิตจะโยกกำลังผลิตกลับสู่ DRAM ทั่วไปมากน้อยเพียงใด 53
ผู้ผลิตหน่วยความจำรายสำคัญของจีนสองรายมีบทบาทต่างกัน
มาตรการควบคุมการส่งออกเพิ่มความไม่แน่นอน Reuters รายงานว่า YMTC อยู่ในบัญชี Entity List ของสหรัฐฯ ซึ่งจำกัดการเข้าถึงซัพพลายเออร์ ซอฟต์แวร์ และเครื่องมือการผลิตจากสหรัฐฯ และยังมีการหารือถึงข้อจำกัดเพิ่มเติมที่อาจกระทบทั้ง YMTC กับ CXMT 1 ข้อจำกัดเหล่านี้อาจทำให้การขยายกำลังผลิตและการเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตระดับแนวหน้าคาดการณ์ได้ยากขึ้น
ดังนั้น จีนอาจมีความสำคัญมากขึ้นต่อ DRAM ทั่วไปและ NAND โดยเฉพาะการตอบสนองดีมานด์ในประเทศ แต่หลักฐานที่มีอยู่ยังไม่รองรับการมองว่าจีนจะช่วยคลี่คลายภาวะขาดแคลน HBM ระดับแนวหน้าได้ในระยะใกล้
วิกฤตหน่วยความจำจาก AI ไม่ใช่แค่ความต้องการชิปพรีเมียมชนิดเดียวพุ่งขึ้น แต่เป็นปัญหาการจัดสรรทรัพยากรตลอดห่วงโซ่ ตั้งแต่เวเฟอร์ การแพ็กเกจขั้นสูง ไปจนถึงสัญญาระยะยาวกับลูกค้ารายใหญ่ นี่จึงเป็นเหตุผลที่การแย่งซื้อ HBM สามารถดันต้นทุนของ DRAM และแฟลชสำหรับพีซี มือถือ และระบบองค์กรให้สูงขึ้นได้
ภาพที่มีหลักฐานรองรับมากที่สุดคือ ภาวะตึงตัวยังมีแนวโน้มต่อเนื่องถึงปี 2027 ก่อนอาจเริ่มผ่อนคลายอย่างไม่เท่ากันเมื่อกำลังผลิตใหม่เร่งขึ้น NAND อาจคลายตัวก่อน ขณะที่ DRAM และ HBM มีแนวโน้มยังตึงตราบเท่าที่ความต้องการจากศูนย์ข้อมูล AI ยังเติบโตเร็วกว่ากำลังผลิตที่ผ่านการรับรองแล้ว 52
53
Studio Global AI
หน้านี้รวมคำตอบที่ได้รับการสนับสนุนจากแหล่งที่มาซึ่งคุณสามารถดำเนินการต่อภายใน Studio Global
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำกำลังให้ความสำคัญกับ HBM และ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งทำกำไรสูงกว่า ส่งผลให้ DRAM แบบทั่วไปสำหรับพีซีและมือถือมีอุปทานตึงตัวขึ้น
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำกำลังให้ความสำคัญกับ HBM และ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งทำกำไรสูงกว่า ส่งผลให้ DRAM แบบทั่วไปสำหรับพีซีและมือถือมีอุปทานตึงตัวขึ้น ตัวเลข DRAM เพิ่มขึ้นกว่า 200% เป็นเพียงคาดการณ์ของ TechInsights ไม่ใช่ราคายืนยันทั้งตลาด แต่ข้อมูลและการคาดการณ์อื่นก็ชี้ว่าราคายังอยู่ในทิศทางขาขึ้นอย่างมาก
IDC คาดว่าราคาขายเฉลี่ยที่สูงขึ้นจะกดดันยอดส่งมอบพีซีและสมาร์ตโฟนในปี 2026 ขณะที่การคลายตัวของตลาดในปี 2027 2028 น่าจะเกิดไม่พร้อมกัน โดย NAND อาจผ่อนคลายก่อน DRAM และ HBM