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Samsung mira 2029 com a memória zHBM — mas o calor pode decidir se ela chegará ao mercado
A Samsung mira a comercialização da zHBM por volta de 2029, com a possibilidade de uma estreia em 2028, mas ainda precisa resolver seu principal obstáculo: retirar o calor da memória empilhada diretamente sobre um ace... A empresa projeta cerca de 8 vezes o desempenho da HBM5 e mais de 10 vezes sua densidade de memó...
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Principais conclusões
- A Samsung mira a comercialização da zHBM por volta de 2029, com a possibilidade de uma estreia em 2028, mas ainda precisa resolver seu principal obstáculo: retirar o calor da memória empilhada diretamente sobre um ace...
- A empresa projeta cerca de 8 vezes o desempenho da HBM5 e mais de 10 vezes sua densidade de memória, mas esses números são metas de roteiro tecnológico — não resultados validados de um produto comercial.
- Separadamente, a Samsung pretende iniciar em 2028 a produção em massa de encapsulamento fan out em painéis de 415×510 mm e colocar em operação, em até três anos, uma segunda fábrica avançada em Taylor, no Texas.
Prompt de IA
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are Samsung Electronics’ plans and technological challenges for commercializing its next-generation zHBM memory—unveiled as a concept a. Article summary: Samsung is positioning zHBM as a post-HBM5, true-3D AI-memory architecture, but it remains a concept rather than a qualified product. Its stated commercial target is around 2029, with an earlier 2028 introduction possibl. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
A zHBM é a tentativa da Samsung de levar a memória para inteligência artificial do plano horizontal do pacote para o plano vertical. Apresentada como conceito na conferência Future of Memory and Storage 2026, a arquitetura posiciona a memória de alta largura de banda (HBM) diretamente acima de um acelerador de IA, em vez de colocá-la ao lado do processador em um interposer. 1
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Essa geometria pode encurtar o caminho entre processamento e memória, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética. Mas a zHBM ainda não é um produto comercial qualificado. A meta atual da Samsung está em torno de 2029, com a possibilidade de chegar já em 2028 — desde que a empresa prove que os ganhos de desempenho podem ser fabricados e resfriados de forma confiável. 13
O que diferencia a zHBM da HBM convencional?
Os sistemas HBM convencionais usam uma configuração 2.5D: pilhas de HBM ficam ao lado de uma CPU, GPU ou outro acelerador e se comunicam por meio de um interposer. O conceito zHBM muda essa relação ao empilhar a HBM verticalmente sobre o acelerador, no eixo Z. 2
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O benefício pretendido é uma distância menor para a comunicação. Quanto mais próximos estiverem o processador e a memória, maior pode ser a largura de banda, menor o gasto de energia com movimentação de dados e mais compacto o pacote de IA. A Samsung descreve o projeto como uma arquitetura de memória 3D de próxima geração voltada às exigências da computação de IA em larga escala. 3
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A proposta depende de integração em nível de wafer e de hybrid copper bonding, ou ligação híbrida de cobre. Essa tecnologia conecta diretamente superfícies de cobre, em vez de usar as tradicionais microssoldas. A intenção é viabilizar a alta densidade de interconexões necessária para integrar de perto lógica e memória no mesmo pacote. 10
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As promessas de desempenho ainda são projeções
A Samsung afirma que um sistema de interface de próxima geração baseado na zHBM poderia oferecer aproximadamente oito vezes o desempenho da HBM5 e mais de dez vezes sua densidade de memória. Outros números divulgados pela empresa incluem uma possível melhoria de três vezes na eficiência energética e uma redução superior à metade na resistência térmica. 3
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Esses números devem ser entendidos como projeções da própria Samsung, e não como benchmarks independentes de um produto disponível no mercado. A empresa apresentou a zHBM como um conceito, e as especificações comerciais, o cronograma de produção e as configurações finais dos aceleradores ainda não foram definidos. 4
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A comparação com a HBM5 também exige cuidado: ela representa uma meta de roteiro tecnológico futuro, e não um teste equivalente realizado com hardware zHBM comercial. Até que a Samsung publique componentes qualificados e medições de sistema, as afirmações mostram mais a dimensão da ambição do que o desempenho que os clientes poderão comprar.
