Föramorfisering innebär att kislets ytskikt först skadas med joner så att det blir amorft, innan exempelvis bor implanteras.[11][12] Syftet är att motverka kanaliseringsfenomenet, där joner annars kan ta sig ovanligt djupt längs riktningar i enkristallens gitter.[7][11][12] Efter dopimplantationen återkristalliseras...
Publicerad avBilder genererade med GPT Image 2
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: 什么叫预非晶化. Article summary: 预非晶化就是:在正式注入硼等掺杂元素之前,先用离子轰击硅表面,把浅层硅原本有序的晶格打乱,形成一层非晶硅。主要目的是抑制后续注入的“晶向沟道效应”,避免部分掺杂离子跑得过深。[11][12] 1.. Topic tags: general web, workflow, code, manufacturing, education. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny thumbnail layouts. Make it useful as an illustrative visual, not as factual evidence.
Föramorfisering, ofta kallad PAI efter engelskans preamorphization implantation, innebär att man före den egentliga dopimplantationen bombarderar kiselytan med joner. Därmed störs det ordnade kristallgittret i ett tunt ytskikt, som blir amorft kisel. Målet är främst att hindra efterföljande dopjoner – till exempel bor – från att tränga för djupt in i materialet genom så kallad kanalisering.11
12
I enkristallint kisel är atomerna ordnade i ett regelbundet gitter med långräckviddig ordning. I amorft kisel har denna ordning brutits, men materialet är fortfarande fast kisel – det har alltså inte smälts.12
Prefixet för- beskriver ordningsföljden i processen: först görs ytskiktet amorft, exempelvis med germaniumjoner (Ge), och därefter implanteras det önskade dopämnet, som bor.11
I en enkristall finns riktningar där avstånden mellan atomraderna bildar relativt öppna passager. En inflygande jon som råkar följa en sådan riktning kolliderar mindre med atomerna och kan därför färdas betydligt djupare i kislet. Detta kallas kanalisering (channeling).
Här syftar ordet inte på den ledande kanalen i en MOSFET, utan på jonernas väg genom kristallgittret. Resultatet kan bli en oönskat lång, djup svans i dopprofilen.12
När ytskiktets kristallordning först bryts upp försvinner dessa välordnade passager. Det gör det lättare att få en grundare och mer styrbar dopfördelning, vilket är viktigt vid tillverkning av ultragrunda pn-övergångar.7
11
En enkel liknelse är en prydligt planterad skog med raka korridorer mellan träden: det går lätt att ta sig långt fram i en rak linje. Om träden står oregelbundet blir vägen mindre fri och rörelsen bromsas tidigare.
Det amorfa tillståndet är därmed ett tillfälligt steg i tillverkningen. Avsikten är inte att transistorområdet ska förbli amorft i den färdiga komponenten.
pai i ett SProcess-kommando?implant Boron energy=230 dose=1.0e13 tilt=0 rot=135 pai
I detta exempel är pai ett alternativ för en PAI-relaterad implantationsmodell i SProcess.15
Det är viktigt att skilja mellan två saker:
pai i kommandot: ett modellval för den angivna implantationen.Nyckelordet innebär därför inte ensamt att skriptet automatiskt har utfört en ytterligare Ge-implantation. I raden ovan är det uttryckligen Boron som implanteras. Om strukturen redan har ett amorft skikt, hur djupt det är och exakt hur pai hanteras beror på tidigare processteg och de modellinställningar som används.15
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Föramorfisering innebär att kislets ytskikt först skadas med joner så att det blir amorft, innan exempelvis bor implanteras.[11][12]
Föramorfisering innebär att kislets ytskikt först skadas med joner så att det blir amorft, innan exempelvis bor implanteras.[11][12] Syftet är att motverka kanaliseringsfenomenet, där joner annars kan ta sig ovanligt djupt längs riktningar i enkristallens gitter.[7][11][12]
Efter dopimplantationen återkristalliseras materialet genom glödgning, samtidigt som dopämnet aktiveras.[1][6]