ОтветыОпубликовано24 источники
Samsung и SK hynix превращают гонку HBM4E в борьбу за упаковку чипов
Samsung уже поставляет крупным заказчикам образцы 12 слойной HBM4E со стабильной скоростью 14 Гбит/с на контакт: это 3,6 ТБ/с и 48 ГБ на стек; конфигурация с 16 Гбит/с должна приблизиться к 4 ТБ/с. Samsung движется от стандартной HBM к кастомной cHBM и далее к zHBM — архитектуре с вертикальной интеграцией процессорн...
ОпубликовалОтредактировано с помощью GPT-5.6 LunaИзображения созданы с помощью GPT Image 1.5
Ответ на исследование
Ключевые выводы
- Samsung уже поставляет крупным заказчикам образцы 12 слойной HBM4E со стабильной скоростью 14 Гбит/с на контакт: это 3,6 ТБ/с и 48 ГБ на стек; конфигурация с 16 Гбит/с должна приблизиться к 4 ТБ/с.
- Samsung движется от стандартной HBM к кастомной cHBM и далее к zHBM — архитектуре с вертикальной интеграцией процессорной логики и памяти.
- SK hynix изучает гибридное соединение для стеков выше 16 слоёв, но не ожидает готовности этой технологии для HBM4E: наиболее ранний ориентир — HBM5.
Промпт ИИ
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
На конференции Hot Chips 2026 Samsung и SK hynix представили два разных ответа на один и тот же вопрос: как увеличить пропускную способность памяти для ИИ, не уперевшись в перегрев, размеры корпуса и сложность производства. Samsung сделала акцент на скорости, кастомных базовых кристаллах и будущем прямого соединения памяти с процессором. SK hynix подробнее говорила о самой упаковке — охлаждении, короблении, межсоединениях и физических ограничениях высоких стеков. 2
3
Заявленные показатели выглядят впечатляюще, но их важно воспринимать как спецификации производителя, цели дорожной карты или проектные оценки, а не как результаты независимых бенчмарков.
HBM4E от Samsung: 3,6 ТБ/с сейчас и около 4 ТБ/с в перспективе
Samsung сообщила, что в конце мая начала поставки образцов 12-слойной HBM4E крупным международным заказчикам. Стабильная скорость передачи для этих образцов составляет 14 Гбит/с на контакт, а масштабирование предусмотрено до 16 Гбит/с. Для 12-слойной версии компания указывает пропускную способность 3,6 ТБ/с и ёмкость 48 ГБ на стек. 17
18
Переход к скорости 16 Гбит/с на контакт должен увеличить пропускную способность одного стека примерно до 4 ТБ/с. Samsung также обозначила 8- и 16-слойные варианты, показывая, что HBM4E рассчитана на разные конфигурации ускорителей и объёмы памяти. 18
20
Разница между текущим образцом и целевым показателем здесь принципиальна. 14 Гбит/с — это стабильная характеристика поставляемой версии, тогда как 16 Гбит/с — верхний уровень, до которого Samsung планирует масштабировать производительность. Поэтому эти цифры не следует автоматически считать результатами подтверждённого серийного тестирования.
Samsung хочет сделать HBM частью самого ускорителя
Дорожная карта Samsung не сводится к повышению скорости DRAM или добавлению новых слоёв. Компания описывает переход к cHBM — кастомной HBM, в которой базовый кристалл можно адаптировать под конкретный ускоритель заказчика. В таком сценарии память становится более активным элементом всей системы, а не просто стандартным подключаемым компонентом. 1
14
Долгосрочная цель Samsung — zHBM, трёхмерная конструкция с вертикальной интеграцией процессорной логики и DRAM. Компания рассчитывает таким образом отказаться от части традиционного 2.5D-пути соединения, включая интерпозер и линии SerDes, что, по её оценке, может заметно повысить энергоэффективность и пропускную способность. 1
14
Samsung заявляла примерно о 70% лучшей энергоэффективности и более чем двукратном росте пропускной способности DRAM по сравнению с соответствующей традиционной конструкцией. Это прогнозы и корпоративные оценки будущей архитектуры, а не измерения коммерчески доступного продукта zHBM. 1
3
Перегрев становится главным ограничением HBM
Чем выше скорость ввода-вывода и плотнее стек, тем больше тепла необходимо отводить из корпуса. Ответ Samsung — технология Heat Path Block, или HPB. Она создаёт дополнительные пути отвода тепла вокруг участков физического уровня PHY, где сосредоточена высокая мощность. Samsung утверждает, что при покрытии более 50% площади PHY HPB способна снизить пиковую температуру более чем на 35%. 10
14
Компания также сообщала, что технология уже реализована и проверена в HBM4E, а её более широкое внедрение планируется в HBM5. 4
7 Стратегический вывод очевиден: охлаждение перестаёт быть второстепенной характеристикой корпуса памяти. Оно всё сильнее влияет на то, на какой скорости сможет работать интерфейс.
