CXMT освоила новые виды DRAM, но главный экзамен — производство HBM

CXMT, китайский производитель оперативной памяти, расширяет линейку продукции и приближается к южнокорейским конкурентам по доступным типам микросхем. Но для самой сложной из них — HBM, памяти с высокой пропускной способностью — важен не только выпуск опытной партии. Нужно стабильно получать достаточно годных изделий, чтобы поставлять их заказчикам в промышленных масштабах. 51

Что означают оценки отставания

По оценке Корейской ассоциации полупроводниковой промышленности, Китай отстаёт от Южной Кореи примерно на три года в HBM, два года в DRAM и один год во флеш-памяти NAND. Речь об общей оценке технологического уровня, а не о равенстве компаний по объёмам производства, выходу годных изделий или себестоимости. Сравнение по NAND относится прежде всего к китайской YMTC, а по DRAM и HBM — к CXMT. 52

Где прогресс CXMT уже заметен

CXMT перешла от DDR5 к серийному выпуску LPDDR5X и заявляет о начале массового производства LPDDR6. Компания также объявила о массовом производстве платформы DRAM G5, в том числе микросхем LPDDR5X ёмкостью 24 гигабита. Это говорит о сокращении разрыва по ассортименту. Однако CXMT не раскрыла выход годных изделий для G5 и ежемесячные объёмы выпуска. Поэтому сами объявления ещё не подтверждают равенства с Samsung Electronics и SK hynix по производственным показателям. 20342726

Почему с HBM сложнее

В HBM несколько кристаллов DRAM соединяют в одну многослойную конструкцию. Вертикальные соединения через кремний — TSV — связывают слои между собой. Их изготовление, а затем укладка, совмещение и соединение кристаллов добавляют этапы, на каждом из которых возможны дефекты. 119

Согласно сообщениям прессы, выход годных изделий в раннем опытном выпуске HBM3 у CXMT составляет около 25%. В одном южнокорейском материале около 80% названы ориентиром для массового производства. Ни одно из этих чисел не следует принимать за опубликованный CXMT результат серийного выпуска или за универсальный норматив для любой HBM. Отдельно SemiAnalysis рассчитала общий выход на уровне около 25%, исходя из собственных допущений о разных этапах производства. В сообщениях также нет единства относительно версии опытного продукта: одни называют HBM3, другие — HBM3E. 1337

Поможет ли опыт YMTC?

По сообщениям, CXMT планирует применить к кристаллам DRAM, изготовленным по технологии G4, опыт YMTC с XStacking — гибридным соединением слоёв «медь к меди». Это может быть полезно для одного из сложных этапов сборки. Но сообщение о плане не означает, что технология уже перенесена, проверена для производства HBM и повысила выход годных готовых изделий. Сама по себе она также не устраняет трудности формирования TSV и другие возможные потери при изготовлении многослойной памяти. 101

Следующий проверяемый рубеж для CXMT — стабильный выход годных, полностью собранных и протестированных HBM при коммерческих объёмах выпуска. Успехи с LPDDR показывают прогресс в DRAM; сообщения об опытном выпуске HBM напоминают, что освоить поколение продукта и наладить его конкурентоспособное производство — не одно и то же. 27133