Samsung uppges vara berett att använda TSMC:s 3 nm-process för baschipet i Nvidias specialutformade minne NVHBM. Det vore ett tydligt avsteg från Samsungs vanliga modell, där bolaget tillverkar både minneslagren och baschipet självt. Men uppgifterna gäller en specifik Nvidia-produkt – inte ett besked om att Samsung överger sin helhetsmodell för HBM. Företagen har inte offentligt bekräftat upplägget.
32
35
Nvidias krav på en gemensam plattform
Enligt rapporter med hänvisning till branschkällor har Nvidia bett Samsung, SK hynix och Micron att använda TSMC:s 3 nm-process för NVHBM:s baschip. Minneslagren ovanpå ska enligt uppgifterna bygga på 1c-DRAM, den sjätte generationen av DRAM i 10-nanometersklassen. Samsung ska ha godkänt förslaget efter en intern genomgång.
1
5
Baschipet är logikdelen längst ned i HBM-stacken; kärnchipen ovanför står för själva minnet. En gemensam processpecifikation kan ge Nvidia en mer enhetlig plattform att integrera och testa mellan olika leverantörer. Det innebär däremot inte att leverantörernas färdiga produkter blir identiska, och alla detaljer i kravet är fortfarande baserade på rapportering.
5
35
Ett avsteg – men bara för NVHBM
Med Samsungs så kallade helhetsmodell, eller turnkey-modell, tillverkar företaget både logikbaschipet och minneschipen. I det rapporterade NVHBM-upplägget skulle TSMC stå för tillverkningsprocessen för baschipet, medan Samsung fortsätter som minnesleverantör. Samsung skulle alltså lägga ut en del av tillverkningen för den här produkten, inte lämna HBM-verksamheten som helhet.
32
Rapporteringen säger att Samsung fortsatt ska tillverka baschip internt för sin vanliga HBM-serie. Det talar för ett selektivt svar på Nvidias specifikationer snarare än en bred kursändring bort från egen produktion.
11
Därför spelar baschipet större roll
I NVHBM flyttas minnesstyrenheten enligt uppgifterna från processorchipet till HBM-stackens baschip. Den komponenten blir därmed mer än bara en grund för minneslagren.
40 Nvidia har beskrivit NVHBM som en lösning med upp till 30 procent högre bandbredd och 15 procent lägre HBM-strömförbrukning än standard-HBM4E. Det är företagets angivna produktfördelar, inte en garanti för samma resultat i varje system.
43
Den extra logiken bidrar till att förklara varför tillverkningsprocessen för baschipet är central i de rapporterade diskussionerna. Men uppgifterna gäller ett rapporterat krav och ett rapporterat godkännande – inte en offentlig teknisk redogörelse som slår fast hur produktionen eller prestandan faktiskt kommer att bli.
Vad uppgifterna visar – och inte visar
Om rapporterna stämmer pekar upplägget på att Nvidia kan påverka hur konkurrerande minnesleverantörer tillverkar en specialanpassad produkt. För Samsung blir avvägningen mindre egen kontroll över baschipstillverkningen för NVHBM, i utbyte mot att följa Nvidias önskade processpecifikation.
1
5
Det finns samtidigt viktiga frågetecken. Reuters återgav uppgifterna från tidningen Seoul Economic Daily, och andra rapporter säger att företagen inte har bekräftat de specifika tillverkningsarrangemangen.
32
35 Påståenden om skillnader i utbyte, en alternativ process hos Samsung eller detaljer om TSMC:s kapacitet bör därför inte behandlas som fastslagna utfall utifrån det underlag som finns här.
Den tydligaste slutsatsen är att Samsungs helhetsmodell kan bli mer flexibel – inte föråldrad. För NVHBM kan Nvidias produktkrav väga tyngre än Samsungs önskan att tillverka varje komponent själv, samtidigt som Samsung fortsätter med egen produktion för andra HBM-produkter.