CXMT planeja linha de P&D de NAND em Pequim e amplia ambição além da DRAM

A ChangXin Memory Technologies (CXMT) estaria preparando uma linha de pesquisa, desenvolvimento e produção piloto de memória NAND flash em sua nova unidade em Pequim. A iniciativa, reportada em 18 de setembro de 2026, representa uma expansão para além do foco histórico da companhia em DRAM — mas ainda não é o anúncio de uma fábrica comercial de NAND em larga escala. Diversos detalhes decisivos do projeto seguem sem divulgação pública. 1

O que a CXMT pretende fazer

A empresa planeja instalar em Pequim uma linha de P&D para NAND flash, apoiada por um novo instituto de pesquisa na capital chinesa que inclui o desenvolvimento de NAND entre seus projetos. 1

Segundo a reportagem, a CXMT já discutiu seus planos com potenciais clientes. Entre eles estaria uma startup não identificada interessada em NAND para produtos de armazenamento voltados a sistemas de IA e supercomputadores. 1

A lógica tecnológica é complementar: a DRAM funciona como memória de trabalho do processador, armazenando dados temporariamente, enquanto a NAND mantém dados de forma persistente — caso de SSDs e do armazenamento usado em celulares, PCs e data centers. 1

Por que entrar em NAND agora

A expansão acontece em um momento de escassez global de memórias, impulsionada sobretudo pela demanda de servidores para inteligência artificial. Executivos do setor esperavam que a pressão sobre a oferta persistisse ao menos até 2027, enquanto a expansão de capacidade de NAND foi limitada pela prioridade dada por fabricantes a DRAM e HBM, a memória de alta largura de banda usada em IA. 1

Com NAND no portfólio, a CXMT poderia oferecer um conjunto mais completo de memórias a clientes domésticos de IA, servidores, data centers, sistemas de armazenamento, PCs e dispositivos eletrônicos, em vez de atuar principalmente como fornecedora de DRAM. A conversa com um potencial comprador de armazenamento para IA e supercomputação é o sinal mais concreto dessa estratégia. 1

A oferta apertada também fortaleceu o poder de precificação de fabricantes chinesas de memória com parte de sua clientela doméstica. Isso não elimina, porém, a maior exposição da CXMT e da YMTC a segmentos de preço mais baixo em comparação com as líderes globais. 1

Uma nova frente de competição com a YMTC e rivais globais

A entrada em NAND colocaria a CXMT no principal mercado da Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), a referência chinesa em NAND. Até aqui, as duas empresas eram vistas como “estrelas gêmeas” em áreas distintas: CXMT em DRAM e YMTC em NAND. Essa divisão já começou a se desfazer, pois a Reuters havia informado anteriormente que a YMTC enviou amostras de DRAM de baixo consumo a clientes. 1

A CXMT também surgiria como mais uma potencial concorrente de Samsung, SK hynix e Micron no mercado de NAND. A Samsung detinha a maior participação em receita de NAND no segundo trimestre de 2026, com 29,3%, seguida por SK hynix e Micron. 1

Isso não significa que a CXMT esteja prestes a igualar essas empresas em escala ou tecnologia de NAND. O projeto reportado é uma linha de pesquisa e testes; as companhias estabelecidas já operam como produtoras de alto volume. 1

O que ainda não se sabe

A reportagem da Reuters não estabeleceu:

• quando a linha de P&D e produção piloto de NAND começará a operar; 1
• se a CXMT levará o trabalho experimental à fabricação comercial em grande escala; 1
• qual será a tecnologia empregada, incluindo processo, número de camadas, arquitetura, capacidade de wafers, rendimento, início de remessas comerciais e volume de vendas. 1

Por isso, ainda não há base para concluir que a NAND da CXMT aliviará a escassez global de memória no curto prazo ou se tornará em breve uma fonte relevante para SSDs e armazenamento de servidores. 1

Não confunda com outros projetos da CXMT

Expansão separada de DRAM em Pequim: em agosto, a CXMT também foi reportada como avaliando a construção de uma segunda fábrica de memória com wafers de 12 polegadas na área de Yizhuang, em Pequim, onde já opera uma fábrica de DRAM. Essa informação tratava de expansão de capacidade e conversas de financiamento, não de uma confirmação de fábrica comercial de NAND. 3

Projetos de HBM: a produção reportada de HBM3E em pequenas quantidades pela CXMT é um esforço de memória para IA baseado no empilhamento de DRAM, diferente do desenvolvimento de NAND flash. 2 Reportagens separadas apontaram rendimento de produção piloto de cerca de 25% para a HBM3 da empresa, abaixo da referência aproximada de 80% citada para produção em massa. Esse número não deve ser interpretado como rendimento de NAND. 5

Alegações sobre “XStacking”: a reportagem da Reuters de 18 de setembro não mencionou XStacking nem um processo específico de empilhamento ou ligação para NAND. Não há evidência suficiente nas informações disponíveis para atribuir ao projeto uma tecnologia XStacking, um nó de processo ou um cronograma de produção. 1

IPO e captação: a CXMT levantou 57,92 bilhões de yuans (US$ 8,6 bilhões) em uma oferta pública inicial em julho, e o projeto separado da fábrica de DRAM em Pequim estaria em conversas iniciais de financiamento com um polo de manufatura tecnológica apoiado pelo governo local. Esses fatos indicam suporte financeiro à expansão, mas não confirmam recursos dedicados, investimento de capital ou metas de produção para a linha de P&D de NAND. 1 3