ASML e TSMC apostam em máscaras maiores para viabilizar chips gigantes de IA

A ASML anunciou uma iniciativa conjunta com a TSMC, aberta a outros adotantes da High-NA e fornecedores da cadeia, para migrar a litografia EUV High-NA das atuais fotomáscaras de 6 polegadas para máscaras de 12 polegadas. A meta é manter a capacidade de desenhar circuitos mais finos e, ao mesmo tempo, tornar a tecnologia adequada para dies muito grandes — a área física do chip — usados em processadores de IA e data centers, como os projetados pela Nvidia. 13

Por que a mudança de máscara importa

A litografia EUV é uma das etapas que define padrões de circuitos sobre as lâminas de silício. Nos equipamentos EUV convencionais da ASML, a abertura numérica é de 0,33 e a área de exposição completa comporta chips grandes. A plataforma High-NA eleva esse número para 0,55, o que melhora a resolução.

Há, porém, uma contrapartida: a óptica anamórfica dos sistemas High-NA reduz pela metade o campo de exposição em uma das dimensões quando são usadas as máscaras atuais de 6 polegadas. Na prática, a máquina consegue imprimir elementos menores, mas limita a área de um chip que pode ser produzida em uma única exposição — um entrave para os maiores aceleradores de IA e processadores de data center. 14

Segundo a ASML, a plataforma High-NA, chamada EXE, alcança dimensão crítica de 8 nm. Ela foi concebida para gerações futuras de chips com estruturas ainda menores. 145

A máscara de 12 polegadas busca contornar a restrição de área e reduzir a necessidade de stitching, processo de dividir o desenho do chip em exposições separadas e depois conectá-las. ASML e TSMC afirmam que a transição pode elevar a produtividade das fábricas, baixar custos de fabricação e permitir melhor aproveitamento dos ganhos da High-NA. 13

Quem já usa ou avalia a High-NA

A Intel é a empresa mais avançada na adoção. Após testes iniciados em 2024, ela passou a usar ferramentas High-NA em parte da produção dos processadores Panther Lake em 2026. 6

Intel e SK Hynix foram apontadas como adotantes planejadas, enquanto a Intel e outras fabricantes de semicondutores vêm testando os equipamentos. 45

A TSMC é a co-líder formal da iniciativa com a ASML. Seu plano é adotar inicialmente a High-NA com as máscaras existentes de 6 polegadas, antes de migrar para o formato maior. 13

A Samsung, por sua vez, anunciou ampliação da cooperação com a ASML, planeja usar High-NA na futura fabricação de memórias DRAM e participará da iniciativa das máscaras de 12 polegadas. 11

As informações disponíveis não confirmam calendários de produção específicos e definitivos para TSMC, Samsung ou SK Hynix além de participação, avaliação ou intenção de adoção. Alegações de que as três entrarão em produção entre 2027 e 2028 não estão suficientemente sustentadas pelas fontes apresentadas. 41135

Cronograma: piloto em 2031 e produção em 2033

ASML e TSMC miram a instalação de uma linha-piloto de máscaras de 12 polegadas em 2031. A previsão é que o sistema completo de litografia esteja pronto para a produção de nós avançados em 2033. 13

A reportagem fornecida estima ganho de produtividade de cerca de 40% com a abordagem de máscaras maiores. O anúncio oficial da ASML confirma a expectativa de maior produtividade e menor custo, mas não apresenta essa porcentagem no trecho disponível. 813

Esse número não deve ser confundido com o avanço da geração atual de EUV convencional: o sistema NXE:3800E da ASML processa 220 lâminas por hora, 37% acima do NXE:3600D. Trata-se de uma comparação entre equipamentos atuais, e não da projeção para a High-NA com máscaras de 12 polegadas. 1