A capacidade anual de DRAM da Samsung deve crescer de 7,695 milhões de wafers em 2025 para 8,175 milhões em 2026 e 8,28 milhões em 2027 — uma alta de apenas 1,3% no último ano. A empresa está priorizando a transição para a DRAM 1c, a melhoria do rendimento e a produtividade para aumentar a quantidade de HBM4 comerci...
Resposta de pesquisa

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is Samsung Electronics managing its DRAM production amid AI-driven memory shortages, why is it limiting capacity growth from 7.7 million. Article summary: Samsung is choosing effective output and HBM4 competitiveness over maximum wafer starts. Its relatively flat wafer-capacity plan reflects the difficulty and opportunity cost of converting production from 1b to denser 1c . Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
A Samsung não está respondendo à escassez de memória para inteligência artificial simplesmente aumentando o número de wafers processados. A estratégia, segundo relatos do setor, é concentrar esforços na transição para a DRAM de sexta geração, conhecida como 1c, e elevar o rendimento — a proporção de chips e produtos que passam nos testes de qualidade.
Na prática, a companhia tenta transformar cada wafer aprovado em uma quantidade maior de memória utilizável e de maior valor, especialmente HBM4. Isso faz o plano de capacidade parecer moderado nas projeções, mas pode ser uma decisão calculada: antes de construir uma expansão muito maior, a Samsung quer tornar suas fábricas atuais mais produtivas e rentáveis.
Projeções baseadas em dados da Omdia e divulgadas pelo ChosunBiz estimam que a capacidade anual de DRAM da Samsung será de aproximadamente 7,695 milhões de wafers em 2025, 8,175 milhões em 2026 e 8,28 milhões em 2027. Isso representa crescimento de cerca de 6% em 2026, seguido por apenas 1,3% em 2027. 2
Esses números medem a capacidade de produção em wafers, não a quantidade final de módulos HBM ou de bits de memória que a empresa conseguirá vender. Por isso, uma comparação baseada apenas em wafers não mostra todo o impacto da mudança de processo. Um nó mais avançado pode produzir mais bits por wafer aprovado, desde que o rendimento seja suficientemente alto.
A Samsung não abandonou completamente a expansão. Relatos apontam conversões de linhas e instalação de equipamentos para ampliar a capacidade de DRAM 1c. A companhia também teria como meta aumentar de forma significativa sua produção de HBM em 2026. 35
A fabricação de HBM4 envolve várias etapas sucessivas, e todas precisam funcionar bem. Primeiro, os dies de DRAM precisam ser produzidos com qualidade. Depois, passam por processos de vias através do silício — conhecidos pela sigla TSV —, são empilhados e unidos, e finalmente testados como um conjunto completo de memória. Uma falha em qualquer fase reduz o número de produtos que podem ser vendidos a partir do wafer original. 22
Por isso, aumentar o volume antes de estabilizar o processo pode ser caro. Colocar mais wafers em uma linha com baixo rendimento eleva o estoque em processo e o descarte sem necessariamente entregar um aumento proporcional na quantidade de HBM4 comercializável.
A transição para a DRAM 1c acrescenta outra dificuldade. A Samsung está deslocando sua produção para um processo mais novo, destinado ao HBM4, mas os relatos distinguem o rendimento do die 1c do rendimento efetivo do HBM4 completo. Um rendimento considerado maduro na fabricação da DRAM não significa automaticamente que o produto HBM, com várias camadas, esteja pronto para uma produção em massa lucrativa. 28
Os números divulgados sobre a evolução do HBM4 ajudam a explicar a prioridade. Estimativas da indústria indicaram que o rendimento estava abaixo de 60% quando a produção em massa começou, em fevereiro de 2026, e se aproximava de 80% em agosto. 1721 São estimativas do setor, e não um balanço completo divulgado pela Samsung, mas mostram por que melhorar o rendimento pode gerar mais valor do que simplesmente adicionar capacidade nominal.
As mesmas projeções baseadas na Omdia colocam a capacidade anual de DRAM da SK hynix em 6,06 milhões de wafers em 2025, 6,66 milhões em 2026 e 7,29 milhões em 2027. 2
Com base nesses números, a vantagem da Samsung seria de aproximadamente:
A liderança, portanto, diminui gradualmente. Ela não cai diretamente de 1,64 milhão para 990 mil wafers em 2026. A Samsung continua maior em capacidade nominal, enquanto a SK hynix cresce em ritmo projetado mais acelerado.
Mas capacidade não é o único fator decisivo no HBM. A oferta depende também de qualificação dos produtos, execução do empacotamento, rendimento das etapas finais e entregas consistentes aos clientes. Relatos do mercado apontam a SK hynix como principal fornecedora de HBM para grandes clientes de inteligência artificial, enquanto a Samsung tenta fortalecer sua posição no HBM4. 1324
Isso favorece a SK hynix caso os compradores priorizem fornecimento qualificado e disponível imediatamente. A aposta da Samsung é que rendimentos melhores na DRAM 1c e no HBM4 permitam produzir mais memória vendável a partir de uma base fabril relativamente estável.
Se a Samsung aumentar o número de dies 1c aprovados por wafer e melhorar o rendimento do empilhamento HBM4, a produção efetiva pode crescer mais rapidamente que o número de wafers processados. Isso tende a reduzir o custo por bit e melhorar a utilização das instalações já existentes.
