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Samsung V10 BV-NAND: como funcionam as mais de 400 camadas e o wafer bonding
Apresentado em detalhes em 31 de agosto de 2026, o protótipo V10 BV NAND tem mais de 400 word lines e, segundo a Samsung, oferece mais de 58% de densidade de bits, I/O acima de 4,8 Gbps e consumo de energia 25% menor... A arquitetura separa a matriz de células NAND dos circuitos periféricos, fabrica cada parte em um...
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Principais conclusões
- Apresentado em detalhes em 31 de agosto de 2026, o protótipo V10 BV NAND tem mais de 400 word lines e, segundo a Samsung, oferece mais de 58% de densidade de bits, I/O acima de 4,8 Gbps e consumo de energia 25% menor...
- A arquitetura separa a matriz de células NAND dos circuitos periféricos, fabrica cada parte em um wafer diferente e depois une os wafers; o processo 3 Stack HARC Merge ajuda a viabilizar a estrutura com mais de 400 ca...
- O V10 foi projetado para armazenamento de alta capacidade e eficiência energética em data centers de IA, ao lado dos conceitos zHBM e zNAND O.
Prompt de IA
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O V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND, é a tecnologia de memória flash NAND 3D de 10ª geração da Samsung. O projeto combina uma estrutura com mais de 400 word lines — as linhas de controle associadas às células de memória — com uma arquitetura baseada na união de wafers. A empresa apresenta o protótipo como uma solução para sistemas da era da inteligência artificial que precisam armazenar mais dados, transferi-los com maior rapidez e reduzir o consumo de energia. 1
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Nos materiais divulgados em 31 de agosto, a Samsung afirmou que o V10 supera o V9 em mais de 58% na densidade de bits, alcança velocidades de I/O superiores a 4,8 Gbps — um avanço de mais de 33% — e reduz o consumo de energia em mais de 25%. 2
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Como o V10 ultrapassa 400 camadas
A Samsung não fabrica toda a estrutura extremamente alta de células como uma única pilha. Segundo a empresa, o V10 utiliza um processo chamado 3-Stack HARC Merge, que divide as camadas de células em três seções. Cada seção é produzida separadamente e depois conectada verticalmente às demais. Técnicas como Multi Hole e Zero Dummy Hole também são empregadas para lidar com as dificuldades de fabricação associadas a uma quantidade tão elevada de camadas. 13
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A estratégia é importante porque aumentar a densidade da NAND não significa apenas continuar adicionando camadas. Quanto mais alta a pilha, maiores ficam os desafios de fabricação, alinhamento e desempenho elétrico. Ao repartir a estrutura em três blocos, a Samsung busca ampliar a arquitetura vertical sem concentrar todos os obstáculos em uma única pilha.
As fontes disponíveis confirmam a estrutura de três pilhas e as técnicas de apoio, mas não descrevem em detalhe todas as etapas do processo de fabricação. Por isso, é mais preciso tratar o HARC Merge como a arquitetura geral divulgada pela empresa, e não como uma descrição completa de cada operação industrial.
O que muda com o wafer bonding
No V10, a matriz de células NAND é separada dos circuitos periféricos — também chamados de circuitos “Peri”. A Samsung fabrica esses elementos em wafers diferentes e, em seguida, une os dois por meio de wafer bonding, ou ligação de wafers. 2
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Essa separação permite que a matriz de memória e os circuitos de controle sejam desenvolvidos e otimizados de forma independente antes da integração. Assim, a empresa tenta melhorar densidade e desempenho sem depender exclusivamente de tornar uma única pilha de wafer cada vez mais alta. A Samsung também afirma que a arquitetura interligada favorece circuitos periféricos de maior desempenho, contribuindo para os ganhos de transferência de dados e eficiência energética declarados para o V10. 2
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O que significa “full capping”
Os relatos fornecidos descrevem o full capping como um arranjo em que o die periférico inferior acompanha a área ocupada pelo die superior da matriz de células, em vez de se projetar para fora dele. Em tese, isso ajuda a preservar a eficiência de área do chip e do encapsulamento, mantendo a vantagem de fabricar separadamente a matriz e os circuitos periféricos.
