Samsung показала память будущего: zHBM, V-NAND на 400+ слоёв и ИИ-контракты на 60–70% мощностей
Samsung представила V10 BV NAND — прототип Bonding V NAND с более чем 400 слоями и плотностью примерно на 58% выше, чем у поколения V9 [1][3][9]. Концепция zHBM предполагает вертикальную установку HBM непосредственно над ИИ ускорителем; Samsung заявляет до 8 кратного прироста производительности относительно HBM5, но...
ОпубликовалОтредактировано с помощью DeepSeek-V4-FlashИзображения созданы с помощью GPT Image 1.5
Samsung представила V10 BV NAND — прототип Bonding V NAND с более чем 400 слоями и плотностью примерно на 58% выше, чем у поколения V9 [1][3][9].
Концепция zHBM предполагает вертикальную установку HBM непосредственно над ИИ ускорителем; Samsung заявляет до 8 кратного прироста производительности относительно HBM5, но срок коммерческого запуска пока не назван [5]...
Компания также показала zNAND O для периферийного ИИ, образцы HBM4E и модели HBM5, LPDDR5X PIM и корпоративные SSD PM1763 и BM1773 [2][10][13].
На фоне возвращения Samsung на первое место в DRAM с долей 39% компания планирует направить 60–70% общей производственной мощности под долгосрочные соглашения с клиентами [2][4][7].
What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include iSamsung unveiled zHBM (vertical HBM concept) and V10 BV-NAND (400+ layer prototype) at the FMS 2026 conference in Santa Clara, August 2026.
Промпт ИИ
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include i. Article summary: At the **FMS 2026** conference in Santa Clara (August 4–6, 2026), Samsung unveiled an ambitious next-generation 3D memory roadmap spanning NAND, DRAM, and HBM, alongside major market and business strategy announcements. . Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
openai.com
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026, прошедшей 4–6 августа в Санта-Кларе, Samsung Electronics представила масштабную программу развития памяти для инфраструктуры искусственного интеллекта. В центре внимания оказались не только новые чипы, но и возможная смена самой архитектуры памяти: от сверхмногослойной NAND до HBM, расположенной прямо над ИИ-ускорителем.
При этом важно различать готовые решения и демонстрационные образцы. zHBM и zNAND-O пока существуют в виде концептов, а Samsung не назвала сроки их коммерциализации .
V10 BV-NAND: более 400 слоёв в новом прототипе
Главной новинкой в сегменте NAND стала V10 BV-NAND (Bonding V-NAND) — первая представленная в отрасли архитектура V-NAND с укладкой более чем 400 слоёв .
Studio Global AI
Продолжайте свое исследование
На этой странице есть ответ, подтвержденный источником, который вы можете продолжить внутри Studio Global.
Каков краткий ответ на вопрос «Samsung показала память будущего: zHBM, V-NAND на 400+ слоёв и ИИ-контракты на 60–70% мощностей»?
Samsung представила V10 BV NAND — прототип Bonding V NAND с более чем 400 слоями и плотностью примерно на 58% выше, чем у поколения V9 [1][3][9].
Какие ключевые моменты необходимо проверить в первую очередь?
Samsung представила V10 BV NAND — прототип Bonding V NAND с более чем 400 слоями и плотностью примерно на 58% выше, чем у поколения V9 [1][3][9]. Концепция zHBM предполагает вертикальную установку HBM непосредственно над ИИ ускорителем; Samsung заявляет до 8 кратного прироста производительности относительно HBM5, но срок коммерческого запуска пока не назван [5]...
Что мне делать дальше на практике?
Компания также показала zNAND O для периферийного ИИ, образцы HBM4E и модели HBM5, LPDDR5X PIM и корпоративные SSD PM1763 и BM1773 [2][10][13].
