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Samsung quer levar a memória de IA para a terceira dimensão com o plano CUBE
O CUBE organiza a estratégia 3D da Samsung em quatro prioridades: capacidade, utilização, largura de banda e eficiência. O HBM5 tem como meta dobrar o desempenho do HBM4E, melhorar em 20% o desempenho por watt e reduzir em 20% a resistência térmica.
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Resposta de pesquisa
Principais conclusões
- O CUBE organiza a estratégia 3D da Samsung em quatro prioridades: capacidade, utilização, largura de banda e eficiência.
- O HBM5 tem como meta dobrar o desempenho do HBM4E, melhorar em 20% o desempenho por watt e reduzir em 20% a resistência térmica.
- A arquitetura zHBM empilharia a memória diretamente sobre o acelerador de IA, mas ainda é um conceito cuja viabilidade depende de resfriamento, rendimento de fabricação, testes e integração.
Prompt de IA
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung Electronics announce at the Memory Executive Summit during SEMICON Taiwan 2026 about its “CUBE” memory roadmap for AI, incl. Article summary: Samsung’s CUBE roadmap is a 3D-integration strategy for AI memory: increase capacity, optimize its use, raise bandwidth, and improve power/thermal efficiency by moving beyond the two-dimensional PCB footprint and stackin. Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
A Samsung apresentou uma estratégia para enfrentar um dos principais gargalos da inteligência artificial: a memória. Em vez de tratar os chips de memória como componentes espalhados horizontalmente dentro do mesmo pacote, a empresa quer explorar estruturas tridimensionais, aproximando memória e lógica e ampliando a capacidade sem aumentar necessariamente a área ocupada na placa de circuito impresso. 2
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Apresentada em 1º de setembro, durante o Memory Executive Summit realizado no contexto da SEMICON Taiwan 2026, a estratégia recebeu o nome de CUBE — sigla em inglês para Capacity, Utilization, Bandwidth e Efficiency, ou capacidade, utilização, largura de banda e eficiência. 2
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O plano reúne uma evolução mais próxima da produção, o HBM5, e propostas mais experimentais, como o zHBM, que mudaria a forma como a memória de alta largura de banda é conectada aos aceleradores de IA. O ponto importante é que a Samsung divulgou metas de desenvolvimento e conceitos de arquitetura, não um conjunto completo de especificações de produtos já prontos para o mercado.
O que significam as quatro prioridades do CUBE
Capacidade: crescer para cima, não para os lados
A Samsung pretende aumentar a quantidade de memória por meio da expansão vertical, sem ampliar a área ocupada na placa. Essa abordagem pode ser importante em sistemas de IA, nos quais os aceleradores precisam acessar conjuntos de dados cada vez maiores, enquanto o espaço do pacote, a alimentação elétrica e a dissipação de calor permanecem limitados. 2
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Utilização: fazer cada camada trabalhar melhor
Para a Samsung, empilhar mais matrizes de memória não é suficiente. O pilar de utilização envolve otimizar a posição e a relação entre memória e lógica, reduzindo esperas e caminhos desnecessários para os dados. Em outras palavras, o objetivo é aproveitar melhor cada camada do conjunto 3D, e não apenas aumentar sua altura. 4
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Largura de banda: trocar caminhos horizontais por conexões verticais
Quanto menor a distância entre o processador e a memória, menor tende a ser o custo para transportar os dados. No conceito zHBM, a Samsung pretende usar conexões verticais densas para substituir parte da estrutura convencional, na qual os módulos HBM ficam ao lado do acelerador de IA. 8
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Eficiência: gastar menos energia para mover dados
Mover dados consome energia e gera calor. Por isso, o CUBE trata desempenho, consumo e temperatura como problemas conectados. A proposta busca reduzir a energia necessária para transferir cada bit e, ao mesmo tempo, melhorar a resistência térmica de pacotes cada vez mais densos. 5
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HBM5 mira o dobro do desempenho do HBM4E
O HBM5 está sendo desenvolvido como a próxima geração depois do HBM4E. As metas divulgadas pela Samsung são:
Relatos sobre o projeto também citam o uso de um processo de DRAM de classe 1c, um base die de 2 nanômetros desenvolvido internamente e o Heat Path Block, uma estrutura destinada a facilitar a remoção de calor do empilhamento. 3
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Esses números, porém, devem ser interpretados como objetivos, e não como resultados de um produto final demonstrado de forma independente. A Samsung ainda não informou uma largura de banda absoluta para o HBM5, sua capacidade definitiva, a quantidade final de camadas ou as condições exatas usadas para medir a afirmação de “duas vezes o desempenho”. 7
A expressão pode se referir à velocidade da interface, à vazão de um empilhamento, ao desempenho por conjunto ou até a uma capacidade mais ampla do sistema. Sem uma definição precisa, não é possível transformar a meta de 2× em um número confiável de terabytes por segundo.
