ASML готовит High-NA EUV к выпуску самых больших ИИ-чипов

ASML объявила о совместной с TSMC отраслевой инициативе: High-NA EUV-литографию планируют перевести с нынешних 6-дюймовых фотошаблонов на 12-дюймовые. Инициатива открыта для других будущих пользователей High-NA и поставщиков. Цель — сохранить преимущество новой оптики в точности рисунка схем, но сделать технологию пригодной и для очень крупных кристаллов серверных и ИИ-процессоров, в том числе сопоставимых по размеру с решениями Nvidia. 13

Почему High-NA пока ограничивает размер чипа

EUV-сканеры нынешнего поколения используют оптику с числовой апертурой 0,33 и имеют полноформатное поле экспонирования, подходящее для больших чипов. У High-NA этот показатель повышен до 0,55: разрешение становится лучше, однако анаморфная оптика при работе с 6-дюймовыми масками сокращает доступное поле в одном измерении.

Итоговый компромисс таков: High-NA позволяет формировать более тонкие элементы, но уменьшает площадь кристалла, которую можно нанести за одну экспозицию. Для крупнейших ИИ- и дата-центровых процессоров это означает необходимость «сшивать» несколько участков рисунка, что усложняет и замедляет производство. 14

По данным ASML, платформа EXE с High-NA обеспечивает критический размер элемента в 8 нм и рассчитана на будущие поколения микросхем с ещё более миниатюрными структурами. 145

Зачем нужны 12-дюймовые фотошаблоны

Увеличенный формат масок призван убрать ограничение по размеру поля и сократить число операций «сшивки» для крупных чипов. ASML и TSMC ожидают, что это позволит повысить производительность фабрик, снизить стоимость изготовления микросхем и полнее реализовать преимущества High-NA. 13

В сообщениях о проекте ожидаемый прирост производительности от крупноформатного подхода оценивается примерно в 40%. Официальное заявление ASML подтверждает направление эффекта — более высокую производительность и меньшие затраты, — но в доступном фрагменте не приводит конкретной цифры. 813

Важно не смешивать эту оценку с характеристиками уже выпускаемых EUV-систем. Например, сканер ASML NXE:3800E обрабатывает 220 пластин в час — на 37% больше, чем NXE:3600D. Это показатель текущей платформы, а не прогноз эффекта от 12-дюймовых масок для High-NA. 1

Кто уже использует или оценивает технологию

• Intel продвинулась дальше остальных: после экспериментов, начавшихся в 2024 году, компания в 2026 году начала применять High-NA для выпуска части процессоров Panther Lake. 6
• Intel и SK Hynix назывались среди планируемых пользователей High-NA; производители микросхем, включая Intel, также тестировали оборудование. 45
• TSMC выступает формальным со-лидером инициативы с ASML. Компания рассчитывает сначала внедрять High-NA с существующими 6-дюймовыми масками, а затем перейти на увеличенный формат. 13
• Samsung объявила о расширении сотрудничества с ASML, планах использовать High-NA в будущем производстве DRAM и участии в инициативе по 12-дюймовым фотошаблонам. 11

Для TSMC, Samsung и SK Hynix предоставленные данные не подтверждают твёрдые, привязанные к каждой компании сроки массового выпуска. Сообщения, которые называют единый период 2027–2028 годов для всех трёх производителей, в данном наборе источников не имеют достаточного подтверждения. 41135

Сроки: пилот в 2031-м, готовность к 2033-му

ASML и TSMC нацелены создать пилотную линию для 12-дюймовых масок к 2031 году. Полная готовность литографической системы для производства по передовым техпроцессам намечена на 2033 год. 13

Таким образом, проект не отменяет ближайшее внедрение High-NA на 6-дюймовых масках. Он решает следующую задачу: сделать новую литографию экономически и технологически удобной для массового выпуска самых больших процессоров, спрос на которые подстёгивает развитие ИИ-инфраструктуры.