В традиционной NAND-памяти ячейки и периферийные схемы изготавливаются в рамках единого технологического процесса. В V10 BV-NAND Samsung разделяет их производство, а затем соединяет отдельные пластины с помощью технологии wafer bonding — межпластинного соединения . Компания также использует трёхуровневую схему укладки.
По заявлению Samsung, новая архитектура повышает плотность памяти примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9. Одновременно должны улучшиться скорость чтения, записи и операций ввода-вывода, а энергопотребление — снизиться .
Это десятое поколение V-NAND Samsung. Символично, что первую технологию V-NAND компания представила на той же конференции 13 лет назад — в 2013 году .
zHBM: память не рядом с ускорителем, а прямо над ним
Самой необычной демонстрацией Samsung стала zHBM — концепция вертикальной компоновки памяти с высокой пропускной способностью. В актуальных системах HBM размещается рядом с вычислительным кристаллом на кремниевом интерпозере. В zHBM память должна находиться непосредственно над кристаллом ИИ-ускорителя.
Такое расположение сокращает путь передачи данных между вычислительными блоками и памятью и потенциально позволяет отказаться от кремниевого интерпозера, который использовался во всех предыдущих поколениях HBM . Основой архитектуры должна стать усовершенствованная технология wafer bonding .
Samsung заявляет, что в перспективе zHBM может обеспечить:
примерно в 8 раз более высокую производительность, чем HBM5;
более чем 10-кратное увеличение плотности памяти;
примерно трёхкратный рост энергоэффективности;
снижение теплового сопротивления более чем наполовину .
Однако эти показатели относятся к концептуальной архитектуре, а не к серийному продукту. На выставке Samsung показала физический макет zHBM, но не объявила ни дату коммерческого запуска, ни параметры будущих серийных решений .
zNAND-O рассчитана на периферийный ИИ
Ещё одна концепция — zNAND-O. Она объединяет технологию V-NAND с TSV, или сквозными кремниевыми переходами, позволяя вертикально упаковывать четыре или восемь NAND-кристаллов в одном корпусе .
Архитектура ориентирована на периферийные ИИ-сценарии, где особенно важны компактность, скорость обмена данными и низкая задержка. Samsung рассчитывает улучшить использование пространства, показатели I/O и время отклика .
Как и zHBM, zNAND-O пока является концептуальной разработкой без объявленного графика выхода на рынок .
HBM4E, HBM5 и обработка данных внутри памяти
На стенде Samsung также демонстрировались образцы HBM4E и концептуальные модели HBM5. Компания сообщала, что начала массовое производство HBM4 в феврале 2026 года, используя 1c DRAM и 4-нм технологию изготовления кристалла. В мае Samsung заявила о первой поставке образцов HBM4E глобальным клиентам .
Массовый выпуск HBM4E намечен на 2027 год. Для него Samsung планирует использовать процесс Hybrid Bonding четвёртого поколения .
Отдельно компания показала LPDDR5X-PIM — мобильную память с поддержкой Processing-in-Memory, то есть обработки данных непосредственно внутри памяти . Такой подход позволяет выполнять часть операций рядом с данными, уменьшая их перемещение между памятью, CPU и GPU. Для подходящих задач ИИ-инференса это может означать меньшие задержки, более высокую эффективность и снижение энергопотребления .
В линейку решений для ИИ-инфраструктуры также вошли корпоративные SSD PM1763 и BM1773.
Samsung вернула лидерство в DRAM
Технологические анонсы прозвучали на фоне заметного изменения расстановки сил на рынке. По данным Counterpoint Research, во втором квартале 2026 года Samsung заняла 39% мирового рынка DRAM в денежном выражении. SK hynix получила 26%, а Micron — 25% .
Возвращению Samsung на первое место помогли высокий спрос на стандартную DRAM и рост выпуска HBM. При этом у SK hynix, несмотря на увеличение выручки от DRAM на 214% год к году, рыночная доля снизилась с 39% во втором квартале 2025 года до 26% годом позже .
