Samsung делает ставку на выход годных чипов, а не на число пластин в гонке HBM4

Samsung не отвечает на дефицит памяти для ИИ простым наращиванием числа запускаемых в производство кремниевых пластин. Компания, судя по отраслевым оценкам, делает акцент на переходе к DRAM шестого поколения — техпроцессу 1c, повышении выхода годных изделий и производительности линий.

На бумаге такой план выглядит довольно осторожным. Но его логика проста: сначала превратить уже существующие фабрики в более эффективное производство плотной и дорогой памяти, а затем принимать решение о масштабном расширении.

После 2026 года рост мощностей Samsung резко замедлится

Согласно прогнозам на основе данных Omdia, приведенным ChosunBiz, годовые мощности Samsung по выпуску DRAM составят около 7,695 млн пластин в 2025 году, 8,175 млн в 2026-м и 8,28 млн в 2027-м. Это означает рост примерно на 6% в 2026 году и лишь на 1,3% годом позже. 2

Речь идет именно о производственных мощностях в пересчете на пластины, а не о количестве готовых HBM-модулей или объеме битов памяти, которые Samsung сможет продать. Поэтому сравнение числа пластин не отражает всех последствий смены техпроцесса. Экономический смысл перехода на более плотную DRAM — получить больше пригодных к продаже битов и премиальных продуктов с каждой качественной пластины.

При этом Samsung не отказывается от расширения полностью. Отраслевые публикации сообщали о переоснащении линий и установке оборудования для увеличения выпуска DRAM 1c. Отдельно сообщалось, что в 2026 году компания намерена значительно нарастить производство HBM. 35

Почему выход годных важнее количества пластин

Производство HBM4 включает несколько последовательных этапов, и каждый из них влияет на итоговый результат. Сначала необходимо успешно изготовить кристаллы DRAM, затем обработать их с использованием сквозных кремниевых соединений TSV, собрать и соединить в многослойный стек, а после этого протестировать готовый модуль. Сбой на любом этапе уменьшает число товарных изделий, полученных из исходного объема пластин. 22

Поэтому быстрый запуск большого количества пластин при нестабильном процессе может оказаться дорогим решением. Он увеличивает объем незавершенного производства и количество брака, но не обязательно приводит к сопоставимому росту выпуска готовой HBM.

Переход на 1c создает дополнительную сложность. Samsung переводит производство на новый техпроцесс, предназначенный в том числе для HBM4, однако отраслевые оценки различают выход годных кристаллов самой 1c DRAM и эффективный выход полностью собранного HBM4. Высокий результат на этапе производства DRAM еще не означает, что многослойный продукт готов к прибыльному массовому выпуску. 28

Динамика выхода годных HBM4 у Samsung показывает, почему стабильность процесса стала центральной частью стратегии. По данным отраслевых публикаций, в начале массового производства в феврале 2026 года показатель был ниже 60%, а к августу приблизился к 80%. 1721 Это оценки рынка, а не полный производственный отчет, раскрытый самой компанией, однако они хорошо объясняют, почему повышение выхода годных может оказаться ценнее немедленного увеличения номинальных мощностей.

Samsung пока сохраняет преимущество, но SK hynix быстро сокращает разрыв

Те же оценки Omdia предполагают, что годовые мощности SK hynix по DRAM составят 6,06 млн пластин в 2025 году, 6,66 млн в 2026-м и 7,29 млн в 2027-м. 2

Исходя из этих цифр, преимущество Samsung будет примерно таким:

• 1,635 млн пластин в 2025 году;
• 1,515 млн пластин в 2026 году;
• 990 тыс. пластин в 2027 году.

Иными словами, разрыв сокращается постепенно: он не падает напрямую с 1,64 млн до 990 тыс. пластин уже в 2026 году. Samsung остается крупнее по этому показателю, но SK hynix, согласно прогнозу, расширяется быстрее.

Кроме того, конкуренция определяется не только числом пластин. Для поставок HBM важны прохождение квалификации у заказчика, стабильность упаковки и сборки, а также регулярность отгрузок. Отраслевые сообщения называют SK hynix ведущим поставщиком HBM для крупных заказчиков ИИ, тогда как Samsung пытается укрепить позиции на рынке HBM4. 1324

Это дает SK hynix преимущество, если заказчики готовы платить за уже квалифицированные и доступные объемы. Ответная ставка Samsung — улучшить выход годных 1c и HBM4 и получать больше продаваемой памяти на сравнительно стабильной производственной базе.

Какие преимущества может дать стратегия Samsung

Больше продукции на уже построенных фабриках

Если Samsung увеличит число качественных кристаллов 1c на одной пластине и одновременно повысит выход годных готовых стеков HBM4, эффективный выпуск может расти быстрее, чем число запускаемых пластин. Это способно снизить себестоимость одного бита и повысить отдачу от уже установленного оборудования.