Uma comparação justa com demonstrações do HBM4E exigiria a mesma definição de desempenho, a mesma configuração de empilhamento e condições equivalentes de teste. Portanto, a meta anunciada é relevante como direção tecnológica, mas ainda não permite concluir qual será o desempenho real do HBM5 em aplicações de IA.
zHBM coloca a memória diretamente sobre o acelerador
A proposta mais ousada do CUBE é o zHBM. No desenho convencional, a memória HBM fica ao lado do acelerador de IA, geralmente conectada por um interposer ou outro tipo de embalagem avançada. No zHBM, a memória seria posicionada diretamente acima da CPU, GPU ou de outro acelerador. 8
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A integração proposta usa fabricação em nível de wafer e hybrid copper bonding, ou ligação híbrida de cobre. As conexões diretas entre superfícies de cobre podem ser menores e mais densas do que as usadas em arquiteturas tradicionais. Com isso, a Samsung espera encurtar o caminho dos sinais, elevar a largura de banda e diminuir a energia gasta no transporte de dados. 17
A empresa publicou uma meta de até 8× o desempenho de uma solução HBM de referência e de até 3× o desempenho por watt, além de uma redução expressiva na resistência térmica. 1
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Por que alguns relatos falam em 4× e outros em 8×?
Os números associados ao zHBM não são sempre diretamente comparáveis. A formulação pública mais clara da Samsung afirma que um sistema de interface de próxima geração incorporando zHBM poderia atingir aproximadamente 8× o desempenho do HBM5. 18
22 Outros relatos comparam o conceito ao HBM4E ou apresentam uma faixa de 4× a 8×.
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A diferença pode resultar de referências geracionais distintas, de definições diferentes para “desempenho” ou da comparação entre a interface e o desempenho de um empilhamento completo. Como a Samsung não divulgou métricas absolutas suficientes, não é possível reconciliar esses números com precisão.
A conclusão mais segura é que o zHBM representa uma proposta de interface de memória muito mais curta e densa. As afirmações de 4× ou 8× não devem ser tratadas como ganhos já verificados em um sistema de IA comercializado.
A comercialização do zHBM ainda não tem data confirmada
A Samsung apresentou o zHBM como uma arquitetura conceitual e não forneceu, no material considerado, um cronograma firme de produção. Assim, previsões de lançamento ou comercialização em um ano específico devem ser entendidas como expectativas do setor, e não como orientação oficial confirmada pela empresa. 13
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Essa diferença é importante porque o empilhamento vertical cria problemas de fabricação, resfriamento e confiabilidade que não aparecem em um simples multiplicador de desempenho.
zNAND-O mira outro tipo de memória para IA
O zNAND-O é uma proposta separada do HBM voltado a servidores. Trata-se de uma solução baseada em NAND e integração vertical, direcionada à IA no dispositivo e a aplicações que precisam de alta densidade de armazenamento com acesso mais rápido do que o oferecido pela NAND convencional. 4
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Os relatos descrevem como objetivo uma densidade de bits muito superior à da DRAM, combinada a maior largura de banda de leitura e melhor eficiência energética em relação à NAND tradicional. Algumas publicações mencionam amostras para clientes a partir de 2028, mas a cobertura disponível não é totalmente consistente sobre o status desse cronograma. Por isso, a data deve ser tratada como um plano reportado, não como uma garantia de lançamento. 13
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A liderança em DRAM não resolve a disputa pelo HBM
A Samsung chegou ao anúncio em uma posição forte no mercado geral de DRAM. Dados da Counterpoint Research indicam que a empresa respondeu por 39% da receita global de DRAM no segundo trimestre de 2026, à frente da SK hynix, com 26%, e da Micron, com 25%. 33
Esse resultado, contudo, não significa liderança automática em todas as gerações de HBM ou em empacotamento 3D. A receita total de DRAM inclui segmentos que vão além dos aceleradores avançados de IA. Portanto, o dado não comprova que a Samsung já esteja à frente no HBM5, no zHBM ou na memória com ligação híbrida.
