AnswersPublished24 sources
Samsung och SK hynix visar varför AI-minne har blivit en kapplöpning i paketering
Samsungs 12 lagers HBM4E prover började skickas till stora kunder i slutet av maj med stabila 14 Gbit/s per pinne, 3,6 TB/s och 48 GB per stack. Samsung går mot kundanpassat cHBM och därefter zHBM, där processorlogik och minne integreras vertikalt.
Publicerad avRedigerad med GPT-5.6 LunaBilder genererade med GPT Image 1.5
Research answer
Key takeaways
- Samsungs 12 lagers HBM4E prover började skickas till stora kunder i slutet av maj med stabila 14 Gbit/s per pinne, 3,6 TB/s och 48 GB per stack.
- Samsung går mot kundanpassat cHBM och därefter zHBM, där processorlogik och minne integreras vertikalt.
- SK hynix undersöker hybridbindning för stackar över 16 lager, men bedömer att tekniken sannolikt inte blir klar för HBM4E.
AI Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung och SK hynix presenterade på Hot Chips 2026 två olika svar på samma problem: hur AI-minnet ska leverera mer bandbredd utan att värme, kapslingsstorlek och tillverkningskomplexitet blir övermäktiga. Samsung betonade hastighet, kundanpassade baschip och en framtid där minnet placeras direkt på processorn. SK hynix lade större vikt vid själva kapslingen – kylning, skevhet, sammankopplingar och de fysiska gränserna för allt högre minnesstackar. 2
3
De mest uppmärksammade siffrorna är ambitiösa, men bör läsas som tillverkarspecifikationer, roadmapmål eller konstruktionspåståenden – inte som oberoende benchmarkresultat.
Samsungs HBM4E: 3,6 TB/s i dagens prover och omkring 4 TB/s vid 16 Gbit/s
Samsung uppgav att företaget började skicka prover av 12-lagers HBM4E till stora globala kunder i slutet av maj. Proverna har en stabil överföringshastighet på 14 Gbit/s per pinne, med möjlighet att skala till 16 Gbit/s. För 12-lagersversionen anger Samsung 3,6 TB/s bandbredd och 48 GB kapacitet per stack. 17
18
Den planerade konfigurationen på 16 Gbit/s per pinne skulle höja bandbredden per stack till ungefär 4 TB/s. Samsung har dessutom beskrivit versioner med 8 respektive 16 lager, vilket visar att HBM4E är tänkt att passa flera typer av acceleratorer och kapacitetskrav. 18
20
Skillnaden mellan levererade prover och ett högre hastighetsmål är viktig. 14 Gbit/s beskriver den nuvarande stabila provspecifikationen, medan 16 Gbit/s är den skalbara toppnivå Samsung siktar på. Bandbreddssiffrorna ska därför inte automatiskt tolkas som verifierade resultat från massproducerade komponenter.
Från standardiserat HBM till kundanpassat minne
Samsungs roadmap handlar inte bara om snabbare DRAM eller fler lager. Företaget beskriver en utveckling mot cHBM, eller kundanpassat HBM, där baschipet kan skräddarsys för en viss kunds accelerator. Det ger minneskapslingen en mer aktiv roll i systemet, i stället för att behandla den som en standardiserad komponent. 1
14
På längre sikt pekar Samsung mot zHBM – en tredimensionell struktur där processorlogik och DRAM integreras vertikalt. Tanken är att ta bort delar av den konventionella 2,5D-anslutningen, bland annat interposern och SerDes-länkarna. Samsung menar att detta kan ge stora förbättringar i energieffektivitet och bandbredd. 1
14
Samsung har beskrivit zHBM som omkring 70 procent mer energieffektivt och med mer än dubbelt så hög DRAM-bandbredd jämfört med den relevanta konventionella lösningen. Det är prognoser eller företagsuppgifter om en framtida arkitektur – inte mätningar från en kommersiellt tillgänglig zHBM-produkt. 1
3
Värmen har blivit en central arkitekturfråga
Högre I/O-hastigheter och tätare minnesstackar ökar mängden värme som måste ledas bort från kapslingen. Samsungs svar är Heat Path Block, HPB, som skapar extra värmevägar runt områden med hög effekt i det fysiska gränssnittet, PHY. Samsung uppgav att HPB kan sänka den maximala temperaturen med mer än 35 procent när tekniken täcker över 50 procent av PHY-ytan. 10
14
Samsung har också sagt att tekniken redan har implementerats och verifierats i HBM4E, samtidigt som en bredare integrering planeras i HBM5. 4
7 Den strategiska poängen är tydlig: kylning är inte längre bara en stödfunktion i minneskapslingen. Den blir en del av arkitekturen och påverkar hur snabbt gränssnittet kan arbeta.
