Samsung finalmente mostra a HBM5: chip de memória com die de 2nm e sistema de refrigeração inédito

• Die de base de 2nm (nanômetros): A Samsung planeja fabricar o die de base com seu próprio processo de fundição de 2nm — um encolhimento de nó muito agressivo para um produto de memória e o primeiro da sua linha HBM .
• Heat Path Block (HPB): Um projeto térmico que cria caminhos de dissipação de calor adicionais entre as superfícies físicas dos dies, reduzindo diretamente a resistência térmica e aumentando a estabilidade operacional. A Samsung confirmou que a tecnologia HPB já foi implementada e verificada através da geração anterior, a HBM4E .
• Configurações de empilhamento: A HBM5 está sendo preparada em versões com 12, 16 e 20 camadas de DRAM para atender à crescente demanda de capacidade dos aceleradores de IA .

Sobre o cronograma, a Samsung já havia enviado amostras da HBM4E de 12 camadas em maio de 2026, com a expectativa de produção em massa da HBM5 para cerca de 2028 . Song acrescentou que o momento final da implementação do HPB pode ser antecipado com base na demanda dos clientes e nas condições do mercado .

O cenário competitivo: Samsung vs. SK Hynix

A Computex 2026 escancarou as estratégias contrastantes das duas fornecedoras dominantes de HBM do mundo:

A aposta da Samsung: Uma estratégia de "hiato tecnológico" (technology super-gap) — saltando para um nó de fabricação de última geração e introduzindo o HPB para se firmar como a fornecedora mais avançada . A revelação da HBM5 sucede um marco anterior da Samsung, que foi a primeira a produzir em massa a geração HBM4 .

O contragolpe da SK Hynix: Reforçar sua dominância de mercado e escala de fornecimento já comprovadas. A SK Hynix detinha 58% de participação no mercado global de HBM no primeiro trimestre de 2026, contra 21% da Samsung, de acordo com a Counterpoint Research . No mesmo evento, o chairman Chey Tae-won prometeu dobrar a capacidade de wafers da companhia em cinco anos, citando uma expectativa de escassez de memória até 2030 .

A posição da Nvidia: O CEO da Nvidia, Jensen Huang, elogiou publicamente o sucesso da SK Hynix na Computex, sem fazer qualquer menção à Samsung . O silêncio destacou o domínio atual da SK Hynix como principal fornecedora de HBM para as GPUs de IA da Nvidia. No entanto, é sabido que a Nvidia busca uma estratégia de dupla fonte de fornecimento para manter poder de negociação, o que mantém a Samsung na disputa por futuras gerações de aceleradores .

Por que a refrigeração se tornou o campo de batalha decisivo

A migração para pilhas de 16 e 20 camadas de HBM transformou a dissipação de calor no principal gargalo para o desempenho dos aceleradores de IA . Os dies de HBM são empilhados verticalmente e integrados de forma compacta com os chips lógicos, o que significa que o calor preso entre as camadas degrada a integridade do sinal, aumenta o consumo de energia e reduz a vida útil do componente.

O HPB da Samsung ataca esse problema no nível da arquitetura. Em vez de depender apenas de soluções externas de resfriamento, o HPB cria vias dedicadas de transferência de calor através da camada física (PHY) do próprio chip, encaminhando a energia térmica para fora da pilha com mais eficiência . A Samsung afirmou que o design foi validado na HBM4E quanto à integridade estrutural, estabilidade do encapsulamento e desempenho térmico .

A SK Hynix também está na corrida para garantir tecnologias de resfriamento para suas HBM de última geração, mas a aposta pública da Samsung no HPB sinaliza sua crença de que a inovação térmica — e não apenas a altura do empilhamento — pode superar a vantagem de cadeia de suprimentos da sua rival . Com a projeção de que o mercado de HBM permaneça esgotado até o fim de 2026 e com os roteiros dos aceleradores de IA exigindo memória cada vez mais rápida, quem vencer a corrida térmica pode conquistar o espaço na próxima geração de plataformas da Nvidia, como a Rubin.