SK hynix рассматривает масштабирование HBM как проблему упаковки
В презентации SK hynix основной акцент был сделан на производстве и интеграции. Компания сравнила несколько способов соединения стеков HBM с ускорителями: CoWoS-S с большим кремниевым интерпозером, CoWoS-L с интерпозером на основе RDL и мостовую технологию EMIB от Intel. У каждого варианта есть компромиссы, связанные с маршрутизацией, размещением кристаллов, размером интерпозера или подложки и короблением корпуса, особенно когда рядом с ускорителем устанавливается больше стеков памяти. 11
12
Нынешние параметры упаковки HBM хорошо показывают, насколько жёсткие ограничения приходится учитывать инженерам. Для корпуса HBM4 указывается высота по оси Z в 775 микрометров, а внутри используются тысячи TSV-соединений и микробамп-переходов базового кристалла. По мере роста стеков производителям приходится одновременно уменьшать толщину кристаллов, сокращать зазоры, контролировать механические напряжения и отводить тепло в пределах фиксированного корпуса. 11
12
В дорожной карте SK hynix фигурирует EMIB как один из возможных вариантов 2.5D-интеграции. Это говорит о техническом интересе к такому подходу или его совместимости с будущими решениями, но само по себе не подтверждает существование коммерческого партнёрства между SK hynix и Intel. 12
iHBM должна отводить тепло от локальных горячих зон
SK hynix также разрабатывает iHBM — подход к охлаждению, при котором материал с высокой теплопроводностью размещается рядом с локальными горячими зонами внутри структуры HBM. Компания заявляет, что это может снизить тепловое сопротивление более чем на 30%. 2
9
Сравнение с HPB Samsung показательно. Обе компании пытаются решать проблему тепла на уровне кристаллов и корпуса, но делают акцент на разных физических путях. Samsung описывает специальные структуры теплоотвода вокруг областей PHY, а SK hynix — отвод тепла от конкретных внутренних горячих точек. Доступные публикации передают заявления производителей и описания разрабатываемых концепций, поэтому два процентных показателя нельзя считать напрямую сопоставимыми результатами одного теста.
Гибридное соединение нужно для стеков выше 16 слоёв — но не для HBM4E
Обычная послойная сборка рано или поздно упирается в ограничение по общей толщине. SK hynix изучает гибридное соединение как способ перейти к стекам выше 16 слоёв, потенциально используя более толстые кристаллы и меньший шаг межсоединений. 1
3
При этом компания не ожидает готовности гибридного соединения для HBM4E. Самый ранний вероятный ориентир — HBM5, и даже он остаётся ожиданием в рамках разработки, а не подтверждённым графиком выпуска продукта. 2
5
Это делает HBM5 возможной переходной точкой. HBM4E ещё может наращивать скорость и ёмкость с помощью нынешних методов укладки и упаковки, но последующим поколениям, вероятно, потребуются новые технологии соединения, охлаждения и механической стабилизации.
Главное: следующую HBM определит не одна только пропускная способность
Презентация Samsung показывает, что будущим конкурентным преимуществом могут стать кастомизация и более тесная интеграция памяти с процессором. Образцы HBM4E дают ближайший прирост скорости, а cHBM и zHBM указывают на память, спроектированную под конкретные ускорители и в перспективе объединённую с вычислительной логикой в одной 3D-конструкции. 1
18
Посыл SK hynix другой: прежде чем получить такие показатели, отрасли придётся решить менее заметные, но фундаментальные задачи — контролировать коробление корпуса, тепловое сопротивление, плотность маршрутизации, высоту стеков и производственный выход годных изделий. iHBM и гибридное соединение — попытки продолжить развитие многослойной памяти, не игнорируя эти ограничения. 2
11
Для разработчиков ИИ-ускорителей практический вывод прост: дорожные карты HBM всё больше относятся ко всему корпусу целиком, а не только к кристаллу DRAM. Samsung делает ставку на кастомизацию и 3D-интеграцию, SK hynix — на инженерные решения в упаковке и производственную дисциплину. Ни один из подходов пока не отменяет базовый компромисс: больше пропускной способности означает больше тепла и более сложную интеграцию.
Studio Global AI
Продолжайте свое исследование
На этой странице есть ответ, подтвержденный источником, который вы можете продолжить внутри Studio Global.
Люди также спрашивают
Каков краткий ответ на вопрос «Samsung и SK hynix превращают гонку HBM4E в борьбу за упаковку чипов»?
Samsung уже поставляет крупным заказчикам образцы 12 слойной HBM4E со стабильной скоростью 14 Гбит/с на контакт: это 3,6 ТБ/с и 48 ГБ на стек; конфигурация с 16 Гбит/с должна приблизиться к 4 ТБ/с.
Какие ключевые моменты необходимо проверить в первую очередь?
Samsung уже поставляет крупным заказчикам образцы 12 слойной HBM4E со стабильной скоростью 14 Гбит/с на контакт: это 3,6 ТБ/с и 48 ГБ на стек; конфигурация с 16 Гбит/с должна приблизиться к 4 ТБ/с. Samsung движется от стандартной HBM к кастомной cHBM и далее к zHBM — архитектуре с вертикальной интеграцией процессорной логики и памяти.
Что мне делать дальше на практике?
SK hynix изучает гибридное соединение для стеков выше 16 слоёв, но не ожидает готовности этой технологии для HBM4E: наиболее ранний ориентир — HBM5.