Иными словами, лидерство определяется не только темпами роста отдельных компаний, но и сочетанием цен, структуры продаж и доступных производственных объёмов. Samsung вновь заняла первое место после того, как SK hynix некоторое время лидировала в предыдущих кварталах .
Долгосрочные контракты должны закрепить клиентов из сферы ИИ
На телефонной конференции по итогам второго квартала 30 июля Samsung объявила о переходе к более жёсткой модели планирования поставок. Компания намерена направить 60–70% общей производственной мощности памяти под долгосрочные соглашения о поставках, или LTA .
Описанная модель получила название «пятилетний rolling-контракт»: базовый срок составляет пять лет, а затем договор ежегодно продлевается в ходе переговоров . В условия также входят авансовые платежи. Samsung сообщила, что уже получила примерно четверть совокупного объёма предусмотренных авансов .
По данным отраслевых публикаций, Samsung заключила соглашения с пятью крупными глобальными операторами дата-центров. В числе называемых компаний — AWS, Microsoft, Google Cloud, Meta и Oracle; ещё с пятью ИИ-компаниями переговоры находились на поздней стадии . Поскольку конкретные условия защищены соглашениями о конфиденциальности, публично раскрыта не вся структура договоров.
Опрос Bank of America Merrill Lynch указывает, что условия выгодны поставщику: снижение цены ограничено максимумом 5% за квартал, тогда как возможности повышения цены фактически не имеют сопоставимого ограничения . Для сравнения, Micron рассчитывает заключать стратегические соглашения примерно на 50% долгосрочных продаж .
Такая модель даёт Samsung более предсказуемый спрос и частично защищает инвестиции в новые мощности. Для клиентов она означает гарантированный доступ к дефицитной памяти, но одновременно уменьшает гибкость при изменении цен и структуры спроса.
Рынок движется к нескольким уровням памяти
Samsung была не единственной компанией, задававшей повестку FMS 2026.
SK hynix и Sandisk представили первые спецификации стандарта High Bandwidth Flash (HBF) — промежуточного уровня между HBM и SSD. Он рассчитан на ёмкость до 512 ГБ в конфигурациях с 8- и 16-кратной укладкой NAND-кристаллов, пропускную способность примерно от 0,4 до 3,0 ТБ/с и подключение через UCIe. В консорсиуме также участвуют Google и Tenstorrent .
Kioxia показала SSD серии GP1 с интерфейсом PCIe 6.0 NVMe, оптимизированные для прямого доступа GPU к накопителю. Компания также представила корпоративные SSD CM10 и NX1 с поддержкой прямого жидкостного охлаждения и выступила совместно с NVIDIA по вопросам флеш-хранилищ для ИИ-инфраструктуры .
Micron ещё в феврале 2026 года начала массовое производство корпоративного SSD 9650 с PCIe 6.0 — первого коммерческого накопителя такого класса .
SK hynix продемонстрировала NAND V10 с 375 слоями и заявила о 2,5-кратном повышении энергоэффективности .
Что это значит для ИИ-инфраструктуры
FMS 2026 показала, что конкуренция в памяти выходит за рамки простого увеличения ёмкости. Производители одновременно развивают несколько уровней системы: ультрабыструю HBM для вычислений, новые промежуточные классы вроде HBF и высокопроизводительные SSD для хранения больших массивов данных.
Samsung делает ставку сразу на два направления. Первое — архитектурный скачок: вертикально расположенная zHBM и сверхмногослойная V10 BV-NAND. Второе — более предсказуемая экономика: долгосрочные соглашения, которые могут закрепить за компанией 60–70% производственной мощности для клиентов, строящих ИИ-дата-центры.
Пока zHBM и zNAND-O остаются макетами, поэтому их заявленные характеристики нельзя воспринимать как параметры доступных продуктов. Но сама стратегия Samsung очевидна: компания хочет контролировать не отдельный компонент, а всю цепочку памяти и хранения данных для следующего поколения ИИ-систем.
