Micron deu início oficial às obras em 4 de julho de 2026 para uma fábrica dedicada a memória de alta largura de banda (HBM) em Hiroshima, num investimento de ¥1,5 trilhão ( US$ 9,3 bilhões), com primeiras remessas da... A fábrica produzirá memória de alto desempenho para processadores de IA como os da NVIDIA, com ca...

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Em 4 de julho de 2026, a Micron Technology realizou a cerimônia de lançamento da pedra fundamental (groundbreaking) da expansão de sua fábrica em Higashihiroshima, província de Hiroshima, no Japão, para a produção de memória de alta largura de banda (HBM) . O investimento total é de ¥1,5 trilhão (aproximadamente US$ 9,3 bilhões a US$ 9,6 bilhões, dependendo da taxa de câmbio), tornando-se um dos maiores investimentos em uma única fábrica de semicondutores na história recente do Japão
. A instalação é projetada exclusivamente para produzir a próxima geração de chips HBM — a memória avançada que fica ao lado de aceleradores de IA como as GPUs da NVIDIA — e representa a aposta mais agressiva da Micron no superciclo da memória para IA
.
A expansão em Hiroshima focará na próxima geração de HBM, especificamente o padrão HBM4 e além, sucessor do atual HBM3E . Esses chips são componentes críticos para aceleradores de treinamento e inferência de IA. De acordo com a Bloomberg e outras fontes, o principal cliente-alvo é a NVIDIA, cujas GPUs das séries H100, B200 e futuras dependem do HBM para largura de banda de memória
. A fábrica posiciona a Micron para fornecer memória para a NVIDIA e outros fabricantes de chips de IA durante a transição para as próximas arquiteturas de memória.
Este cronograma significa que a produção da Micron em Hiroshima chegará ao mercado na segunda metade da década, potencialmente capturando a demanda da próxima onda de construção de data centers de IA .
O Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão (METI) comprometeu um apoio financeiro substancial:
Este subsídio está alinhado com a estratégia nacional do Japão de reviver sua indústria doméstica de semicondutores e garantir a fabricação de memória avançada em seu território .
Contexto atual do mercado: A SK Hynix domina o mercado HBM como principal fornecedora de HBM3 e HBM3E para a NVIDIA, mantendo uma liderança confortável em volume de produção e certificação tecnológica . A Samsung ocupa o segundo lugar, enquanto a Micron era a terceira colocada, distante, na geração atual de HBM.
Estratégia competitiva da Micron com esta fábrica:
O desafio enfrenta obstáculos: A SK Hynix já está desenvolvendo o HBM4 em um cronograma agressivo, com produção em massa prevista já para 2026-2027 . A data de primeira remessa da Micron em 2028 significa que a SK Hynix pode ter uma vantagem de 1 a 2 anos no ciclo da próxima geração de HBM
. No entanto, dentro do superciclo da memória para IA — onde a demanda por HBM deve crescer de 40% a 50% ao ano até 2030 — há espaço para múltiplos vencedores. A entrada tardia da Micron com uma fábrica dedicada e altamente subsidiada pode capturar uma fatia significativa como segunda fonte (second-source) para a NVIDIA e outros clientes de chips de IA
.
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Micron deu início oficial às obras em 4 de julho de 2026 para uma fábrica dedicada a memória de alta largura de banda (HBM) em Hiroshima, num investimento de ¥1,5 trilhão ( US$ 9,3 bilhões), com primeiras remessas da...
Micron deu início oficial às obras em 4 de julho de 2026 para uma fábrica dedicada a memória de alta largura de banda (HBM) em Hiroshima, num investimento de ¥1,5 trilhão ( US$ 9,3 bilhões), com primeiras remessas da... A fábrica produzirá memória de alto desempenho para processadores de IA como os da NVIDIA, com capacidade total de produção projetada para março de 2030 ou depois [10].
O governo japonês já comprometeu um total de ¥774,5 bilhões em subsídios para as operações da Micron em Hiroshima, como parte da estratégia nacional de revitalizar sua indústria de semicondutores [2][4].