Uma expansão controlada também limita o risco de adicionar capacidade demais de DRAM convencional no auge de um ciclo de memória. Ao converter linhas seletivamente para produtos de maior densidade e valor, a empresa preserva mais flexibilidade caso a demanda ou os preços mudem.
O HBM4 é estrategicamente importante porque está no centro da cadeia de fornecimento de aceleradores de inteligência artificial. A evolução relatada do rendimento, de menos de 60% no início da produção em massa para aproximadamente 80% depois, sugere que o aprendizado do processo pode fortalecer a capacidade da Samsung de disputar contratos de HBM premium. 17
O ganho, nesse caso, não seria apenas um aumento de capacidade nominal. Seria a conversão dessa capacidade em produtos qualificados, confiáveis e entregues em volume.
A margem para erro é pequena. Se o rendimento da DRAM 1c, a montagem do HBM ou a qualificação pelos clientes avançarem mais lentamente que o esperado, a Samsung poderá perder tempo enquanto a SK hynix continua expandindo.
A companhia também pode enfrentar uma disputa interna por recursos entre DRAM convencional, HBM e memórias para servidores. Conversões de linhas geram um custo de curto prazo, pois equipamentos e áreas de produção precisam ser adaptados ao novo processo. Durante essa transição, a oferta disponível pode ficar mais apertada mesmo que a capacidade de bits no longo prazo aumente.
Há ainda o risco de timing. A demanda por IA pode continuar forte enquanto a Samsung estabiliza seus processos. Nesse cenário, a SK hynix poderia usar seu crescimento mais rápido e sua execução já estabelecida em HBM para conquistar contratos difíceis de recuperar posteriormente.
O boom da inteligência artificial também afeta a DRAM convencional. Os fabricantes estão redirecionando capacidade de wafers, equipamentos, recursos de empacotamento e equipes de engenharia para HBM e produtos voltados a servidores. Relatos do setor associaram essa realocação à forte alta dos preços da DRAM tradicional. 37
A TrendForce projetou que os preços contratuais da DRAM convencional subiriam 58% a 63% na comparação trimestral no segundo trimestre de 2026, depois de uma alta projetada de 90% a 95% no primeiro trimestre. 46 São previsões de mercado, não resultados garantidos, mas elas mostram como uma escassez concentrada na infraestrutura de IA pode atingir PCs, servidores e outros sistemas que não utilizam HBM diretamente.
O problema, portanto, não é resolvido apenas com o anúncio de mais capacidade. Novas linhas precisam receber equipamentos, ser convertidas, qualificadas e operar com rendimentos aceitáveis. Até que isso aconteça, o deslocamento da produção para a memória de IA pode reduzir a oferta de produtos convencionais.
A memória se tornou uma questão de custo e disponibilidade no nível do sistema inteiro. O Tom’s Hardware, citando informações da Bloomberg e projeções de analistas, afirmou que a Nvidia teria avisado alguns dos maiores clientes de que sistemas Grace Blackwell e Vera Rubin enviados no início de 2027 poderiam custar mais de 15% mais caro, com o aumento dos custos de memória entre os principais fatores. 32
Preços mais altos de memória podem elevar o investimento necessário dos provedores de nuvem e encarecer a implantação de sistemas de IA para compradores menores. O impacto exato no preço final dependerá da configuração de cada sistema e dos contratos com fornecedores, mas a direção é clara: a disponibilidade de memória passou a fazer parte da economia do processamento de IA, e não é mais apenas uma preocupação de componente.
O crescimento contido da capacidade de DRAM da Samsung deve ser entendido como uma estratégia de rendimento e mix de produtos, não como sinal de que a demanda enfraqueceu. A empresa aposta que a DRAM 1c, mais densa, e o aumento do rendimento do HBM4 gerarão mais produtos valiosos e comercializáveis a partir de cada wafer.
A decisão é economicamente defensável, sobretudo se o rendimento do HBM4 continuar melhorando. Mas também envolve risco elevado. A Samsung precisa transformar ganhos de processo em remessas consistentes e qualificadas enquanto a SK hynix amplia a capacidade mais rapidamente e o mercado global continua enfrentando restrições de oferta.
Por isso, o indicador mais importante não é apenas o número de wafers da Samsung. É a combinação de dies aprovados por wafer, rendimento do HBM4 completo, volume qualificado pelos clientes e quantidade de bits efetivamente entregue. Se esses indicadores melhorarem mais rápido que a capacidade nominal, a aparente contenção da Samsung pode se transformar em vantagem competitiva. Caso contrário, sua liderança em wafers poderá valer menos que a expansão mais veloz da SK hynix.
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A capacidade anual de DRAM da Samsung deve crescer de 7,695 milhões de wafers em 2025 para 8,175 milhões em 2026 e 8,28 milhões em 2027 — uma alta de apenas 1,3% no último ano.
A capacidade anual de DRAM da Samsung deve crescer de 7,695 milhões de wafers em 2025 para 8,175 milhões em 2026 e 8,28 milhões em 2027 — uma alta de apenas 1,3% no último ano. A empresa está priorizando a transição para a DRAM 1c, a melhoria do rendimento e a produtividade para aumentar a quantidade de HBM4 comercializável por wafer.
A vantagem de capacidade da Samsung sobre a SK hynix deve diminuir de aproximadamente 1,635 milhão de wafers em 2025 para 990 mil em 2027.