Выручка Micron выросла на 379% — компания прогнозирует дальнейший рост

Micron закончила IV квартал 2026 финансового года с рекордной выручкой — $54,23 млрд, на 379% больше, чем годом ранее. Скорректированная прибыль на акцию также превысила оценки LSEG, а прогноз компании на следующий квартал предполагает выручку в $61,5 млрд. Среди факторов роста — подорожание памяти и увеличение поставок. Однако общую маржу Micron и её долю на рынке DRAM важно не путать с отдельными показателями прибыльности или долей компании в сегменте HBM. 71116

Рекордный квартал и прогноз на следующий

Выручка Micron за IV квартал 2026 финансового года составила $54,23 млрд против $11,32 млрд за тот же период годом ранее. Скорректированная разводнённая прибыль на акцию — $33,42. 7

Согласно оценкам LSEG, приведённым CNBC, выручка превысила ожидаемые $51,07 млрд, а скорректированная прибыль на акцию — прогноз в $31,61. Оценки аналитиков могут различаться в зависимости от поставщика данных; здесь используются данные LSEG. 1116

На I квартал 2027 финансового года Micron прогнозирует выручку в $61,5 млрд с возможным отклонением на $1,5 млрд в обе стороны и скорректированную прибыль на акцию в $38,15 с отклонением на $1. Компания также ожидает скорректированную валовую маржу около 86,25% — ниже показателя IV квартала, который составил 87%. Это прогноз руководства, а не гарантия результата. 27

Как цены и объёмы повлияли на результат

Данные указывают, что квартальному росту помогли как повышение цен, так и увеличение поставок. Выручка от DRAM достигла $39,8 млрд — около 73% общей выручки Micron. Последовательно от квартала к кварталу объём поставок DRAM в битах вырос на величину в среднем однозначном процентном диапазоне, а средние цены продажи — в высоком однозначном диапазоне. 523

Скорректированная валовая маржа Micron в целом составила около 87%. Это показатель по компании в совокупности, а не разбивка по DRAM, NAND, HBM или другим продуктам. Источники указывают на общий рост цен в сегментах DRAM и NAND, но не дают оснований точно приписать прирост маржи отдельным направлениям. 1321

Почему Micron ждёт ограниченного предложения памяти

Руководство компании ожидает, что в 2027 и 2028 финансовых годах соотношение спроса и предложения на рынках памяти и хранения данных будет заметно напряжённее, чем в 2026-м. Среди причин Micron называет усиление спроса, структурные ограничения роста предложения и то, что спрос на HBM — память с высокой пропускной способностью — до конца 2028 календарного года будет расти быстрее, чем спрос на обычную DRAM. 121921

Компания сообщила, что заключила соглашения на большую часть запланированных поставок HBM в битах на 2027 календарный год. По словам Micron, цены в этих соглашениях существенно выше, чем годом ранее. Это даёт компании больше определённости по значительной части поставок, но прогноз на несколько лет вперёд не гарантирует, что дефицит или ценовая конъюнктура сохранятся именно так, как ожидает руководство. 1221

Доля Micron на рынке DRAM приблизилась к показателю SK hynix

По оценке Counterpoint, во II квартале 2026 года Samsung занимала первое место на рынке DRAM по выручке, за ней следовали SK hynix и Micron. По сравнению с предыдущим кварталом Micron прибавила два процентных пункта, а SK hynix потеряла четыре: разрыв между ними сократился до одного пункта. Доля CXMT, согласно той же оценке, тоже выросла. 2734

Производитель DRAM	Предыдущий квартал	II квартал 2026 года
Samsung	38%	38%
SK hynix	29%	25%
Micron	22%	24%
CXMT	8%	10%

Это округлённые оценки Counterpoint, рассчитанные по выручке. Они не отражают доли по объёму поставок, показатели III квартала или доли только в сегменте HBM. Другие исследовательские компании публикуют отличающиеся оценки, поэтому корректнее сравнивать данные одного поставщика, а не объединять цифры, полученные по разным методикам и определениям рынка. 272831

Укрепление позиций Micron делает особенно интересным дальнейший ход производства HBM4. Но общая доля на рынке DRAM не показывает, догнала ли компания SK hynix в HBM: это разные срезы рынка. Результаты Micron говорят о сильной динамике и более тесной конкуренции в DRAM, но сами по себе не решают вопрос о расстановке сил в сегменте памяти с высокой пропускной способностью.