A Samsung iniciou a produção comercial em massa e as remessas do HBM4 em 12 de fevereiro de 2026, sendo a primeira empresa do mundo a fazê-lo . No final de junho de 2026 — pouco mais de 130 dias depois — as vendas cumulativas já haviam ultrapassado US$ 1 bilhão (aproximadamente 1,54 trilhão de won sul-coreanos) . Fontes do setor atribuem esse crescimento acelerado à demanda crescente por IA; a Samsung relatou que toda a sua capacidade de produção atual de HBM4 já está totalmente reservada pelos clientes . As vendas cumulativas até o final de junho devem ultrapassar US$ 1,2 bilhão , e alguns analistas projetam que a receita do HBM4 da Samsung pode atingir US$ 10 bilhões cumulativamente à medida que a adoção escala ao longo de 2026 .
As especificações oficiais da Samsung, confirmadas por reportagens independentes, mostram um salto geracional no desempenho :
Largura de banda: Até 3.300 GB/s (3,3 TB/s) por pilha, aproximadamente 2,7 vezes melhor que a do HBM3E .
Velocidade de transferência de dados: Consistentes 11,7 Gbps por pino em operação padrão, com pico de capacidade de até 13 Gbps — cerca de 22% maior que o máximo de 9,6 Gbps do HBM3E e 46% acima da linha de base do padrão JEDEC .
Pinos de E/S: A Samsung dobrou o número de pinos de 1.024 para 2.048 pinos, permitindo o enorme aumento na largura de banda .
Capacidade: As pilhas atuais de 12 camadas oferecem 36 GB por pilha, com pilhas de 16 camadas de 48 GB planejadas .
Tecnologia de processo: Construído na DRAM 1c de 6ª geração da classe de 10 nm, com um die de base lógica fundido em 4nm (foundry própria da Samsung), que integra mais funcionalidades lógicas na base da pilha de memória para melhor eficiência energética e desempenho .
Eficiência energética: Até 40% melhor que as gerações anteriores, segundo a Samsung .
Conformidade com JEDEC: A Samsung afirma que o HBM4 supera tanto o padrão JEDEC quanto os requisitos da Nvidia .
O cenário competitivo mudou dramaticamente com a chegada do HBM4:
A linha de base pré-HBM4 (era HBM3/HBM3E):
A geração HBM4 — os papéis se inverteram:
Ressalva: Apesar da vantagem de ser o primeiro a chegar no HBM4, a SK Hynix ainda lidera a participação geral do mercado de HBM, carregada das gerações anteriores, e tem relacionamentos profundos e de longa data com a Nvidia . A Counterpoint Research estima que a SK Hynix capturará cerca de 54% do mercado geral de HBM4 em 2026, a Samsung 28% e a Micron 18% — projeções que podem mudar à medida que a Samsung acelera mais rápido . A batalha competitiva do HBM4 ainda está no início.
A Samsung está executando uma expansão agressiva e multifacetada :
Aumento de 50% na capacidade em 2026: A Samsung planeja aumentar a produção total de HBM em aproximadamente 50%, mirando cerca de 250.000 wafers por mês até o final de 2026, ante os atuais ~170.000 .
Campus Pyeongtaek (P4): A Samsung está convertendo sua linha P4 em uma base de fabricação focada em HBM4, com a instalação de equipamentos em fases a partir de 2026 para a produção de DRAM 1c. A primeira fase pode garantir cerca de 60.000 wafers por mês de nova capacidade no primeiro semestre de 2026 .
Megafábrica P5 acelerada: A Samsung antecipou o início da construção da Fábrica 2 do P5 para julho de 2026 (seis meses antes do previsto), com operações comerciais visadas para 2029. A conclusão da sala limpa foi adiada para o terceiro trimestre de 2026 .
Linhas de Cheonan: O presidente Lee Jae-yong inspecionou pessoalmente as linhas de HBM em Cheonan em junho de 2026, sinalizando a prioridade de nível executivo na rampagem do HBM .
Alocação da fundição: Mais de 50% da capacidade da fundição de Pyeongtaek da Samsung é supostamente alocada para a produção interna do die de base do HBM4, em vez de clientes externos — uma priorização de recursos internos única do modelo verticalmente integrado da Samsung .
A SK Hynix também está escalando, planejando seus próprios aumentos de capacidade em 2026, mas o ritmo da Samsung é notavelmente mais agressivo .
A demanda por HBM4 é impulsionada pelas plataformas de aceleradores de IA Blackwell e Rubin da Nvidia, além de provedores de serviços em nuvem que desenvolvem chips de IA internos . Sinais-chave:
A corrida competitiva já está se estendendo para além do HBM4:
HBM4E (7ª geração):
HBM personalizado e chips diferenciados:
A Samsung conquistou a liderança inicial no HBM4 com a primeira produção em massa do setor, o primeiro marco de US$ 1 bilhão em vendas (apenas quatro meses após o lançamento) e as primeiras amostras de HBM4E — uma forte reversão de sua posição de retaguarda no HBM3/HBM3E. No entanto, a SK Hynix continua sendo a líder geral de participação de mercado em HBM, com laços profundos com a Nvidia e está respondendo agressivamente com suas próprias amostras de HBM4E. A geração HBM4 está se configurando como uma corrida de dois players (com a Micron deixada de lado), e a próxima fronteira é o HBM4E e os chips personalizados, onde a integração da fundição da Samsung pode fornecer uma vantagem estratégica.