A disputa real será decidida por quem conseguir transformar uma arquitetura promissora em pacotes confiáveis, produzidos em grande volume e fáceis de integrar aos aceleradores dos clientes.
Os desafios que podem decidir o futuro do CUBE
Controle térmico
Colocar a memória diretamente sobre um acelerador reduz a distância elétrica, mas pode deixar os chips de memória em um ambiente térmico mais difícil. Os testes decisivos terão de avaliar temperaturas sustentadas, gradientes térmicos, controle de pontos quentes, compatibilidade com sistemas de refrigeração e confiabilidade em cargas reais de IA — não apenas uma redução nominal da resistência térmica.
O Heat Path Block da Samsung terá de ser avaliado nesse contexto. A concorrente SK hynix também trabalha em soluções de resfriamento incorporadas, o que mostra que a disputa envolve tanto a velocidade da memória quanto a capacidade de retirar calor de empilhamentos cada vez mais potentes.
Rendimento da ligação híbrida
O zHBM depende de alinhamento extremamente preciso entre wafers e de superfícies limpas e planas para a ligação cobre com cobre. À medida que a área colada e a densidade de conexões aumentam, os defeitos se tornam mais impactantes. Os fabricantes precisarão aprimorar a seleção de componentes comprovadamente bons, o controle do processo e as formas de lidar com conjuntos defeituosos ou parcialmente defeituosos.
Testes e confiabilidade no longo prazo
Um pacote vertical precisa ser testado depois da ligação, e os fabricantes terão de identificar falhas latentes nas interconexões enquanto controlam empenamento, estresse mecânico, eletromigração e os efeitos de ciclos térmicos repetidos. Esses requisitos podem afetar diretamente o rendimento da produção e o custo final.
Altura do empilhamento e integração do pacote
Adicionar camadas aumenta a capacidade, mas também pode dificultar o resfriamento, a entrega de energia e a confiabilidade mecânica. A melhor configuração dependerá do consumo do acelerador, da capacidade exigida, do sistema de refrigeração do cliente, do pacote utilizado e de todo o ecossistema de fabricação.
Em resumo
O CUBE é a tentativa da Samsung de competir no mercado de memória para IA por meio da integração vertical, e não apenas com DRAM mais rápida. O HBM5 representa o caminho mais próximo, com metas de desempenho duas vezes maior que o HBM4E, 20% mais desempenho por watt e 20% menos resistência térmica.
O zHBM é a aposta arquitetônica de longo prazo: colocar a memória diretamente acima do acelerador e usar ligação híbrida de cobre para encurtar o caminho dos dados. A ideia é tecnicamente significativa, mas os maiores números divulgados ainda são metas com definições incompletas.
No fim, o sucesso do CUBE dependerá menos de uma apresentação prometer 2× ou 8× de desempenho e mais de a Samsung conseguir entregar controle térmico, rendimento de ligação, cobertura de testes, confiabilidade e integração efetiva com os pacotes de seus clientes.
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Qual é a resposta curta para "Samsung quer levar a memória de IA para a terceira dimensão com o plano CUBE"?
O CUBE organiza a estratégia 3D da Samsung em quatro prioridades: capacidade, utilização, largura de banda e eficiência.
Quais são os pontos-chave para validar primeiro?
O CUBE organiza a estratégia 3D da Samsung em quatro prioridades: capacidade, utilização, largura de banda e eficiência. O HBM5 tem como meta dobrar o desempenho do HBM4E, melhorar em 20% o desempenho por watt e reduzir em 20% a resistência térmica.
O que devo fazer a seguir na prática?
A arquitetura zHBM empilharia a memória diretamente sobre o acelerador de IA, mas ainda é um conceito cuja viabilidade depende de resfriamento, rendimento de fabricação, testes e integração.
Fontes
ajupress.comSamsung Electronics Unveils 'CUBE' Strategy to Overcome Memory Limits | Aju Press
en.sedaily.comSamsung Says Logic-Memory Layout Key to Breaking AI Chip Limits
asiae.co.kr"Building 3D Vertical Highways"... Samsung Electronics Unveils 'CUBE' Strategy to Overcome Memory Limits - The Asia Business Daily
en.edaily.co.krSamsungElectronics Unveils 'CUBE' Strategy at Semicon Taiwan… Highlights Industry-Leading Capacity