Меньше риска перепроизводства обычной DRAM

Сдержанное расширение также уменьшает риск инвестировать в чрезмерные мощности обычной DRAM на пике очередного цикла памяти. Выборочное переоснащение линий под более плотные и дорогие продукты сохраняет гибкость на случай изменения спроса или цен.

Возможность вернуться в премиальный сегмент памяти для ИИ

HBM4 имеет стратегическое значение, поскольку эта память является одним из ключевых компонентов цепочки поставок ИИ-ускорителей. Сообщения о росте выхода годных HBM4 Samsung с менее чем 60% на старте до примерно 80% позднее в 2026 году указывают, что накопление производственного опыта может помочь компании бороться за премиальные заказы. 17

В таком случае речь будет идти не просто об увеличении мощностей, а о переходе от номинального лидерства по числу пластин к надежному выпуску квалифицированной HBM.

Риски: SK hynix может выиграть время

У стратегии Samsung небольшой запас прочности. Если выход годных 1c, процессы сборки HBM или сертификация у клиентов будут улучшаться медленнее ожидаемого, компания потеряет время, пока SK hynix продолжит наращивать мощности. Одновременно Samsung придется выбирать, как распределять ресурсы между обычной DRAM, HBM и серверной памятью.

Переоснащение линий создает краткосрочные издержки: оборудование и производственные зоны необходимо адаптировать к новому процессу. Поэтому доступный выпуск может временно сократиться, даже если долгосрочная цель — увеличить плотность битов и производительность.

Наконец, существует риск неверного выбора момента. Если спрос на ИИ останется высоким в период стабилизации процессов Samsung, SK hynix сможет использовать более быстрый рост мощностей и уже накопленный опыт производства HBM для заключения контрактов, которые впоследствии будет трудно вернуть.

Почему дефицит распространяется за пределы HBM

Бум ИИ влияет и на обычную DRAM: производители перенаправляют мощности пластин, оборудование, упаковочные ресурсы и инженерные команды на HBM и серверную память. Отраслевые публикации связывают такое перераспределение с резким ростом цен на стандартную DRAM. 37

TrendForce прогнозировала повышение контрактных цен на обычную DRAM на 58–63% квартал к кварталу во втором квартале 2026 года после ожидаемого скачка на 90–95% в первом квартале. 46 Это прогнозы рынка, а не гарантированный результат, но они показывают, как дефицит, возникший вокруг ИИ-инфраструктуры, затрагивает компьютеры, серверы и другие системы, которые напрямую HBM не используют.

Таким образом, проблему нельзя решить одним объявлением о новых мощностях. Новые линии требуется оснастить, переоборудовать, квалифицировать и вывести на приемлемый уровень выхода годных. Пока этого не произошло, перенос производства в сторону ИИ-памяти сокращает предложение обычных продуктов.

Что это означает для покупателей ИИ-оборудования

Память стала системной проблемой стоимости и доступности ИИ-инфраструктуры. Tom’s Hardware со ссылкой на Bloomberg и оценки аналитиков сообщал, что Nvidia предупредила некоторых крупных заказчиков: системы Grace Blackwell и Vera Rubin, поставки которых ожидаются в начале 2027 года, могут подорожать более чем на 15%. Одним из главных факторов называются растущие цены на память. 32

Удорожание памяти увеличивает капитальные затраты облачных провайдеров и делает развертывание ИИ-систем более дорогим для небольших заказчиков. Точный эффект для конечных цен будет зависеть от конфигурации оборудования и условий контрактов с поставщиками, но общая тенденция очевидна: доступность памяти все сильнее влияет на экономику ИИ-вычислений, а не остается проблемой отдельного компонента.

Итог: ставка на качество вместо масштаба

Сдержанный рост мощностей DRAM у Samsung лучше воспринимать как стратегию повышения выхода годных и изменения продуктового состава, а не как признак ослабления спроса. Компания рассчитывает, что более плотная DRAM 1c и улучшение выхода HBM4 позволят получать с каждой пластины больше ценной и пригодной для продажи продукции.

Экономически такая ставка оправданна, особенно если выход годных HBM4 продолжит расти. Но риск исполнения остается высоким. Samsung необходимо превратить улучшение техпроцесса в стабильные квалифицированные поставки, тогда как SK hynix расширяется быстрее, а на рынке по-прежнему не хватает памяти.

Поэтому следить стоит не только за количеством пластин Samsung. Ключевыми показателями будут число качественных кристаллов на пластину, выход годных готовых стеков HBM4, объем продукции, прошедшей квалификацию у клиентов, и фактически поставленные биты. Если они будут расти быстрее номинальных мощностей, осторожность Samsung превратится в конкурентное преимущество. Если нет, сохраняющееся преимущество по числу пластин может оказаться менее важным, чем более быстрый разгон SK hynix.