การสร้างดาต้าเซ็นเตอร์เพื่อ AI กำลังทำให้ “หน่วยความจำ” กลายเป็นข้อจำกัดของทั้งระบบ ไม่ใช่แค่การหา GPU ให้พอใช้ เซิร์ฟเวอร์ AI ต้องใช้ทั้งหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM), DRAM ทั่วไปสำหรับเซิร์ฟเวอร์ และ SSD ระดับองค์กร เมื่อผู้ผลิตหันกำลังการผลิตที่มีจำกัดไปยังสินค้ากลุ่มนี้ ผู้ผลิตพีซีและสมาร์ตโฟนจึงเผชิญทั้งต้นทุนสูงขึ้นและทางเลือกด้านซัพพลายที่น้อยลง ภาพที่เกิดขึ้นจึงอาจเป็นวัฏจักรหน่วยความจำตึงตัวต่อเนื่อง ไม่ใช่ปัญหาชิ้นส่วนขาดแคลนระยะสั้น
33
34
คอขวดไม่ได้อยู่ที่ HBM เพียงอย่างเดียว
HBM คือหน่วยความจำแบบซ้อนชั้นที่ทำงานใกล้กับตัวเร่งความเร็ว AI แต่เป็นเพียงส่วนหนึ่งของต้นทุนหน่วยความจำในเซิร์ฟเวอร์ AI ระบบขนาดใหญ่ยังต้องใช้ DRAM ทั่วไปสำหรับซีพียูและหน่วยความจำระบบ ขณะที่ความต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลของดาต้าเซ็นเตอร์ก็หนุนตลาด SSD ระดับองค์กรด้วย TrendForce คาดว่าความต้องการบิตของ Server DRAM และ HBM รวมกันจะเติบโตเฉลี่ยสะสม 37.4% ต่อปีจนถึงปี 2028
33
ประเด็นสำคัญคือ HBM ต้องอาศัยกำลังผลิต DRAM ระดับสูงที่มีจำกัด รวมถึงกระบวนการแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง เมื่อผู้ผลิตให้ความสำคัญกับ HBM และหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ความจุสูง ทรัพยากรที่เหลือสำหรับ DRAM มาตรฐานในพีซีและมือถือย่อมน้อยลง TrendForce ระบุว่าเซิร์ฟเวอร์ AI กำลังผลักดันความต้องการทั้ง DRAM ทั่วไปและ HBM ขณะที่การจัดลำดับความสำคัญของกำลังผลิตกำลังเพิ่มแรงกดดันด้านต้นทุนแก่ตลาดพีซีและสมาร์ตโฟน
34
39
เหตุใดราคาสูงอาจยืดเยื้อถึงปี 2027
ฝั่งอุปทานขยายตัวได้ช้า การเพิ่มกำลังผลิตไม่ได้เกิดขึ้นทันทีเพียงเพราะประกาศสร้างโรงงานใหม่ ผู้ผลิตยังต้องสร้างคลีนรูม ติดตั้งเครื่องจักร รับรองกระบวนการผลิต ปรับปรุงอัตราผลผลิต และขยายกำลังแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง ก่อนที่ชิปจำนวนมากจะส่งมอบให้ลูกค้าได้จริง
รายงานในเดือนกันยายนที่อ้างถึงการคาดการณ์ของ TechInsights ระบุว่าราคา DRAM อาจเพิ่มขึ้นมากกว่า 200% เมื่อเทียบรายปี ซึ่งเป็นตัวเลขคาดการณ์เชิงรุก ไม่ใช่ผลลัพธ์ของตลาดที่ยืนยันแล้ว ต่างหาก TrendForce ประเมินว่าราคาชิ้นส่วน Server DRAM ในปี 2026 อาจเพิ่มขึ้นราว 270% เมื่อเทียบรายปี และราคา Enterprise SSD อาจเพิ่มขึ้น 235%
49
35
