Samsung увеличивает выпуск DRAM на 15%: подробности масштабного плана

Дефицит DRAM и двукратный рост цен

• Цены выросли примерно вдвое: В первом квартале 2026 года цены на DRAM фактически удвоились, а аналитики TrendForce прогнозировали дальнейший рост более чем на 50% во втором квартале . Эталонный чип DDR4 8Gb достиг исторического максимума в $20 за единицу в мае 2026 года, что на 25% больше, чем в апреле .
• Apple платит вдвое больше: Сообщается, что Apple теперь платит Samsung примерно вдвое больше за чипы памяти LPDDR5X, используемые в производстве iPhone 17 . Samsung и SK Hynix согласовали повышение цен на LPDDR для Apple на 80–100% для поставок памяти под iPhone в первом квартале 2026 года . Генеральный директор Apple Тим Кук признал неизбежность роста цен на всю продукцию компании .

Лоббизм Apple: попытка получить доступ к китайской DRAM

• Демонстрируя всю серьезность кризиса, Apple активно лоббирует администрацию Трампа, добиваясь разрешения на закупку DRAM у ChangXin Memory Technologies (CXMT) — китайской компании, находящейся в «черном списке» Пентагона, а также у Yangtze Memory Technologies .
• По имеющимся данным, Apple уже начала тестирование чипов DRAM от CXMT для устройств, продаваемых в Китае . Аналитик Мин-Чи Куо назвал этот шаг не столько попыткой сэкономить, сколько «борьбой за выживание в условиях усугубляющегося кризиса предложения, вызванного ИИ», предупредив, что разрыв между спросом и предложением памяти будет только расти до 2027 года .

Масштабное расширение полупроводниковых мощностей Samsung

• Мегафабрика P5 в Пхёнтхэке: Samsung перенесла начало строительства второй очереди (Fab 2) завода P5 с начала 2027 года на июль 2026 года, ускорив график на полгода . P5 — это двойная фабрика (Fab 1 + Fab 2), каждая из которых способна производить ~300 000 12-дюймовых пластин в месяц. Суммарная мощность составит ~600 000 пластин/месяц, что примерно равно текущей общей мощности Samsung по производству DRAM. Общий объем инвестиций оценивается примерно в ₩120 трлн (~$82,7 млрд) . Установка оборудования в Fab 1 начнется в середине 2027 года, а в Fab 2 — в 2029 году .
• Новый завод DRAM в Кихыне: В июле 2026 года Samsung объявила о планах строительства нового завода по производству DRAM на площадке в Кихыне для дополнительного удовлетворения спроса, вызванного ИИ .
• Завод в Техасе: Samsung продолжает развивать свои контрактные производственные площадки, включая передовую логическую фабрику в Тейлоре, штат Техас (линии S5/S6). Однако этот завод ориентирован на логику/контрактное производство, а не на DRAM . Расширение охватывает как память, так и контрактное производство для решения проблем с нехваткой в различных секторах.

Прогнозы отрасли: дефицит продлится до 2027–2030 годов

• Аналитики IDC охарактеризовали ситуацию как «беспрецедентный дефицит микросхем памяти», последствия которого для производителей устройств могут сохраниться до 2027 года .
• Анализ Kearney PERLab, проведенный в 2026 году, показал, что дефицит может продлиться как минимум до 2030 года, поскольку спрос со стороны центров обработки данных ИИ отвлекает мощности HBM и DRAM с рынка товарной продукции .
• Даже с учетом агрессивных планов расширения, значительная часть краткосрочных инвестиций направляется на переоборудование существующих линий и строительство инфраструктуры чистых комнат, а не на немедленное увеличение выпуска пластин. Это означает, что реальное облегчение ситуации с поставками произойдет еще не скоро — через несколько лет .