A Samsung iniciou a produção comercial em massa e as remessas do HBM4 em 12 de fevereiro de 2026, sendo a primeira empresa do mundo a fazê-lo . No final de junho de 2026 — pouco mais de 130 dias depois — as vendas cumulativas já haviam ultrapassado US$ 1 bilhão (aproximadamente 1,54 trilhão de won sul-coreanos) . Fontes do setor atribuem esse crescimento acelerado à demanda crescente por IA; a Samsung relatou que toda a sua capacidade de produção atual de HBM4 já está totalmente reservada pelos clientes . As vendas cumulativas até o final de junho devem ultrapassar US$ 1,2 bilhão , e alguns analistas projetam que a receita do HBM4 da Samsung pode atingir US$ 10 bilhões cumulativamente à medida que a adoção escala ao longo de 2026 .
As especificações oficiais da Samsung, confirmadas por reportagens independentes, mostram um salto geracional no desempenho :
Largura de banda: Até 3.300 GB/s (3,3 TB/s) por pilha, aproximadamente 2,7 vezes melhor que a do HBM3E .
Velocidade de transferência de dados: Consistentes 11,7 Gbps por pino em operação padrão, com pico de capacidade de até 13 Gbps — cerca de 22% maior que o máximo de 9,6 Gbps do HBM3E e 46% acima da linha de base do padrão JEDEC .
Pinos de E/S: A Samsung dobrou o número de pinos de 1.024 para 2.048 pinos, permitindo o enorme aumento na largura de banda .
Capacidade: As pilhas atuais de 12 camadas oferecem 36 GB por pilha, com pilhas de 16 camadas de 48 GB planejadas .
Tecnologia de processo: Construído na DRAM 1c de 6ª geração da classe de 10 nm, com um die de base lógica fundido em 4nm (foundry própria da Samsung), que integra mais funcionalidades lógicas na base da pilha de memória para melhor eficiência energética e desempenho .
Eficiência energética: Até 40% melhor que as gerações anteriores, segundo a Samsung .
Conformidade com JEDEC: A Samsung afirma que o HBM4 supera tanto o padrão JEDEC quanto os requisitos da Nvidia .
O cenário competitivo mudou dramaticamente com a chegada do HBM4:
A linha de base pré-HBM4 (era HBM3/HBM3E):
A geração HBM4 — os papéis se inverteram:
Ressalva: Apesar da vantagem de ser o primeiro a chegar no HBM4, a SK Hynix ainda lidera a participação geral do mercado de HBM, carregada das gerações anteriores, e tem relacionamentos profundos e de longa data com a Nvidia . A Counterpoint Research estima que a SK Hynix capturará cerca de 54% do mercado geral de HBM4 em 2026, a Samsung 28% e a Micron 18% — projeções que podem mudar à medida que a Samsung acelera mais rápido . A batalha competitiva do HBM4 ainda está no início.
A Samsung está executando uma expansão agressiva e multifacetada :
Aumento de 50% na capacidade em 2026: A Samsung planeja aumentar a produção total de HBM em aproximadamente 50%, mirando cerca de 250.000 wafers por mês até o final de 2026, ante os atuais ~170.000 .
Campus Pyeongtaek (P4): A Samsung está convertendo sua linha P4 em uma base de fabricação focada em HBM4, com a instalação de equipamentos em fases a partir de 2026 para a produção de DRAM 1c. A primeira fase pode garantir cerca de 60.000 wafers por mês de nova capacidade no primeiro semestre de 2026 .
Megafábrica P5 acelerada: A Samsung antecipou o início da construção da Fábrica 2 do P5 para julho de 2026 (seis meses antes do previsto), com operações comerciais visadas para 2029. A conclusão da sala limpa foi adiada para o terceiro trimestre de 2026 .
Linhas de Cheonan: O presidente Lee Jae-yong inspecionou pessoalmente as linhas de HBM em Cheonan em junho de 2026, sinalizando a prioridade de nível executivo na rampagem do HBM .
Alocação da fundição: Mais de 50% da capacidade da fundição de Pyeongtaek da Samsung é supostamente alocada para a produção interna do die de base do HBM4, em vez de clientes externos — uma priorização de recursos internos única do modelo verticalmente integrado da Samsung .
A SK Hynix também está escalando, planejando seus próprios aumentos de capacidade em 2026, mas o ritmo da Samsung é notavelmente mais agressivo .
A demanda por HBM4 é impulsionada pelas plataformas de aceleradores de IA Blackwell e Rubin da Nvidia, além de provedores de serviços em nuvem que desenvolvem chips de IA internos . Sinais-chave:
A corrida competitiva já está se estendendo para além do HBM4:
HBM4E (7ª geração):
HBM personalizado e chips diferenciados:
A Samsung conquistou a liderança inicial no HBM4 com a primeira produção em massa do setor, o primeiro marco de US$ 1 bilhão em vendas (apenas quatro meses após o lançamento) e as primeiras amostras de HBM4E — uma forte reversão de sua posição de retaguarda no HBM3/HBM3E. No entanto, a SK Hynix continua sendo a líder geral de participação de mercado em HBM, com laços profundos com a Nvidia e está respondendo agressivamente com suas próprias amostras de HBM4E. A geração HBM4 está se configurando como uma corrida de dois players (com a Micron deixada de lado), e a próxima fronteira é o HBM4E e os chips personalizados, onde a integração da fundição da Samsung pode fornecer uma vantagem estratégica.