ตลาดยังตึงขึ้นจากการทำสัญญาซื้อล่วงหน้า รายงานที่อ้าง DigiTimes ระบุว่า Samsung, SK hynix และ Micron ได้จัดสรรกำลังผลิต DRAM และ HBM ของปี 2027 ล่วงหน้าแล้ว ข้อนี้ควรอ่านอย่างระมัดระวัง เพราะเป็นรายงานจากแวดวงอุตสาหกรรม ไม่ใช่คำยืนยันอย่างเป็นทางการจากผู้ผลิตว่าชิปทุกหน่วยไม่มีเหลือให้ซื้อ แต่สัญญาณอื่นสนับสนุนว่าตลาดกำลังตึงตัว โดยควัก โน-จอง ซีอีโอของ SK hynix บอกกับ Reuters ว่า ปี 2027 อาจเป็นปีที่อุปทานตึงตัวที่สุดในประวัติศาสตร์ของอุตสาหกรรม
3
1
ผู้ซื้อพีซีและสมาร์ตโฟนจะเจออะไรบ้าง
ต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นไม่ได้แปลว่าราคาของอุปกรณ์ทุกเครื่องจะขึ้นเท่ากัน ผู้ผลิตอาจเลือกแบกรับต้นทุนบางส่วน ปรับสเปก เปลี่ยนไปขายรุ่นมาร์จิ้นสูง หรือปรับขึ้นราคาขายปลีก แต่ทิศทางแรงกดดันค่อนข้างชัดเจน: TrendForce คาดว่าความต้องการพีซีและสมาร์ตโฟนอาจชะลอลง เมื่อเซิร์ฟเวอร์ AI ได้รับการจัดสรรซัพพลายก่อนและต้นทุนชิ้นส่วนเพิ่มขึ้น
34
ผลกระทบที่มีแนวโน้มเกิดขึ้น ได้แก่
- ราคาขายเฉลี่ยสูงขึ้น แบรนด์ที่มีอำนาจในการตั้งราคาสามารถส่งผ่านต้นทุนหน่วยความจำส่วนหนึ่งไปยังผู้ซื้อ
- ตัวเลือกราคาประหยัดลดลง รุ่นเริ่มต้นอาจให้แรมหรือพื้นที่เก็บข้อมูลน้อยลง หรือหายไปจากตลาดหากมาร์จิ้นไม่คุ้ม
- อุปทานของรุ่นมาร์จิ้นต่ำตึงตัวกว่าเดิม ผู้ผลิตพีซี, Chromebook และมือถือระดับกลางมีพื้นที่รับต้นทุนชิ้นส่วนสูงน้อยกว่าแบรนด์พรีเมียม
- ยอดจัดส่งอาจถูกกดดัน ผู้ผลิตอาจลดการผลิตรุ่นที่ไม่ทำกำไร แม้ความต้องการของผู้บริโภคยังไม่ได้หายไป
ยังไม่มีตัวเลขคาดการณ์เดียวที่น่าเชื่อถือสำหรับยอดจัดส่งพีซีหรือสมาร์ตโฟนทั่วโลก ซึ่งแยกผลกระทบจากหน่วยความจำออกมาโดยเฉพาะได้ ปัจจัยอย่างรอบการเปลี่ยนเครื่อง อัตราแลกเปลี่ยน ภาษี และภาวะเศรษฐกิจ ล้วนมีผลเช่นกัน แต่ข้อสรุปที่หนักแน่นกว่าคือ หน่วยความจำราคาแพงทำให้กลยุทธ์ขายอุปกรณ์ราคาจับต้องได้รักษาไว้ยากขึ้น
DRAM กับ NAND มีแนวโน้มเดินคนละทาง
การมองหน่วยความจำทุกประเภทเป็นตลาดเดียวกันอาจทำให้พลาดความแตกต่างสำคัญ DRAM โดยเฉพาะ HBM และ Server DRAM มีแนวโน้มตึงตัวเชิงโครงสร้างต่อไป ขณะที่ NAND มีเส้นทางกลับสู่สมดุลชัดกว่าเมื่อปริมาณบิตที่ผลิตได้เพิ่มขึ้น
| กลุ่มผลิตภัณฑ์ |
แนวโน้มปี 2027 |
สิ่งที่อาจเกิดขึ้นถัดไป |
| DRAM และ HBM |
ความต้องการจาก AI การจัดสรรกำลังผลิตไปยัง HBM ต่อเนื่อง และการสั่งซื้อหน่วยความจำสำหรับซีพียูที่เพิ่มขึ้น มีแนวโน้มทำให้อุปทานจำกัดและราคายังถูกกดดันขึ้น 39 |
กำลังผลิตใหม่และอัตราผลผลิตที่ดีขึ้นอาจช่วยลดความไม่สมดุลได้ในที่สุด แต่จังหวะและขนาดของการปรับราคาสู่ภาวะปกติยังไม่แน่นอน |
| NAND และ Enterprise SSD |
ความต้องการสตอเรจจาก AI ทำให้ NAND อยู่ในภาวะอุปทานไม่พอตลอดปี 2026 42 |
TrendForce คาดว่าการเปลี่ยนผ่านกระบวนการผลิต ปริมาณบิตที่เพิ่มขึ้น และอุปสงค์สินค้าอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคที่อ่อนแอ จะช่วยคลายความตึงตัวในครึ่งหลังของปี 2027 และอาจกดดันราคาให้ลดลง 42 39 |