Há, porém, uma ressalva importante. Os materiais primários da Samsung e os trechos das fontes sustentam claramente a fabricação em wafers separados e a posterior união entre eles, mas não documentam de forma independente todos os detalhes geométricos do termo “full capping” nem confirmam exatamente como ocorre o casamento das áreas. Portanto, a arquitetura ampla está divulgada; a interpretação precisa do layout deve ser tratada com cautela.
Ganhos declarados sobre o V9
A comparação divulgada pela Samsung com a nona geração de V-NAND é a seguinte:
- Densidade de bits: mais de 58% maior;
- Velocidade de I/O: acima de 4,8 Gbps, com ganho superior a 33%;
- Consumo de energia: mais de 25% menor.
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Uma densidade maior pode permitir o armazenamento de mais dados em uma área física semelhante. A Samsung relacionou o V10 a futuros SSDs de alta capacidade, incluindo soluções de até 128 TB e SSDs de próxima geração compatíveis com PCIe Gen7, de acordo com reportagens sobre os planos da empresa. 13
Esses números são alegações de desempenho da Samsung, não resultados de testes independentes. As informações disponíveis também não mostram como os ganhos se traduzirão em produtos específicos, diferentes cargas de trabalho ou configurações distintas de controladores.
Por que o alvo é o armazenamento para IA
Data centers de inteligência artificial precisam guardar grandes volumes de dados de treinamento, checkpoints de modelos e outros arquivos associados a cargas de trabalho intensivas. A NAND não substitui a DRAM de alta largura de banda, mas pode atender à camada de armazenamento de maior capacidade, na qual densidade e consumo de energia têm peso significativo.
A Samsung apresentou o V10 dentro de uma estratégia mais ampla de memória para IA, que também inclui o zHBM e o zNAND-O. A empresa descreve o zHBM como um conceito para posicionar a memória de alta largura de banda mais perto — ou verticalmente acima — de um acelerador de IA. Já o zNAND-O é um conceito de NAND de alto desempenho que está sendo desenvolvido em versões de quatro e oito camadas. 5
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O ponto em comum é a integração vertical: usar estruturas tridimensionais de memória ou de encapsulamento para enfrentar limitações de espaço, largura de banda, consumo e temperatura. O V10 é a parte voltada ao armazenamento dessa estratégia, enquanto zHBM e zNAND-O continuam sendo arquiteturas conceituais ou em desenvolvimento nas evidências fornecidas, sem cronograma de produção confirmado. 1
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Comercialização e próximos passos
A Samsung apresentou o V10 como protótipo e tecnologia de próxima geração durante a conferência Future of Memory and Storage 2026. A entrevista de 31 de agosto e os relatos disponíveis não informam uma data firme para produção em massa ou início dos envios comerciais. 1
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Isso significa que algumas previsões de roadmap não devem ser tratadas como compromissos confirmados. As evidências fornecidas não comprovam uma data definitiva de comercialização do V10, o lançamento de uma NAND de 11ª geração em 2027 ou uma meta de NAND com 1.000 camadas até 2030. Reportagens anteriores mencionaram esse objetivo de 1.000 camadas, mas isso não equivale a um calendário confirmado pela Samsung. 25
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A conclusão mais segura, por enquanto, é mais específica: o V10 demonstra a tentativa da Samsung de avançar além de 400 camadas usando uma arquitetura de células dividida em três blocos e wafers separados para células e circuitos periféricos. A empresa associa o projeto a ganhos de densidade, I/O e eficiência energética, mas a disponibilidade comercial e o ritmo das próximas gerações ainda permanecem em aberto.
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Quais são os pontos-chave para validar primeiro?
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O que devo fazer a seguir na prática?
O V10 foi projetado para armazenamento de alta capacidade e eficiência energética em data centers de IA, ao lado dos conceitos zHBM e zNAND O.