FMS 2026: Samsung показала zHBM и NAND на 400+ слоёв — память для ИИ выходит в 3D

По оценке Samsung, будущая интерфейсная система на базе zHBM может обеспечить:

• производительность примерно до 8 раз выше HBM5 ;
• более чем 10-кратный рост плотности памяти по сравнению с обычной HBM благодаря следующему поколению wafer bonding — соединения пластин ;
• примерно втрое более высокую энергоэффективность, то есть около 66% меньшие энергозатраты, чем у HBM5 .

Отдельные публикации также приводят оценку в четыре раза большей скорости передачи данных по сравнению с HBM4 при четверти энергопотребления .

Важная оговорка: zHBM пока остаётся концептуальной моделью, а не серийным продуктом . Поэтому заявленные показатели описывают технологическое направление, но не характеристики доступного на рынке чипа.

Вместе с zHBM Samsung представила концепцию zNAND-O, ориентированную на инференс — выполнение обученной ИИ-модели — на периферийных устройствах .

V10 BV-NAND: более 400 слоёв уже в массовом производстве

В отличие от zHBM, V10 BV-NAND — не только демонстрация будущей архитектуры. Samsung сообщила о массовом производстве этого поколения NAND-флеш-памяти .

Название BV-NAND расшифровывается как Bonding V-NAND. В такой схеме массив ячеек памяти и периферийная логика формируются отдельно, после чего пластины соединяются технологией wafer bonding .

Ключевые параметры V10 BV-NAND:

• более 400 активных слоёв — это самое большое число, ранее раскрытое Samsung для линейки V-NAND ;
• примерно на 58% выше плотность памяти, чем у предыдущего поколения V9 ;
• примерно втрое выше энергоэффективность и ниже тепловое сопротивление, по данным Samsung ;
• массовое производство — V10 BV-NAND стал первым коммерческим NAND, преодолевшим отметку в 400 слоёв .

Практический смысл такой архитектуры — не просто разместить больше ячеек в одном кристалле. Она должна также улучшить операции чтения, записи и ввода-вывода, что особенно важно для серверов, обслуживающих ИИ-нагрузки .

High Bandwidth Flash: новый промежуточный уровень между HBM и SSD

SK hynix и SanDisk представили первую открытую техническую спецификацию High Bandwidth Flash (HBF) через Open Compute Project (OCP) — проект, развивающий открытые стандарты для дата-центров . В альянс также вошли Google DeepMind и Tenstorrent .

Начальная спецификация предусматривает:

• ёмкость до 512 ГБ;
• стеки NAND из 8 или 16 кристаллов;
• пропускную способность до 3,0 ТБ/с через интерфейс UCIe .

HBF задуман как промежуточный слой между быстрой, но дорогой и ограниченной по объёму HBM-памятью и обычными NVMe SSD. Для ИИ-инференса это особенно актуально: большие объёмы контекста и промежуточных данных не всегда помещаются в памяти ускорителя, но постоянно обращаться к медленному накопителю тоже неэффективно .

Таким образом, NAND постепенно превращается из «долгосрочного хранилища» в ещё один уровень памяти, который можно подключать ближе к вычислительным ресурсам.

Почему HBM уже не может решить все проблемы ИИ

На докладах и панельных дискуссиях FMS 2026 неоднократно звучала одна и та же мысль: наращивание только HBM не способно закрыть растущие потребности ИИ-инфраструктуры.

Производители и разработчики обсуждали иерархию, в которой разные типы памяти выполняют разные задачи:

• HBM — максимальная скорость рядом с ИИ-ускорителем;
• HBF и другие флеш-решения — большая ёмкость при высокой скорости доступа;
• CXL-память — расширение и совместное использование памяти между компонентами системы;
• NVMe-накопители — ещё более ёмкий, но менее быстрый уровень хранения .

Презентации Marvell также были посвящены инфраструктуре для агентного ИИ и подчёркивали необходимость не одного универсального типа памяти, а разнообразного набора уровней для инференса .

Иными словами, будущее ИИ-серверов может определяться не только тем, сколько HBM установлено на ускорителе, но и тем, насколько грамотно система распределяет данные между несколькими уровнями памяти и хранения.

Какие заявления не удалось подтвердить

В исходном запросе упоминались ещё два утверждения, однако доступные опубликованные материалы FMS 2026 их не подтверждают.

Первое — якобы прогноз Nvidia о том, что число ИИ-агентов превысит население Земли, а стоимость памяти начнут считать не по цене гигабайта, а по цене операции ввода-вывода. Второе — утверждение, что Samsung, SK hynix и Micron уже полностью распродали мощности по выпуску DRAM и HBM на 2027 год, из-за чего заказчики получают лишь 60–70% запрошенных объёмов.

Оба заявления могли прозвучать на закрытой сессии, панели или в материале, который пока не попал в индексируемые отчёты, но в имеющихся источниках они остаются непроверенными. Поэтому их не следует выдавать за установленный факт.

Что действительно подтверждено

Подтверждённая картина FMS 2026 выглядит так: Samsung показала амбициозную, но пока экспериментальную вертикальную память zHBM; одновременно компания вывела в массовое производство V10 BV-NAND на 400+ слоёв. SK hynix и SanDisk, в свою очередь, сделали HBF открытым стандартом с участием Google и Tenstorrent.

Главный тренд конференции — переход от идеи «ускорить один тип памяти» к созданию иерархии памяти для ИИ, где скорость, ёмкость, энергопотребление и стоимость балансируются на уровне всей системы.