ความแตกต่างนี้เป็นหัวใจของแนวโน้มปี 2027–2028 การโยกกำลังผลิตไปทำ HBM และอุปสงค์ DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI จำกัดตลาด DRAM ในแบบที่ไม่สามารถเทียบตรง ๆ กับ NAND ได้ NAND ยังผันผวนได้ แต่ข้อมูลที่มีชี้ว่าตลาดน่าจะคลายตัวเร็วกว่าฝั่ง DRAM มากกว่าจะขาดแคลนยืดเยื้อแบบ HBM อย่างแน่นอน
39
42
CXMT และ YMTC ของจีน: เพิ่มอุปทานได้ แต่ยังไม่ใช่วาล์วระบายของโลกในทันที
การขยายการผลิตหน่วยความจำของจีนอาจเพิ่มความมั่นคงด้านซัพพลายภายในประเทศ แต่ในเวลานี้ยังไม่ใช่ตัวทดแทนโดยตรงสำหรับ HBM และ Server DRAM ระดับแนวหน้าจากผู้ผลิตรายใหญ่เดิม
CXMT ซึ่งเป็นผู้ท้าชิง DRAM รายสำคัญของจีน มีรายงานว่าเริ่มผลิต HBM3E ในระดับเล็กเพื่อส่งให้ผู้พัฒนาชิป AI ในประเทศ การนำไปใช้เชิงพาณิชย์ยังขึ้นอยู่กับผลการทดสอบ โดยตั้งเป้าขยายกำลังผลิตในปี 2027
18
YMTC คือผู้ผลิต NAND รายใหญ่ของจีน ทั้ง CXMT และ YMTC สามารถเพิ่มกำลังผลิต DRAM และ NAND ที่มีความสำคัญเชิงยุทธศาสตร์สำหรับอุปกรณ์ภายในประเทศ, SSD และการใช้งานในดาต้าเซ็นเตอร์ได้ อย่างไรก็ดี ข้อจำกัดการส่งออก HBM ขั้นสูงและเครื่องมือผลิตชิปทำให้จีนขยายเทคโนโลยีหน่วยความจำระดับแนวหน้า รวมถึงระบบนิเวศแพ็กเกจจิ้งที่เกี่ยวข้องได้ยากขึ้น สหรัฐฯ เพิ่ม HBM ขั้นสูงเข้าในมาตรการควบคุมการส่งออกเมื่อเดือนธันวาคม 2024
18
การขยายตัวของจีนอาจยังไม่ช่วยคลายภาวะขาดแคลนในประเทศอื่นอย่างรวดเร็ว มีรายงานว่าผลผลิตเพิ่มเติมของ CXMT น่าจะถูกดูดซับโดยผู้ให้บริการคลาวด์ของจีน ขณะเดียวกันข้อจำกัดต่าง ๆ ทำให้ผู้ผลิตเกาหลีใต้ส่งหน่วยความจำขั้นสูงให้ผู้ให้บริการคลาวด์จีนโดยตรงได้ยากขึ้น
17
ข้อสรุปสำหรับผู้บริโภคและตลาดเทคโนโลยี
ภาวะหน่วยความจำตึงตัวจาก AI ไม่ใช่แค่เรื่อง HBM ขายหมด คลัสเตอร์ AI เพิ่มความต้องการหน่วยความจำหลายประเภทพร้อมกัน ขณะที่การผลิตและแพ็กเกจจิ้งเฉพาะทางของ HBM ทำให้การเพิ่มอุปทานทำได้ไม่เร็ว ผลลัพธ์คือผู้ผลิตหน่วยความจำมีอำนาจต่อรองในสัญญามากขึ้น และแรงกดดันด้านต้นทุนถูกส่งต่อไปยังสินค้าอิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค
44
34
กรณีฐานที่ชัดที่สุดจากข้อมูลที่มีคือ ตลาด DRAM จะยังตึงตัวตลอดปี 2027 โดยผลกระทบหนักสุดอยู่ที่ HBM และ Server DRAM ส่วน NAND อาจยังเผชิญแรงกดดันในระยะใกล้ แต่มีโอกาสคลายตัวได้มากกว่าในช่วงปลายปี 2027 สำหรับผู้ซื้ออุปกรณ์ ผลกระทบอาจไม่ใช่ราคาทุกรุ่นพุ่งพร้อมกัน หากจะปรากฏในรูปสินค้าระดับทั่วไปที่แพงขึ้น รุ่นคุ้มค่าที่มีให้เลือกน้อยลง และของขาดในกลุ่มสินค้ามาร์จิ้นต่ำ
39
42