O calor é a principal barreira para a comercialização
A maior vantagem da arquitetura — colocar a memória diretamente sobre o acelerador — também cria seu problema de engenharia mais difícil. Aceleradores de IA geram bastante calor, e posicionar a HBM sobre a região mais quente do pacote pode bloquear o caminho mais direto para a dissipação. O executivo responsável pela área de semicondutores da Samsung nos Estados Unidos apontou o calor como o principal obstáculo à comercialização da zHBM. 13
A Samsung discutiu uma solução chamada heat-pipe block, ou bloco de tubo de calor, projetada para retirar calor de pontos críticos da pilha. Apresentar um mecanismo térmico, porém, não equivale a demonstrar uma solução pronta para produção. A empresa ainda precisa provar que a memória, as interfaces de ligação e o acelerador conseguem operar juntos de maneira confiável sob cargas sustentadas de servidores de IA. 13
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O projeto térmico é apenas uma das etapas. Um produto zHBM comercial também precisaria atingir alto rendimento na ligação híbrida, alinhamento preciso entre chips de grandes dimensões, confiabilidade de longo prazo, compatibilidade com aceleradores de clientes e um processo de fabricação capaz de produzir pacotes complexos em escala. O conceito, portanto, precisa superar tanto um problema de física quanto um problema de fábrica.
A janela esperada de lançamento é 2028–2029
A Samsung indicou que os primeiros produtos zHBM podem chegar por volta de 2029, com uma introdução antecipada possível em 2028. 13 Trata-se de uma meta, não de uma data confirmada de lançamento: antes de chegar aos clientes, o conceito precisa passar pela definição da arquitetura, pelo codesign com aceleradores, pela validação térmica, pela qualificação de confiabilidade e pela preparação da produção em volume.
O calendário também significa que a zHBM será desenvolvida ao mesmo tempo que novas gerações de HBM, avanços em encapsulamento e mudanças no design de chips de IA. Seu valor dependerá não apenas das especificações máximas de memória, mas também da disposição dos fabricantes de aceleradores para desenvolver produtos em torno de um pacote 3D mais integrado.
O roteiro de encapsulamento da Samsung oferece uma infraestrutura de apoio
Separadamente, a Samsung planeja manter o formato de 415×510 mm para o encapsulamento fan-out em nível de painel — conhecido pela sigla FO-PLP — e mira a produção em massa em 2028. A empresa está posicionando essa capacidade para pacotes maiores voltados a IA e computação de alto desempenho. 17
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Esse roteiro faz parte da estratégia mais ampla de encapsulamento avançado da Samsung, mas não deve ser confundido com um compromisso de lançamento da zHBM. A produção em massa de FO-PLP em 2028 forneceria capacidade de encapsulamento e experiência industrial; por si só, ela não provaria que a HBM empilhada verticalmente está pronta para uma implantação comercial.
Expansão da fábrica em Taylor acrescenta uma frente nos EUA
A Samsung também pretende colocar em operação, dentro de três anos, uma segunda fábrica avançada de fundição em Taylor, no Texas, principalmente para atender clientes americanos. 13 Somada aos investimentos em memória e encapsulamento, a expansão aponta para uma estratégia de oferecer uma parcela maior da cadeia de semicondutores necessária aos futuros sistemas de IA.
Essa integração pode ser importante porque a zHBM exige coordenação estreita entre memória, lógica, ligação, encapsulamento e design do acelerador. Ainda assim, uma capacidade fabril adicional não elimina os riscos técnicos fundamentais: primeiro, a Samsung precisa demonstrar que a arquitetura empilhada verticalmente atende aos requisitos de temperatura, confiabilidade, rendimento de fabricação e custo.
O que está em jogo
A zHBM é a aposta mais clara da Samsung de que o próximo grande salto na memória para IA virá da mudança na geometria do pacote — e não apenas da adição de mais pilhas de HBM convencionais. O potencial é significativo: interconexões mais curtas, maior largura de banda, mais densidade e melhor eficiência.
Mas a pergunta decisiva é se a Samsung conseguirá resfriar um acelerador de alta potência através de — ou ao redor de — uma pilha de memória, enquanto fabrica o pacote com ligação híbrida e rendimentos confiáveis. Até que isso seja comprovado, a promessa de desempenho oito vezes maior e a janela de 2028–2029 continuam sendo metas ambiciosas de roteiro, não uma chegada garantida ao mercado.
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Quais são os pontos-chave para validar primeiro?
A Samsung mira a comercialização da zHBM por volta de 2029, com a possibilidade de uma estreia em 2028, mas ainda precisa resolver seu principal obstáculo: retirar o calor da memória empilhada diretamente sobre um ace... A empresa projeta cerca de 8 vezes o desempenho da HBM5 e mais de 10 vezes sua densidade de memória, mas esses números são metas de roteiro tecnológico — não resultados validados de um produto comercial.
O que devo fazer a seguir na prática?
Separadamente, a Samsung pretende iniciar em 2028 a produção em massa de encapsulamento fan out em painéis de 415×510 mm e colocar em operação, em até três anos, uma segunda fábrica avançada em Taylor, no Texas.
Fontes
reuters.comSamsung Electronics launches next-generation AI memory technology
news.samsung.comSamsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026, Charting the Future of AI Infrastructure - Samsung Global Newsroom
kedglobal.comSamsung targets zHBM around 2029, Taylor Fab 2 within 3 years - KED Global
koreatimes.co.krSamsung introduces zHBM to stack memory vertically on ...