TSMC разгоняет производство 3-нм и 2-нм чипов на фоне бума ИИ

3 нм: цель повышена до 180 000 пластин в месяц

TSMC пересмотрела первоначальный план по выпуску 3-нм продукции. Вместо 150 000 пластин в месяц компания, как ожидается, выйдет на 180 000 пластин в месяц (WPM) — это увеличение примерно на 20% .

Ожидаемый срок достижения нового показателя — начало IV квартала 2026 года, то есть примерно на два-три месяца раньше прежних рыночных ожиданий . По сравнению с 2025 годом прирост мощности превысит 40% .

Дополнительные объёмы стремятся закрепить за собой крупнейшие заказчики. Среди них называются NVIDIA, AMD и Broadcom, а также Apple . Аналитики Omdia также отмечают, что передовые 3-нм и 2-нм производственные линии TSMC в значительной степени уже забронированы ведущими компаниями, связанными с ИИ .

Дефицит отражается и на коммерческих условиях: стоимость пластины 3-нм классов N3 и N3E в начале 2026 года оценивалась примерно в 19 500 долларов, а срок ожидания поставок превышал 50 недель .

2 нм: переход на новую архитектуру транзисторов

Массовое производство 2-нм техпроцесса N2 началось в IV квартале 2025 года. В этой технологии TSMC переходит от транзисторов FinFET к нанослойной архитектуре GAA — так называемым nanosheet-транзисторам .

К концу 2026 года компания рассчитывает приблизиться к выпуску 100 000 пластин в месяц . В дальнейшем мощности N2, по прогнозу TSMC, будут расти среднегодовыми темпами около 70% в период с 2026 по 2028 год .

Спрос формируется сразу в нескольких сегментах:

• AMD планирует начать производство процессоров на базе 2 нм в 2026 году;
• Google и AWS, по сообщениям отраслевых источников, нацелены на раннее освоение технологии;
• NVIDIA, как ожидается, будет переводить значительную часть заказов на ИИ-ускорители на 2 нм .

По данным TSMC и отраслевых публикаций, кривая освоения выхода годных кристаллов у N2 на сопоставимом этапе выглядит лучше, чем у предшествующего 3-нм процесса . Это важно для ускоренного наращивания выпуска: высокая загрузка сама по себе не гарантирует поставки, если значительная доля продукции не проходит контроль качества.

Где TSMC наращивает мощности

Тайвань: основной центр расширения

Главная часть передового производства по-прежнему сосредоточена на Тайване. По сообщениям отраслевых источников, в 2026 году до десяти фабрик могут находиться на разных стадиях строительства или запуска в северных, центральных и южных научно-технологических парках острова .

Особенно быстрыми темпами разворачиваются пять 2-нм фабрик: две в Синьчжу в составе Fab 20 и три в Гаосюне в составе Fab 22 . Такой параллельный запуск нескольких площадок для одного передового узла называют самым агрессивным расширением одного техпроцесса в истории TSMC.

Компания также фактически удвоила привычный темп строительства. В 2025–2026 годах TSMC строит или переоборудует около девяти производственных фаз в год против исторического среднего показателя примерно в четыре .

Аризона: американский кластер фабрик

В июле 2026 года TSMC объявила о дополнительных инвестициях в Аризону на 100 млрд долларов. Общий запланированный объём вложений в американский штат должен достичь 265 млрд долларов . Проект включает новые фабрики передовых логических чипов, а также мощности для передовой упаковки.

Текущий график выглядит так:

• Fab 1 уже наращивает выпуск 4-нм продукции и вносит вклад в финансовые результаты компании ;
• для Fab 2 поставка и установка оборудования запланированы на IV квартал 2026 года, а массовое производство 2-нм чипов перенесено на вторую половину 2027-го — раньше первоначального плана на 2028 год ;
• оборудование для Fab 3 планируется начать завозить в сентябре 2027 года ;
• TSMC приобрела второй земельный участок в Аризоне, чтобы сформировать самостоятельный кластер фабрик, или «гигафаб-кластер» .

Расширение в США призвано приблизить производство к американским заказчикам, однако компания сталкивается с практическими ограничениями, включая нехватку строительных рабочих в Аризоне .

Япония: 3 нм в Кумамото

В феврале 2026 года TSMC объявила о планах выпускать 3-нм чипы на площадке в Кумамото на юге Японии. Местные СМИ оценили инвестиции примерно в 17 млрд долларов . Проект должен помочь компании обслуживать растущий спрос на передовые компоненты для ИИ и расширить географию производства.

Что дальше: техпроцесс A14 на 1,4 нм

Параллельно с расширением 3-нм и 2-нм мощностей TSMC готовит следующую ступень — A14, или техпроцесс класса 1,4 нм. Фабрика строится в Центральном научно-технологическом парке Тайваня, в районе Тайчжуна.

Строительство первой фазы идёт с опережением графика: первое здание рассчитывают завершить до апреля 2027 года . При сохранении текущих темпов пробное производство может начаться уже в III квартале 2027-го, а массовый выпуск намечен на середину 2028 года . Оценка инвестиций в площадку составляет примерно 48,5–49 млрд долларов .

A14 будет использовать транзисторы GAAFET второго поколения NanoFlex Pro и текущую версию EUV-литографии. При этом TSMC сообщила ASML, что не планирует переходить на High-NA EUV раньше 2029 года . Внутренняя проверка A14, по отраслевым данным, уже приблизилась к 90% целевого уровня, а интерес проявляют Apple, Qualcomm, NVIDIA, AMD и заказчики из сегментов ИИ и высокопроизводительных вычислений .

После A14 компания ожидает вывести на массовое производство процессы A13 и A12 — оба в 2029 году .

Почему это важно

Планы TSMC показывают, как бум ИИ меняет не только спрос на графические процессоры и специализированные ускорители, но и саму структуру полупроводниковой отрасли. Производителям теперь нужны одновременно передовые пластины, передовая упаковка и гарантированные долгосрочные объёмы.

Для TSMC это создаёт окно возможностей, но и повышает риски: необходимо быстро строить фабрики, осваивать новые технологии и распределять дефицитные мощности между крупнейшими клиентами. Если заявленные сроки будут выдержаны, 2026–2028 годы станут периодом беспрецедентного расширения производства чипов передовых техпроцессов — от 3 нм и 2 нм до A14.