SK hynix ser HBM-skalning som ett kapslingsproblem
SK hynix fokuserade i sin Hot Chips-presentation på tillverkning och integration. Företaget jämförde flera sätt att ansluta HBM-stackar till acceleratorer, bland annat CoWoS-S med stor kiselinterposer, CoWoS-L med RDL-interposer och Intels bryggbaserade EMIB. Alla alternativen innebär avvägningar mellan ledningsdragning, placering av chip, storlek på interposer eller substrat och risken för skevhet när fler minnesstackar placeras bredvid en accelerator. 11
12
SK hynix egen information om HBM-kapsling visar hur små marginalerna är. En HBM4-kapsling anges ha en Z-höjd på 775 mikrometer och innehålla tusentals TSV:er samt mikrobumpkontakter i baschipet. När stackarna växer måste konstruktörerna hantera tunnare chip, mindre mellanrum, mekanisk belastning och värmeavledning inom en fast kapslingsvolym. 11
12
SK hynix har tagit med EMIB som en möjlig 2,5D-väg i sin roadmap. Det signalerar tekniskt intresse för eller kompatibilitet med paketeringsmetoden, men bevisar inte i sig att det finns ett bekräftat kommersiellt samarbete mellan SK hynix och Intel. 12
iHBM riktar in sig på lokala värmeproblem
SK hynix utvecklar också iHBM, en kylmetod där ett material med hög värmeledningsförmåga placeras nära lokala heta områden inne i HBM-strukturen. Företaget har uppgett att konstruktionen kan minska det termiska motståndet med mer än 30 procent. 2
9
Skillnaden mot Samsungs HPB är talande. Båda företagen försöker hantera värme på chip-till-chip- och kapslingsnivå, men de betonar olika fysiska vägar: Samsung beskriver särskilda värmeöverföringsstrukturer runt PHY-områden, medan SK hynix fokuserar på att leda bort värme från specifika heta punkter inne i stacken. De tillgängliga rapporterna bygger på tillverkarnas uppgifter och utvecklingskoncept, så procentsiffrorna ska inte jämföras som om de kom från samma test.
Hybridbindning ska möjliggöra stackar över 16 lager
Konventionell lagring av allt fler minneslager stöter till slut på en gräns för tjocklek. SK hynix uppgav att hybridbindning undersöks som ett sätt att gå förbi 16-lagersstackar och potentiellt möjliggöra högre strukturer med tjockare chip och tätare kontaktmönster. 1
3
Företaget räknar dock inte med att hybridbindning ska vara klar för HBM4E. HBM5 är det tidigaste sannolika målet, och även den tidsplanen är en utvecklingsbedömning snarare än ett bekräftat produktschema. 2
5
Det gör HBM5 till en möjlig brytpunkt. HBM4E kan öka hastighet och kapacitet med dagens staplings- och paketeringsmetoder, men framtida generationer kan behöva nya tekniker för bindning, kylning och mekanisk stabilitet för att fortsatt skalning ska vara praktisk.
Slutsats: bandbredden ensam avgör inte nästa HBM-generation
Samsungs presentation antyder att nästa konkurrensfördel kommer att handla om kundanpassning och tätare integration mellan processor och minne. HBM4E-proverna ger ett kortsiktigt hastighetslyft, medan cHBM och zHBM pekar mot minneskapslingar som utformas kring specifika acceleratorer och så småningom integreras direkt med beräkningsdelen. 1
18
SK hynix budskap är att sådana prestandavinster först kräver lösningar på mindre synliga fysiska problem: skevhet i kapslingen, termiskt motstånd, ledningsdensitet, stapelhöjd och tillverkningsutbyte. Företagets iHBM- och hybridbindningsarbete försöker förlänga livslängden för staplade minneskonstruktioner utan att bortse från dessa begränsningar. 2
11
För utvecklare av AI-acceleratorer är slutsatsen praktisk: HBM-roadmaps handlar allt mer om hela kapslingen, inte bara om själva DRAM-chipet. Samsung satsar på kundanpassning och 3D-integration. SK hynix satsar på paketeringsteknik och disciplin i tillverkningen. Ingen av vägarna har ännu undanröjt den grundläggande avvägningen mellan högre bandbredd, mer värme och större integrationskomplexitet.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
People also ask
What is the short answer to "Samsung och SK hynix visar varför AI-minne har blivit en kapplöpning i paketering"?
Samsungs 12 lagers HBM4E prover började skickas till stora kunder i slutet av maj med stabila 14 Gbit/s per pinne, 3,6 TB/s och 48 GB per stack.
What are the key points to validate first?
Samsungs 12 lagers HBM4E prover började skickas till stora kunder i slutet av maj med stabila 14 Gbit/s per pinne, 3,6 TB/s och 48 GB per stack. Samsung går mot kundanpassat cHBM och därefter zHBM, där processorlogik och minne integreras vertikalt.
What should I do next in practice?
SK hynix undersöker hybridbindning för stackar över 16 lager, men bedömer att tekniken sannolikt inte blir klar för HBM4E.