Samsung visar AI-minnets framtid med zHBM och V-NAND över 400 lager

Enligt Samsung ger V10 BV-NAND omkring 58 procent högre minnestäthet än V9-generationen . Företaget uppger även förbättringar för läsning, skrivning och I/O-prestanda, samtidigt som energiförbrukningen ska minska .

Det är en symboliskt viktig lansering för Samsung: V-NAND presenterades för första gången vid samma konferens för 13 år sedan, 2013 .

zHBM flyttar minnet ovanpå AI-chipet

Den mest spektakulära nyheten var zHBM. Dagens HBM-minne placeras normalt bredvid AI-acceleratorn på en så kallad kiselinterposer. zHBM vänder på den principen och staplar i stället HBM-minnet vertikalt direkt ovanpå AI-acceleratorn .

Avsikten är att korta avståndet som data behöver färdas mellan beräkning och minne. Samsung menar att den wafer bonding-teknik som krävs kan ge följande resultat jämfört med HBM5:

• cirka åtta gånger högre prestanda,
• mer än tio gånger högre minnestäthet,
• cirka tre gånger bättre energieffektivitet, och
• mer än halverat termiskt motstånd .

Det är dock viktigt att skilja på vision och produkt. zHBM visades som en fysisk konceptmodell eller mockup, inte som en produkt som kunder kan beställa. Samsung angav heller ingen tidplan för kommersialisering . Om arkitekturen blir verklighet skulle den dessutom bryta med den kiselinterposer som hittills har varit central i HBM-generationerna .

zNAND-O riktar sig mot edge-AI

Samsung presenterade också zNAND-O, en konceptarkitektur för NAND-minne i edge-AI-system. Den kombinerar V-NAND med TSV-teknik, alltså genomgående kiselanslutningar, för att stapla fyra eller åtta NAND-chip i samma kapsling .

Målet är bättre utrymmeseffektivitet, högre I/O-prestanda och lägre fördröjning i exempelvis lokala AI-arbetslaster. Även zNAND-O visades endast som ett koncept och saknar ett offentliggjort lanseringsdatum .

HBM4E, HBM5 och minne som utför beräkningar

På mässan visade Samsung även HBM4E-prover och HBM5-konceptmodeller som delar av företagets framtida HBM-plan . Samsung uppger att bolaget började massproducera HBM4 i februari 2026 med 1c-DRAM och 4-nanometersteknik. I maj sade företaget att det var först i branschen med att leverera HBM4E-prover till globala kunder .

Massproduktion av HBM4E är planerad till 2027 och ska använda Samsungs fjärde generation av Hybrid Bonding-processen .

En annan nyhet var LPDDR5X-PIM. PIM står för Processing-in-Memory och innebär att vissa dataoperationer utförs inne i minnet i stället för att all data måste skickas fram och tillbaka till CPU:n eller GPU:n. För AI-inferens kan det minska datarörelserna, vilket i lämpliga arbetslaster kan förbättra effektiviteten och sänka energiförbrukningen .

Samsung visade dessutom företagsinriktade SSD-plattformar som PM1763 och BM1773, utvecklade med AI-infrastrukturens krav i åtanke .

Samsung återtar förstaplatsen i DRAM

Tekniklanseringarna kommer samtidigt som Samsung har fått medvind på DRAM-marknaden. Enligt Counterpoint Research stod Samsung för 39 procent av den globala DRAM-marknaden räknat i intäkter under andra kvartalet 2026. SK hynix hade 26 procent och Micron 25 procent .

Samsung tog därmed tillbaka förstaplatsen efter att SK hynix haft ledningen under tidigare kvartal. Utvecklingen kopplas bland annat till stark efterfrågan på standardiserat DRAM och en växande HBM-produktion, medan priserna på SK hynix HBM beskrivs som mer stillastående .

SK hynix ökade visserligen sina intäkter med 214 procent jämfört med samma kvartal året före, men marknadsandelen föll från 39 procent i andra kvartalet 2025 till 26 procent i andra kvartalet 2026 .

Långtidsavtal ska säkra AI-kunderna

På Samsungs resultatkonferens den 30 juli presenterade företaget också en tydlig förändring i affärsstrategin. Samsung planerar att lägga 60–70 procent av sin totala minnesproduktionskapacitet under långsiktiga leveransavtal, så kallade LTA:er (long-term agreements) .

Avtalen följer enligt Samsung en ”femårigt rullande” modell: en grundperiod på fem år där nya år kan läggas till genom årliga förhandlingar . Villkoren omfattar även förskottsbetalningar. Samsung uppgav att omkring en fjärdedel av de totala förskotten redan hade betalats in .

Enligt uppgifter om avtalsstrukturen begränsas eventuella kvartalsvisa prissänkningar till högst 5 procent, medan möjligheten att höja priserna inte har samma begränsning . En Bank of America-analys bedömde därför att villkoren tydligt gynnar leverantören .

Samsung har uppgett att avtal redan är klara med fem stora globala datacenterkunder och att förhandlingar med ytterligare fem AI-kunder befinner sig i ett sent skede . Branschrapporter har pekat ut AWS, Microsoft, Google Cloud, Meta och Oracle bland de fem första, men kunduppgifterna har inte offentliggjorts av Samsung i detalj .

Som jämförelse har Micron satt ett mål på omkring 50 procent av den långsiktiga minnesförsäljningen genom sina Strategic Customer Agreements .

Konkurrenterna bygger nästa minnesnivå

FMS 2026 handlade inte bara om Samsung. Flera konkurrenter presenterade tekniker som visar hur AI-infrastrukturens minne håller på att delas upp i fler nivåer:

• SK hynix och Sandisk presenterade den första standarden för High Bandwidth Flash, HBF – en mellanposition mellan HBM och SSD. Specifikationen omfattar kapaciteter på upp till 512 GB, bandbredd från cirka 0,4 till 3,0 TB/s och anslutning via UCIe. Google och Tenstorrent deltar i HBF-konsortiet .
• Kioxia visade GP1-seriens PCIe 6.0-NVMe-SSD:er, optimerade för direkt åtkomst från GPU:er. Företaget presenterade även CM10- och NX1-serierna, som stöder direkt vätskekylning, och medverkade tillsammans med Nvidia kring flashlagring för AI-infrastruktur .
• Micron har haft sin företags-SSD 9650 med PCIe 6.0 i massproduktion sedan februari 2026. Enligt uppgifterna var det den första kommersiella PCIe 6.0-enheten .
• SK hynix visade dessutom sin tionde generation 4D-NAND med 375 lager och uppgav att energieffektiviteten ökat 2,5 gånger .

Samsungs budskap: mer än ett nytt chip

Samsungs presentation var därför större än en rad nya minnesprodukter. V10 BV-NAND visar hur wafer bonding kan användas för att pressa NAND till ännu högre staplar. zHBM och zNAND-O pekar samtidigt mot en framtid där minne placeras allt närmare beräkningsenheten – eller direkt ovanpå den.

Parallellt försöker Samsung göra AI-boomen mer förutsägbar ekonomiskt genom att låsa in en stor del av kapaciteten i fleråriga avtal. Tillsammans med den återtagna DRAM-ledningen ger det bolaget ett starkt utgångsläge, men också ett tydligt tecken på hur hård konkurrensen om AI-minne har blivit.

Den övergripande trenden är klar: AI-systemen får flera specialiserade minnesnivåer – från HBM via nya HBF-koncept till PCIe 6.0-SSD:er – och kampen handlar inte längre bara om vem som kan tillverka mest minne, utan också om vem som kan integrera det snabbast, svalast och närmast beräkningen.