По данным источников в цепочке поставок, TSMC рассчитывает к середине 2027 года выпускать 110 000 2 нм и 210 000 3 нм кремниевых пластин в месяц — против примерно 90 000 и более 180 000 к концу 2026 года. Расширение опирается прежде всего на мощности Тайваня, включая переоснащение части 5 нм оборудования под 3 нм, и...
ОпубликовалОтредактировано с помощью GPT-5.6 TerraИзображения созданы с помощью GPT Image 2
Ответ на исследование

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are TSMC’s reported advanced-chip manufacturing expansion plans through mid-2027 and beyond, including the targeted increases in monthl. Article summary: TSMC is reportedly planning a steep 2nm/3nm ramp through mid-2027, paired with more advanced packaging and a longer sub-2nm roadmap. The precise wafer-capacity figures are supply-chain reports—not figures directly confir. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Главная оговорка в этой истории важнее самих впечатляющих чисел: ориентиры по месячному выпуску 2-нм и 3-нм пластин исходят от источников в цепочке поставок, а не из официального прогноза TSMC. Тем не менее масштаб предполагаемого расширения показывает, насколько производитель готовится к многолетнему спросу на ИИ-ускорители и решения для высокопроизводительных вычислений (HPC).
Согласно отраслевым сообщениям, на которые ссылается TrendForce, месячная мощность TSMC по 2-нм техпроцессу может вырасти примерно с 90 000 пластин к концу 2026 года до 110 000 пластин к середине 2027-го. Это около 22 % роста.
Для 3 нм сообщается о росте с более чем 180 000 до 210 000 пластин в месяц за тот же период — более чем на 16 %. 17
В более длинной перспективе динамика 3 нм выглядит ещё значительнее: с ориентировочных 120–130 тыс. пластин в месяц в конце 2025 года до 210 тыс. к середине 2027-го — примерно на 70 %, если этот план будет выполнен. 20
Важно не путать эти цифры с официальными обязательствами компании. Это сообщаемые планы, основанные на данных источников в производственной цепочке; TSMC публично не подтверждала конкретные месячные показатели для 2 нм и 3 нм. 17
19
Основная часть ближайшего наращивания передовых техпроцессов связана с Тайванем. В материалах о производственной сети компании Fab 22 в Гаосюне указан среди площадок для наращивания N2 и A16, а Fab 20 в Синьчжу также разворачивает мощности N2 и A16. 51
Для увеличения выпуска 3-нм продукции TSMC, по сообщениям, переводит часть уже установленного 5-нм оборудования на 3 нм. Такой подход позволяет получить дополнительный выпуск быстрее, чем строительство фабрик с нуля, хотя компания не раскрывала распределение оборудования по отдельным площадкам. 24
Зарубежная производственная сеть также расширяется:
Доли выпуска и точные сроки для каждой площадки раскрыты не так ясно, как общие целевые объёмы. Однако ближайший вывод очевиден: центр тяжести расширения остаётся в Тайване, а Аризона и Япония постепенно увеличивают географическую диверсификацию производства.
TSMC повысила план капитальных затрат на 2026 год до 60–64 млрд долларов, объяснив это многолетним структурным спросом на ИИ и HPC. Компания также заявляла об ускорении глобального расширения — с передовыми фабриками и мощностями упаковки в Тайване, а также проектами в Аризоне, Японии и Германии. 38
В передовом производстве недостаточно просто построить чистые помещения. Нужны литографические системы, технологическое оборудование, квалифицированные материалы, отладка выхода годных кристаллов и упаковочные мощности. Для современных ИИ-чипов все эти звенья должны наращиваться синхронно.
Логический кристалл, изготовленный по передовому техпроцессу, — лишь часть ИИ-ускорителя. Такие продукты часто требуют передовой корпусировки для соединения вычислительных кристаллов с памятью высокой пропускной способности HBM. Поэтому расширение CoWoS — технологии Chip on Wafer on Substrate, то есть сборки «кристалл на пластине на подложке», — напрямую связано с планами по выпуску пластин.
TrendForce сообщает, что мощности CoWoS могут примерно удвоиться к 2028 году; это тоже оценка на основе данных цепочки поставок, а не подтверждённый TSMC целевой показатель. 17 При этом сама TSMC ранее указывала, что её мощности CoWoS должны расти среднегодовыми темпами свыше 80 % в 2022–2027 годах.
45
Частью этой упаковочной сети должна стать и Аризона: по словам руководителя TSMC, приведённым Reuters, предприятие по упаковке чипов там планируется открыть к 2029 году. 47
Публичная технологическая дорожная карта TSMC не ограничивается семейством N2:
На этом фоне рост 2-нм и 3-нм мощностей — не краткосрочная реакция на дефицит, а фундамент для перехода к следующим поколениям техпроцессов с нормами менее 2 нм.
TSMC и ASML официально запустили отраслевую инициативу по переходу в литографии High-NA EUV от нынешних 6-дюймовых фотошаблонов к 12-дюймовым. Партнёры нацелены создать пилотную линию для таких шаблонов к 2031 году и обеспечить готовность литографических систем для передового производства к 2033 году. 2
High-NA EUV сначала может применяться в производстве с существующими 6-дюймовыми шаблонами. Переход на увеличенный формат, как ожидается, повысит производительность фабрик, снизит стоимость выпуска чипов и снимет ограничения, связанные со «сшивкой» экспозиционных полей. 2
Согласно сообщениям, TSMC планирует начать массовое применение High-NA EUV с 2030 года. То есть технология появится уже после заявленных сроков запуска A14, A13 и A12 и не является условием для их первоначального освоения. 3
11
TSMC одновременно расширяет производство кремниевых пластин и передовую корпусировку, рассчитывая на устойчивый спрос со стороны ИИ и HPC. Увеличенный бюджет капзатрат, развитие Аризоны и дальнейшая технологическая дорожная карта — это публично озвученные компанией направления. 38
47
11
А вот самые обсуждаемые ориентиры — рост 2-нм мощностей с 90 000 до 110 000 пластин в месяц и 3-нм с более чем 180 000 до 210 000 — пока остаются данными отраслевых источников. Они позволяют оценить предполагаемый темп расширения к середине 2027 года, но не должны считаться подтверждённым прогнозом TSMC, пока компания не сообщит об этом напрямую. 17
19
Studio Global AI
На этой странице есть ответ, подтвержденный источником, который вы можете продолжить внутри Studio Global.
По данным источников в цепочке поставок, TSMC рассчитывает к середине 2027 года выпускать 110 000 2 нм и 210 000 3 нм кремниевых пластин в месяц — против примерно 90 000 и более 180 000 к концу 2026 года.
По данным источников в цепочке поставок, TSMC рассчитывает к середине 2027 года выпускать 110 000 2 нм и 210 000 3 нм кремниевых пластин в месяц — против примерно 90 000 и более 180 000 к концу 2026 года. Расширение опирается прежде всего на мощности Тайваня, включая переоснащение части 5 нм оборудования под 3 нм, и дополняется проектами в Аризоне и японском Кумамото.
После 2 нм в дорожной карте компании значатся A14 на 2028 год, а A13 и A12 — на 2029 й.